【課題】ＶＣＳＥＬ等の発光素子の個数が少なくても大きな伝送容量を確保することができるとともに、装置の小型化が容易な光インターコネクション用光送信器を提供する。
【解決手段】光送信器は、波長多重連続光が入力される光導波路１１７と、光導波路１１７の長さ方向に沿って配置され、外部から供給される電気信号に応じて光導波路１１７を通る光に対し、入力ポートからスルーポートへの透過率を変化させて変調を行う複数の変調器１２１と、複数の変調器１２１により変調された光を出力する光信号出力部１１３とを有する。複数の変調器１２１は、変調可能な光の波長がそれぞれ異なる。 （もっと読む）

【課題】光信号を適切に遮断する。
【解決手段】光送信器は、入力された光を変調することで光信号を出力し、且つ印加されるバイアス電圧に依存して光吸収の程度が変化する光吸収特性であって、第１の特性領域及び第１の特性領域よりも光吸収の程度が大きくなる第２の特性領域を含む光吸収特性を有するマッハツェンダ型光変調器と、マッハツェンダ型光変調器からの光信号の出力を所望量以下に遮断する場合に、第２の特性領域に対応する遮断バイアス電圧をマッハツェンダ型光変調器に形成された２つの干渉用光導波路の夫々に備えられた電極に印加することにより、発生する電界を前記干渉用光導波路に与える印加部とを備える。 （もっと読む）

【課題】任意の偏波方向の光入力信号に対するサンプリングを可能とするとともに、光ファイバや光導波路素子との結合効率が良好な光ゲート素子を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、下部クラッド層、活性層１３、および、上部クラッド層が順次積層された導波路構造を備え、該導波路構造は、ハイメサ導波路構造Ｉと、光入射端面１０ａおよび光出射端面１０ｂのうちの少なくとも一方の端面とハイメサ導波路構造Ｉとの間に形成され、ハイメサ導波路構造Ｉと光の導波方向に連続する埋込み導波路構造ＩＩ_a、ＩＩ_bと、を含み、埋込み導波路構造ＩＩ_a、ＩＩ_bは、活性層１３の光の導波方向に直交する幅が、前記少なくとも一方の端面に向かって狭くなる幅減少領域を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で、任意の偏波方向の光入力信号に対するサンプリングが可能な光ゲート素子を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、下部クラッド層、バルク材料からなる活性層１３、および、上部クラッド層が順次積層された導波路構造と、少なくともその一部が該導波路構造の上方に形成される上部電極２１と、を備え、該導波路構造は、ハイメサ導波路構造Ｉと、光入射端面１０ａおよび光出射端面１０ｂのうちの少なくとも一方とハイメサ導波路構造Ｉとの間に形成され、ハイメサ導波路構造Ｉと光の導波方向に連続する埋込み導波路構造ＩＩ_a、ＩＩ_bと、を含み、上部電極２１は、該導波路構造の少なくとも一部の上方に形成される主電極部２１ａと、ハイメサ導波路構造Ｉの導波方向の側方、かつ、半導体基板の上方に形成される電極パッド部２１ｂと、主電極部２１ａと電極パッド部２１ｂとを電気的に接続する接続部２１ｃと、を含む。 （もっと読む）

【課題】変調帯域を十分に拡大することができる光変調器を得る。
【解決手段】半導体チップ１０内に導波路１２が設けられている。進行波型電極１４の入力部１４ａに、第１のワイヤ１８を介して給電ライン２０が接続されている。進行波型電極１４の出力部１４ｂに、第２のワイヤ２２及び終端ライン２４を介して終端抵抗２６が接続されている。出力部１４ｂと接地点の間の電気容量は、入力部１４ａと接地点の間の電気容量よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】小型化・集積化が可能で、その非線形屈折率変化が制御光に対して高速に応答する半導体素子を用いて光強度に応じて光の位相変調を起こし、そのときの干渉を利用する光ゲートスイッチ回路を提供する。
【解決手段】光ゲートスイッチ回路は、非対称マッハツェンダー干渉計１０の出力側に光バンドパスフィルタ３を接続した構造を有する。 （もっと読む）

【課題】光電子装置を提供する。
【解決手段】光電子装置は、半導体基板内に形成されたｐドーピング領域とｎドーピング領域と、ｐドーピング領域とｎドーピング領域との間に形成された光導波路コア領域と、光導波路コア領域とｐドーピング領域との間に形成され、それぞれが第１距離だけ離隔して形成され、光導波路コア領域の厚さと同じ厚さを有する複数の第１スラブと、光導波路コア領域とｎドーピング領域との間に形成され、それぞれが第２距離だけ離隔して形成され、光導波路コア領域の厚さと同じ厚さを有する複数の第２スラブと、を含む。 （もっと読む）

【課題】安定的な伝送を可能とする半導体ゲイン領域集積型ＭＺ変調器モジュールを提供する。
【解決手段】半導体レーザと、半導体レーザから発せられた光を交流信号により変調して出力するマッハツェンダ変調器とがチップ上に集積された半導体レーザ集積型マッハツェンダ変調器であって、温度に変化が生じた場合に、チップ温度の変化に応じて交流信号を制御（交流信号の振幅の制御、及び交流信号のバイアス電圧の制御を含む）することで、マッハツェンダ変調器から出力される光の消光比を大きくすることを特徴とするレーザ集積マッハツェンダ変調器。 （もっと読む）

【課題】 数〜数十Ｇｂｐｓでもプリエンファシスをかけることなしに、低電圧のＣＭＯＳ駆動で十分な光変調をかけることができる、Ｓｉ系光変調器を実現する。
【解決手段】 ｐ型ａ−Ｓｉ層５、アンドープａ−Ｓｉ層６、ｎ型ａ−Ｓｉ層７からなるｐｉｎダイオード構造の外側に、アンドープ−ａ−Ｓｉ層４とｎ型ａ−Ｓｉ層３からなるｐ型ａ−Ｓｉ層５内の電子に対するドレイン１９と、アンドープａ−Ｓｉ層８とｐ型ａ−Ｓｉ層９からなるｎ型ａ−Ｓｉ層７内の正孔に対するドレイン２０が付加されている。ｐ型ａ−Ｓｉ層５とｎ型ａ−Ｓｉ層７における実効的なキャリア寿命が大幅に短縮されるので、ドレインのない従来のｐｉｎダイオード構造キャリア注入型光変調器と比べて一桁以上高い周波数まで応答させることができる。 （もっと読む）

【課題】 高品質な多値の光信号を得ることができる。
【解決手段】 本発明は、Ｎチャネル（Ｎは２以上でＮ以下の整数）の電気２値信号を、１チャネルの光多値信号に変調する信号変調装置に関する。電気信号を光信号に変調する変調部をＮ段備え、第１段目の変調部は、第１の電気２値信号を光信号に変調して、第２段目の変調部に供給し、第２段目以降の変調部は、外部変調方式で電気信号を光信号に変調するものであり、第ｍ段目（ｍは２以上でＮ以下の整数）の変調部は、第ｍ−１段目の変調部から出力される光信号を光源として、第ｍの電気２値信号を光信号に変調して出力し、第Ｎ段目の変調部が出力する光信号を、光多値信号として出力することを特徴とする。 （もっと読む）