【課題】半導体光スイッチモジュールの組立コストを低減させる。
【解決手段】 ＩｎＰ基板１上にＩｎＧａＡｓＰ系材料によって形成された光導波路２、３、４、５、６が形成され、光導波路２、３、４上に電極７、８、９をそれぞれ設けている。電極７、８、９に流す電流を制御することによって光スイッチ動作及び光増幅動作を実現している。直線状の光導波路２、３と曲線状の光導波路５はＵ字型の光導波路をなしており、また、直線状の光導波路３、４と曲線上の光導波路６は別のＵ字型の光導波路をなしている。ふたつのＵ字型光導波路の組み合わせによりＷ字型の光導波路ネットワークが形成されている。 （もっと読む）

【課題】 小型化、動作速度の高速化、低電圧化を同時に図ることができる光変調器を、フォトニック結晶共振器にＰＩＮ構造を作製してキャリアを高速に共振器の外に引き出す。
【解決手段】本発明は、フォトニック結晶基板中に、光を閉じ込める共振器と、共振器部位を挟んで対向する２つの領域に電極領域を設け、共振器に発生させた二光子吸収キャリアを、電極領域に電界を印加して引き抜くことにより、該共振器のキャリアを、拡散によって散逸するよりも早く除去する。また、フォトニック結晶基板中で、導波路を挟んだ所定の領域に対向する２つの電極領域を設け、電極領域に挟まれた導波路中に発生させた二光子吸収キャリアを、電界印加によって拡散より早く導波路から引き抜き、除去する。 （もっと読む）

【課題】 リブ型光導波路デバイス及びその製造方法に関し、光導波路における光閉じ込め効果を減少させることなく、単結晶コアの側面ラフネスを低減する。
【解決手段】 ＳｉＯ_２からなる下部クラッド層と、前記下部クラッド上に設けられたＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ（但し、０≦ｘ≦０．３）からなる単結晶コアと、前記単結晶コアの側面に拡散防止膜を介して設けられた屈折率緩和層と、前記単結晶コアの上面と前記拡散防止膜及び屈折率緩和層の露出面を覆うＳｉＯ_２からなる下部クラッド層とを有する光導波路を備え、前記屈折率緩和層の屈折率を、前記単結晶コアの屈折率より小さく且つ前記上部クラッド層の屈折率より大きくする。 （もっと読む）

【課題】伝搬損失が小さく、しかも、効率的に屈折率を変化させ得る光半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に形成され、第１導電型の第１の不純物領域１６と、第１導電型の反対の第２導電型の第２の不純物領域１８と、第１の不純物領域と第２の不純物領域との間に形成されたストライプ状の光導波路１５とを有する半導体光導波路層１４と、第１の不純物領域と光導波路の一方の側壁の上部とを接続する第１導電型の第１の半導体層２６と、第２の不純物領域１８と光導波路の他方の側壁の上部とを接続する第２導電型の第２の半導体層２８とを有している。 （もっと読む）

【課題】 波長可変レーザのフロント側に配置された波長検知部を用いてダークチューニングで発振波長を調整することができる波長可変レーザ装置およびその制御方法を提供する。
【解決手段】 波長可変レーザ装置の制御方法は、波長可変半導体レーザと、波長可変半導体レーザの出力と光結合され消光状態と透過状態との間で出力光強度を制御する半導体マッハツェンダ変調器と、波長可変半導体レーザとマッハツェンダ変調器との間に設けられ、波長可変半導体レーザから半導体マッハツェンダ変調器に入力される光の波長を検知する波長検知部とを備える波長可変レーザ装置において、半導体マッハツェンダ変調器を透過状態よりも光減衰率が大きい状態に制御し、その後、波長検知部の検知結果に基づいて波長可変半導体レーザの出力波長を調整する。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を得ることができる光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、マッハツェンダ変調器１０をパッケージ７０内に固定する工程と、マッハツェンダ変調器１０を固定する工程の後、入力光を入力レンズ４６に入射する工程と、入力レンズ４６を介してマッハツェンダ変調器１０に入力する入力光を検知し、入力光の検知結果に基づいて、入力レンズ４６の位置合わせをする工程と、位置合わせをする工程の後、入力レンズ４６をパッケージ７０内に固定する工程と、を有する光学装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 出力光導波路に光強度検出電極を備えたマッハツェンダ型光変調器において、リーク電流を抑制すること。
【解決手段】 ２つの出力光導波路３８ａ及び３８ｂに合分波部３４を介して２つの光導波路３２ａ及び３２ｂが接続されたマッハツェンダ型光変調器であって、２つの光導波路３２ａ及び３２ｂのそれぞれに設けられたアーム電極４０及び４２と、２つの出力光導波路３８ａ及び３８ｂのそれぞれに設けられ、アーム電極４０及び４２よりも高い電圧が印加される光強度検出電極４４と、アーム電極４０及び４２と光強度検出電極４４との間の導波路に設けられ、アーム電極４０及び４２に印加される電圧よりも高いが印加されるリーク抑制電極６０と、を備えることを特徴とする光変調器。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高効率な波長変換を達成する波長変換素子を提供する。
【解決手段】２つの異なる波長の光を入射し、一方の光により第二高調波を発生し、他方の光と前記第二高調波の差周波発生により変換光を発生する波長変換素子であって、周期分極反転構造を有する二次非線形光学媒質からなる導波路部であって、前記一方の光を前記第二高調波に変換する第二高調波発生部と、前記第二高調波の屈折率を変化させるための位相調節部とを有する、導波路部と、前記導波路部の入力端に設けられ、前記第二高調波を反射する第１の反射部と、前記導波路部の出力端に設けられ、前記第二高調波を反射する第２の反射部とを備え、前記位相調節部は、前記第１の反射部によって反射された第二高調波の位相と前記第二高調波発生部で発生する第二高調波の位相とを整合させることを特徴とする波長変換素子である。 （もっと読む）

【課題】 マッハツェンダ変調器の劣化などの不具合を容易に判定することができるマッハツェンダ変調器の制御装置およびマッハツェンダ変調器の制御方法を提供する。
【解決手段】 マッハツェンダ変調器の制御装置は、マッハツェンダ変調器のいずれかの光導波路に設けられた電極を流れる電流値を検出する電流検出部と、電流検出部が検出した電流値に基づいてマッハツェンダ変調器の不具合状態を判定する判定部と、を備える。マッハツェンダ変調器の制御方法は、マッハツェンダ変調器のいずれかの光導波路に設けられた電極を流れる電流値を検出する電流検出ステップと、電流検出ステップにおいて検出した電流値に基づいてマッハツェンダ変調器の不具合状態を判定する判定ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】バイアス調整を行わない状態で使用しても、動作点のズレに伴う感度特性のばらつきが発生しない電界センサを提供する。
【解決手段】長さが異なる１対の光導波路と、１対の光導波路の光入射側と光出射側とのそれぞれに接続された２つの３ｄＢ光カプラと、２つの３ｄＢ光カプラのそれぞれに接続された光入力ポートおよび光出力ポートと、一方の光導波路に設けられた電気線路を有するＭＺ干渉回路と、１対の導波路に光を入力する光入力手段と、ＭＺ干渉回路の電気線路に入力するＲＦ信号受信手段と、ＭＺ干渉回路から出力された光出力を検出する光検出手段と、光入力手段からＭＺ干渉回路に入力する光を決定した波長に調整する調整手段とを備え、受信したＲＦ信号を電気光学効果を起こすことより１対の光導波路の出射光の位相差に変化を与え、光検出器は、１対の光導波路から出射された光の位相差を検出することにより、ＲＦ信号の出力を測定する。 （もっと読む）