【課題】ＳＯＩ基板上に形成されたシリコンベース電気光学装置における、高効率な光接続を実現し、高速動作と光伝搬損失の低減とを両立させることができる電極接続構造を提供する。
【解決手段】電気光学装置において、第１の導電型の第１のシリコン半導体層と第２の導電型の第２のシリコン半導体層との積層構造がリブ導波路形状を有して光の閉じ込め領域を構成し、リブ導波路のスラブ部分に、金属電極が接続された領域を設ける。金属電極が接続された領域においてスラブ部分の厚さをその周囲のスラブ部分の厚さよりも大きくする。金属電極が接続された領域までのリブ導波路からの距離を変化させたときにリブ導波路の０次モードの実効屈折率が変化しないようなその距離の範囲内に、金属電極が接続された領域を設定する。 （もっと読む）

【課題】波長特性が広帯域で可変である波長可変光フィルタ、および広帯域でレーザ光の波長が可変である波長可変レーザを提供すること。
【解決手段】コア部を有するマルチモード干渉型導波路部と、前記マルチモード干渉型導波路部の長さ方向の一端に設けられた第１光入出力部と、前記マルチモード干渉型導波路部の他の一端に設けられた第２光入出力部とを有し、前記マルチモード干渉型導波路部は前記第１光入出力部から入力し第２光入出力部から出力する光に対して損失波長特性を有する光フィルタ部と、前記マルチモード干渉型導波路部のコア部の側部に設けられた、該コア部よりも屈折率または等価屈折率が低い側部クラッド部と、前記側部クラッド部の屈折率または等価屈折率を変化させる屈折率調整機構と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 電極間の光導波路が電気分離され、かつ、単純な構成で電極容量を低減可能な半導体光素子を提供する。
【解決手段】 基板１０１上に下部クラッド層１０２、活性層１０３、上部クラッド層１０５が前記順序で積層され、上部クラッド層１０５の一部が除去されて形成されたリッジ導波路１０７の上部クラッド層１０５上に、その方向に沿って断続的に上部電極１０９ａ、１０９ｂが配置され、上部クラッド層１０５より電気抵抗率の高い半導体の高抵抗層１０８は、上部クラッド層１０５における前記両上部電極間の領域１１３を覆うように形成され、かつリッジ導波路１０７側方に延び、高抵抗層１０８上に配置された引き出し電極１１１により上部電極１０９ａに電気的に接続されるパッド電極１１０は、高抵抗層１０８上のリッジ導波路１０７から離れた位置に配置されていることを特徴とする半導体光素子１００。 （もっと読む）

【課題】バルクシリコン基板を使用する変調器を提供する。
【解決手段】所定の幅及び所定の深さにエッチングされたトレンチを備えるバルクシリコン基板２８１と、バルクシリコン基板２８１のトレンチに形成される下部クラッド層２８０と、下部クラッド層２８０上に形成される複数個の導波路２１０，２３０，２４０，２６０と、下部クラッド層２８０上に形成され、導波路２３０の屈折率を変調して、導波路２３０を通過する光信号の位相を変調する位相変調部２７０と、複数個の導波路２１０，２３０，２４０，２６０及び位相変調部２７０上に形成される上部クラッド層と、を備える変調器２００である。 （もっと読む）

【課題】半導体製造プロセスを用いてフォトニック結晶構造を有する各種光デバイスを容易に形成することができるフォトニック結晶半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ−ＩｎＰ基板１１上に下部ＤＢＲ層１、コア層２、上部ＤＢＲ層３、誘電体多層膜６が順次積層される。コア層２及び上部ＤＢＲ層３には膜厚方向に延びる複数の空孔９が形成され、これによりフォトニック結晶構造が実現される。このフォトニック結晶構造は、複数の空孔９に挟まれて空孔９が存在しない線欠陥部１０を有し、線欠陥部１０が光導波路として機能する。 （もっと読む）

【課題】省サイズ化と低コスト化を実現できる多値光位相変調器を提供すること。
【解決手段】入力された光を分岐する光分岐器と、前記光分岐器に接続し、位相変調部を有する２つのアーム部を備え、前記分岐された光を強度変調して光信号として出力する２つ以上のマッハツェンダ型強度変調器と、前記各マッハツェンダ型強度変調器に接続し、該マッハツェンダ型強度変調器から出力した各光信号を合成して多値光信号として出力する光合成器と、前記光分岐器と、前記マッハツェンダ型強度変調器の少なくともいずれか１つの各位相変調部との間に設けられ、利得媒質を有し、該利得媒質の利得飽和特性を利用して、入力された光の強度を所定強度に調整して出力する少なくとも１つの光強度調整器と、を備える。 （もっと読む）

【課題】広帯域で反射率のピーク波長が可変であり、かつ長さが短い波長可変光フィルタ、ならびに広帯域でレーザ光の波長が可変であり、かつレーザ光の強度が安定した波長可変レーザおよび波長可変レーザアレイを提供すること。
【解決手段】マルチモード干渉型導波路と、前記マルチモード干渉型導波路の長さ方向の一端に設けられた第１光入出力部と、前記マルチモード干渉型導波路の他の一端に設けられた反射手段と、前記マルチモード干渉型導波路の屈折率を変化させる手段と、を備え、前記マルチモード干渉型導波路の長さおよび幅は、前記第１光入出力部から入力した光を、前記反射手段により反射した後に、該第１光入出力部において所望の分岐比で結像させるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】コアを光の導波方向に分割してそれぞれ独立に屈折率を調整しようとした場合に、分割されたコア間に発生する光の導波方向のリーク電流を低減することが可能な光学素子を提供する。
【解決手段】半導体のコア１をブロッキング領域１３，１４，１７，１８によって複数の領域に分離する。光の導波方向において対向配置された導電性コア１１，１２をそれぞれＰ型、Ｎ型とし、それとブロッキング領域を挟んで対向する導電性コア１５，１６をそれぞれＰ型、Ｎ型とする。導電性コア１１と導電性コア１５との間に配置するブロッキング領域１３をＮ型とし、導電性コア１２と導電性コア１６との間に配置するブロッキング領域１４をＰ型とする。 （もっと読む）

【課題】電圧を印加することにより屈折率が可変な半導体コア領域と屈折率が可変ではないコア領域との接続部において、屈折率が可変な半導体コア領域から屈折率が可変ではないコア領域を経由した不要なリーク電流を低減することが可能な光学素子を提供する。
【解決手段】光学素子ＷＧ１のコア１は、第１導電型の第１半導体コア領域３２と、第１半導体コア領域３２とギャップ部４０を挟んで対向配置された第２導電型の第２半導体コア領域３３と、第１半導体コア領域３２と光の導波方向において隣接する第２導電型又は無極性の第３半導体コア領域２２と、第２半導体コア領域３３と光の導波方向において隣接し、第３半導体コア領域２２とギャップ部４０を挟んで対向配置された第１導電型又は無極性の第４半導体コア領域２３と、を部分領域として含み、第１半導体コア領域３２と第２半導体コア領域３３とに電極が接続されている。 （もっと読む）

【課題】小型化可能であって、変調効率を高めた光変調装置を得る。
【解決手段】基板上に間隔を隔てて形成された第１の光導波路及び第２の光導波路と、前記第１の光導波路または前記第２の光導波路における屈折率を変化させるため、前記第１の光導波路または前記第２の光導波路に沿って設けられた電極と、前記電極に接続されており、前記第１の光導波路または前記第２の光導波路に電圧を印加するための電源と、を有し、前記第１の光導波路または前記第２の光導波路のうち、どちらか一方または双方の光導波路は、波長λの光を反射する構造の回折格子領域と、０からλ／２の範囲で位相シフトさせる位相シフト領域により形成されていることを特徴とする光変調装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）