【課題】簡単な構成で、常に最適な動作点に制御できる光波長変換器を得る。
【解決手段】信号光を増幅する前置半導体光増幅器５と、プローブ光を２つに分配する光分波器８ａと、前置半導体光増幅器５からの信号光及び光分波器８ａからのプローブ光を合波する光合波器６ａと、光合波器６ａにより合波された信号光及びプローブ光を増幅する半導体光増幅器（ＳＯＡ）７と、光分波器６ａにより分配されたプローブ光を増幅する半導体光増幅器（ＳＯＡ）９と、ＳＯＡ７、９の出力光を合波して波長変換光として出力する光合波器６ｂと、波長変換光を２つに分配する光分波器８ｂと、光分波器８ｂにより分配された波長変換光の平均電力に応じた電流を出力するフォトダイオード１０と、フォトダイオード１０から出力された電流が最大値となるように、前置半導体光増幅器５のバイアス電流を制御する前置ＳＯＡ制御回路１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】可変光バッファ回路の回路全体のサイズを小さくし、簡単な製造工程と製造設備を使用でき、経路間の損失のばらつきも解消する。
【解決手段】可変光バッファ回路は、半導体基板上に形成した光スイッチ回路と合波回路とを接続して構成され、光導波路で形成された遅延線を含め一体形成される。合波回路は光導波路で形成された遅延線と光結合器で構成される。同一遅延線を用いる場合、光結合器と、その一方の入力端に接続された遅延線とからなる組が、遅延線および光結合器が交互に縦続してＮ個の経路を構成するよう接続される。光結合器の各々の結合率は、各経路の各々に対し、光結合器の結合率に基づいた損失を除いた損失を最小としたときの最小損失値の測定値に基づき設定される。 （もっと読む）

【課題】光導波損失を低下させることが可能な半導体光変調器の製造方法等を提供する。
【解決手段】半導体光変調器の製造方法は、ｐ型半導体基板３上に、ｐ型半導体層５を形成する工程と、ｐ型半導体層５を表面５Ｓからエッチングしてｐ型半導体基板３の主面３Ｓに沿った第１の方向に沿って延びる孔部５Ｈを形成することにより、一対のストライプ構造５Ｐを形成する工程と、孔部５Ｈに埋め込み層１５を形成する工程と、埋め込み層１５上にコア層１７を形成する工程と、コア層１７上に、ｎ型半導体材料からなる上部クラッド層２３を形成する工程と、ｎ電極３７及びｐ電極３９を形成する工程と、を備える。埋め込み層１５は、ノンドープの半導体材料、ｐ型半導体層５よりもｐ型不純物濃度の低いｐ型半導体材料、又は、ｎ型不純物濃度が１×１０^１７ｃｍ^−３以下のｎ型半導体材料からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光を変調する光素子において、メサが欠けやすく、かつ、電極パッドの寄生容量が大きくなる。
【解決手段】光素子であって、リッジ状の光導波路部と、前記光導波路部に並んで配置された、メサプロテクタ部と、前記メサプロテクタ部の上部を覆うとともに、該メサプロテクタ部の両側に配置された樹脂部と、前記光導波路部上に配置された電極と、前記メサプロテクタ部に対して、前記光導波路部と反対側に位置する樹脂部上に配置された電極パッドと、前記樹脂部上に配置されるとともに、前記電極と前記電極パッドを電気的に接続する接続部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】光変調器の信号線間クロストークを抑制し、これに伴い小型化が実現可能な光変調器およびその作製方法を提供する。
【解決手段】基板１上に形成された複数の光導波路３と、光導波路３内を通過する光を変調するために設けられる信号線電極４と、光導波路３上に信号線電極４を配してなる光変調部１２とを備える光変調器において、信号線電極４がその周囲を誘電体絶縁膜５によって覆われ、誘電体絶縁膜５がその外側をグラウンド電極６によって覆われるようにした。 （もっと読む）

【課題】精度の高い複屈折率調整が可能な半導体基板上の位相シフタを提供すること。
【解決手段】ＰＢＳ１００は、第１の光カプラ１１０と、複屈折率付与部１２０と、た複屈折率調整部１３０と、第２の光カプラ１４０とを、閃亜鉛鉱型構造を有する１０１半導体基板上に備える。複屈折率付与部１２０及び複屈折率調整部１３０が位相シフタとして機能する。第１のアーム導波路１０２の第５の導波路部１０２Ｃの上に、第１の電極１０２Ｄが配置され、第２のアーム導波路１０３の第４の導波路部１０３Ｂが有する第２の傾斜部分の上に第２の電極１０３Ｄが配置されている。第１の電極１０２Ｄが配置された第１の方向と、第２の電極１０３Ｄが配置された第２の方向は、複屈折率調整部１３０において、両電極に単位電圧を印加したときに、ＴＭ偏光に対する上下アーム導波路間の位相差が抑制され、ＴＥ偏光に対する上下アーム導波路間の位相差が増大される方向である。 （もっと読む）

【課題】システム全体の集積化を可能とし、且つ超高速の光乱数生成要求にも対応可能とする。
【解決手段】高速カオス光信号生成光回路は、マッハツェンダー干渉型光強度変調手段ａ１の光出力ポートａ９から出力されるＲＺ型クロック信号光を位相変調駆動用のクロック信号光として、マッハツェンダー干渉型光強度変調手段ａ１内の２つの干渉アームに１つずつ設けられた光−光相互位相変調手段ａ２，ａ３に入力することにより、光入力ポートａ０から入力され２つの干渉アーム中を伝搬しているＲＺ型クロック信号光に位相差を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】システム全体の簡素化が可能で、高速の乱数生成要求にも対応できる乱雑性の高い乱数を生成する。
【解決手段】高速カオス光信号生成光回路は、マッハツェンダー干渉型光強度変調部ＭＺ−１の光出力ポートＰ−ＭＺ−１−ｃｒｏｓｓから出力される信号光を位相変調駆動用信号光として、変調部ＭＺ−１の２つの干渉アーム中を伝搬している信号光に位相差を生じさせ、マッハツェンダー干渉型光強度変調部ＭＺ−２の光出力ポートＰ−ＭＺ−２−ｃｒｏｓｓから出力される信号光を位相変調駆動用信号光として、変調部ＭＺ−２の２つの干渉アーム中を伝搬している信号光に位相差を生じさせ、さらに、変調部ＭＺ−２の光出力ポートＰ−ＭＺ−２−ｃｒｏｓｓから出力される信号光を位相変調駆動用信号光として、変調部ＭＺ−１の２つの干渉アーム中を伝搬しているクロック信号光に位相差を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】システム全体の簡素化が可能で、高速の乱数生成要求にも対応できる乱雑性の高い乱数を生成する。
【解決手段】高速カオス光信号生成光回路は、マッハツェンダー干渉型光強度変調部ＭＺ−１の光出力ポートＰ−ＭＺ−１−ｃｒｏｓｓから出力されるＲＺ型クロック信号光を光分波部ＳＰ−１により２系統に分波し、光遅延部Ｄ−Ｔ−１により２系統のＲＺ型クロック信号光に所定の遅延を付与し、遅延が付与された２系統のＲＺ型クロック信号光を位相変調駆動用のクロック信号光として、マッハツェンダー干渉型光強度変調部ＭＺ−１内の２つの干渉アームに１つずつ設けられた位相変調部Ｒ１，Ｌ１に入力することにより、光入力ポートＰ−ＭＺ−１−１から入力され２つの干渉アーム中を伝搬しているＲＺ型クロック信号光に位相差を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】リッジ形状やメサ形状といった凸状部分上の樹脂若しくはレジストのエッチングの停止タイミングを容易に且つ精度良く判断することが可能な光半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】この光半導体デバイスの製造方法は、一対の溝に挟まれた光導波路において光の導波を行う光変調器を製造する方法であって、ウエハ１６上に設定された評価用領域（ＴＥＧ領域）に、複数対の評価用溝３１ａ，３１ｂを形成する工程と、ウエハ１６上に樹脂層１３を塗布する工程と、樹脂層１３に対してエッチングを行い、光導波路の頂部を露出させる露出工程と、光導波路上に電極を形成する工程とを備え、評価用領域における複数対の評価用溝３１ａ，３１ｂの幅が各対毎に異なっており、露出工程の際に、エッチングによって評価用領域における少なくとも一対の評価用溝３１ａ，３１ｂに挟まれた領域３３の頂部を露出させる。 （もっと読む）