【課題】 本発明は，3次成分を抑圧できるDSB-SCシステムを提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の第１の側面に係るDSB-SC変調システム(1)は，3倍信号生成部(17)が，基本信号（f_m）の3倍の周波数を有する電気信号（3f_m）を生成する。そして，位相調整部(18)が基本信号（f_m）の位相と，基本信号の3倍の周波数を有する電気信号（3f_m）の位相差を調整する。信号強度調整部(19)が電気信号（3f_m）の強度を調整する。そして，変調信号としてf_mの信号を印加した際に発生する3次成分（f₀±3f_m）について，変調信号として3 f_mの信号をその1次成分（f₀±3f_m）が3次成分と位相が逆で，強度が同程度となるように調整して印加するので，それらが抑圧しあって，高い消光比を有するDSB-SC変調を達成できる。 （もっと読む）

送信器又は受信器の様な光学的通信デバイスが、信号ピークインテンシティに基づいて２つの関連する光学的信号の相対的位相を制御するための制御ループを有する。光学的送信器は、相対位相を望まれる様に調整するために、２つのデータチャンネルを表す組み合わされた光学的信号の信号ピークインテンシティを測定する。光学的受信器は、相対位相を望まれる様に調整するために、組み合わされた電氣的信号、１つの電氣的信号又は１つの光学的信号の信号ピークインテンシティを測定する。信号ピークインテンシティは、使われた変調構成（ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ ｃｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎ）に依って、該相対位相を調整することにより、最小化又は最大化される。該フィードバック制御は、温度変化、エージング（ａｇｉｎｇ）そして製造許容差の様な変数の存在下で、該光学的通信デバイスを安定化させるために、一貫した、ローバストな制御を提供する。
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【課題】位相変調器を含む光送信装置において、位相シフトおよびＤＣドリフトなどを適切に制御できる構成を提供する。
【解決手段】位相シフト部１２は、データ変調部２０を構成するアーム２１、２２を介して伝搬する１組の光信号に対して所定の位相差（例えば、π／２）を与える。一方の光信号に対して低周波信号ｆ0 が重畳される。他方の光信号には、低周波信号ｆ0 の位相をπ／２だけシフトさせた信号が重畳される。１組の光信号は結合され、その一部がフォトダイオード３により電気信号に変換される。この電気信号に含まれている２ｆ0 成分を検出する。２ｆ0 成分が最小になるように、位相シフト部１２に与えるバイアス電圧がフィードバック制御される。 （もっと読む）

【課題】光のオン／オフを任意に制御することができる高効率の光スイッチを実現する。
【解決手段】本発明では、電気光学材料１３と該電気光学材料に電圧を印加する電極１５ａ，１５ｂと、それらを保持する基板１１からなるキャビティー型の光スイッチ１０において、電気光学材料１３に光が入斜する入射面（ミラー面）１２の法線方向（Ｚ方向）と、電気光学材料１３への電圧の印加方向（Ｘ方向）とが略垂直であり、入射面（ミラー面）１２と基板１１とのそれぞれの法線方向（Ｚ方向）が略平行であることを特徴としており、基板と電気光学材料のミラー面（光学研磨面）が平行であれば、ミラー面に誘電体多層膜のような精密な成膜が可能となる。このため電気光学材料１３の入射面に誘電体多層膜を形成することができ、光吸収の非常に少ないミラー面を形成することができるので、高効率の光スイッチを実現することができる。 （もっと読む）

【課題】 エタロンの構造を用いて、温度調節器を用いること無しに、高速応答が可能であり、かつ偏波無依存を実現可能なゲートスイッチを提供すること。
【解決手段】 エタロン型ゲートスイッチ１０１は、光の入力ポートを備え、温度により光の出力される方路が定まる光分波器１０２と、光分波器１０２の後段に配置され、立方晶構造かつ２次の電気光学効果を有し、相転移温度が空間分布している誘電体結晶を含むエタロン１０３と、エタロン１０３の後段に配置され、エタロン１０３から出射される光を合波する光合波器１０４とを備える。このような構成において、温度と、誘電体結晶に入力された光が通過する誘電体結晶の領域の相転移温度との温度差が、温度が変化したときに常にほぼ一定になるように、温度の変化に応じて光分波器１０２が変動することにより、誘電体結晶の空間分布領域の所定の領域に光分波器１０２から出射された光を入射させる。 （もっと読む）

【課題】 簡便な構造を有した、高速応答可能で高い消光比特性を持つファブリー・ペローエタロン構造型ゲートスイッチを提供すること。
【解決手段】 立方晶構造かつ２次の電気光学効果を有する１つの誘電体結晶で形成された基板１０１に配された少なくとも２つのエタロン１０２，１０３と、入射光を少なくとも２つのエタロンに連続して入射させるミラー２０３と、エタロンにおいて誘電体結晶に同一の電圧を印加するスイッチング信号発信部とを備える。入射光はエタロン１０２を通過し、ミラー２０３により進行方向が反転し、エタロン１０３を通過する。スイッチング信号発信部から印加される電圧により、エタロン１０２および１０３の透過率が同等に制御され、エタロン１０３からの出力が制御される。 （もっと読む）

【課題】 単分域化処理の均一性を高め、結晶中への金属の拡散およびクラックの発生を防止できる強誘電体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の強誘電体結晶の製造方法は、基板作製工程Ｓ１と、作製した基板をＶＴＥ処理する工程Ｓ２と、基板上に電極膜を形成する工程Ｓ３と、基板を単分域化処理する分極工程Ｓ４と、アニール処理工程Ｓ５等を有している。本発明では、電極膜を導電性酸化物（ＩＴＯ膜）のスパッタ膜で形成する。これにより、電極膜と基板との密着性を高めて単分域化処理の均一性を高めるとともに、酸化物どうしとして結晶と電極との間に熱膨張係数や拡散係数の差を生じさせないようにできるので、加熱時におけるクラックの発生や異種金属の拡散を防止し、デバイスの高品質化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】 エタロンの構造を用いて、温度調節器を用いること無しに、高速応答が可能であり、かつ偏波無依存を実現可能なゲートスイッチを提供すること。
【解決手段】 エタロン型ゲートスイッチ１０１は、光が入力される、固定された光入力ポート１０２と、光入力ポート１０２の後段に配置され、立方晶構造かつ２次の電気光学効果を有し、相転移温度が空間分布している誘電体結晶を含むエタロン１０３と、エタロン１０３の後段に配置され、エタロン１０３から出射される光を入力する、固定された光出力ポート１０４と、温度と、誘電体結晶に入力された光が通過する誘電体結晶の領域の相転移温度との温度差が、温度が変化したときに常にほぼ一定になるように、温度の変化に応じて、誘電体結晶の位置を変動させる位置変動手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】ニオブ酸カリウム単結晶素子を製造する際の取り扱いが容易で、光学面を機械的衝撃等による傷の発生から保護し、良好な光学面を維持しながら所望の素子外形へとすることができ、光の散乱や多分域化が抑制され波長変換効率に優れたニオブ酸カリウム単結晶素子を製造することができる製造方法を提供すること。
【解決手段】シングルドメイン化処理されたニオブ酸カリウム単結晶を所定の方位・寸法に切断し、その光入射面と光出射面とからなる光透過面に光学研磨および反射防止膜を施し光学面とし、この光学面と垂直方向にさいの目状の切断を行ってニオブ酸カリウム単結晶素子を得るニオブ酸カリウム単結晶素子の製造方法において、前記光学面に保護膜を形成してから前記さいの目状の切断を行い、その後に前記保護膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】プロジェクターや光通信などの光をスイッチングする装置に用いる光スイッチにおいて、誘電体多層膜と欠陥層を用いたキャビティー型の光スイッチでも、光のＯＮ−ＯＦＦ比の満足できるものがなかった。欠陥層にＰＬＺＴ単結晶を用いた光スイッチもあるが、単結晶の厚さが１００μｍと厚いことから、透過率スペクトルの半値幅Ｗｔが狭いことによって、光スイッチとしては消光比を大きく取ることができない。
【解決手段】欠陥層３としてＰＬＺＴの焼結材を用い、研磨することによって、欠陥層３を薄膜化し、その厚さｄを欠陥層の材料の屈折率ｎとの関係で所定の式を満足させることにより、ＬＤを入射光として用いた場合のスペクトルの半値幅が１ｎｍ程度の大きさがあっても、十分な消光比が取れるだけの透過率スペクトル半値幅Ｗｔを得ることができる。 （もっと読む）