【課題】マスクの枚数を増やすことなく、ストレージキャパシタの電極間から半導体パターンを除去して高画質化を実現させる表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によるＴＦＴパネルの製造では、半導体パターンとＴＦＴのドレイン電極とを、同じマスクを利用したエッチングで同時にパターニングする。一方、画素電極の直下に形成される絶縁膜のパターニングには別のマスクを利用する。ドレイン電極を覆う絶縁膜の領域では、中央部の全体を感光させ、周辺部を半分の厚みまで感光させる。ストレージ電極の上方を覆う絶縁膜の領域は薄い一部を残して感光させる。ドレイン電極を覆う誘電膜をエッチングしてドレイン電極を露出させるとき、絶縁膜のその薄い一部がその下地の誘電膜を保護する。その後、絶縁膜のその薄い一部を画素電極の一部に置換し、保護された誘電膜を隔ててストレージ電極と対向させる。 （もっと読む）

【課題】 ＣＷレーザ光により結晶化した半導体膜を有するガラス基板の切断時に生じるクラックを防止する。
【解決手段】 基板ＧＬＳ上の半導体装置となる領域は基板切断位置ＣＵＴにより分離されている。各領域には、画素領域ＰＸＤと画素を駆動するゲート線駆動回路領域ＧＣＲおよび信号線駆動回路領域ＤＣＲ、さらに接続端子が形成される端子領域ＥＬＤが設けられている。画素領域ＰＸＤとゲート線駆動回路領域ＧＣＲにはＣＷレーザを照射していない多結晶Ｓｉ膜を用いたＴＦＴが形成されている。信号線駆動回路領域ＤＣＲの一部には、ＣＷレーザ光を照射した領域ＣＷＤが形成されており、横方向成長した結晶からなる多結晶Ｓｉ膜を用いたＴＦＴが形成されている。基板切断位置ＣＵＴには、ＣＷレーザが照射されない領域ＵＣＷが設けられており、ＣＷレーザ光を基板切断位置ＣＵＴ付近を除き照射する。領域ＣＷＤの基板表面の引張り応力に比べ、基板切断位置ＣＵＴ付近の基板表面の引張り応力は小となっており、基板切断によるクラックが抑制される。 （もっと読む）

【課題】 一画素中に複数の画素電極を設け、ハーフトーン表示特性を改善した液晶表示装置において、表示領域の周辺部まで含めて、焼付きを軽減する。
【解決手段】 表示領域の周辺部に、追加のゲートバスラインを設け、画素を放電させるために設けたトランジスタを駆動する。 （もっと読む）

【課題】 光センサ機能に関わる感光回路の駆動に専用の走査信号用ドライバー回路が必要なく、表示機能に関わる表示回路の走査信号以外のパルス信号の順次入力が不要な光センサ内臓表示装置を低コストで得る。
【解決手段】 第1トランジスタである感光回路の薄膜トランジスタＴｉｊと信号検出配線Ｘｊとの間に、第２トランジスタである感光回路走査用薄膜トランジスタＴ２ｉｊを直列に接続し、感光回路走査用薄膜トランジスタＴｉｊのゲート電極を表示回路のゲート配線Ｑｉに接続する。 （もっと読む）

【課題】 光検出部に到達する外光を最大とし、かつ画像表示部の割合が大きい光センサー一体型液晶表示装置を得る。
【解決手段】 光検出素子の光検出層と前記カラーフィルター基板に設けられた光検出部開口部との間の各層のそれぞれの厚みをｄ₁、ｄ₂、ｄ₃、・・・ｄ_Ｎ、有効屈折率をｎ₁、ｎ₂、ｎ₃、・・・ｎ_Ｎ、観察者と液晶表示装置との間の屈折率をｎ_Ａとし、光検出層と前記光検出部開口部の位置あわせ精度を±Ｓとしたときに、光検出部開口部の一方が、前記光検出層の端部から水平方向に前記光検出層より外側に


より大きくし


より小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】液晶等の電気光学装置において、積層構造や製造プロセスの単純化を図り、しかも高品質な表示を可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、データ線及び走査線と、基板上でデータ線より下層側に配置された薄膜トランジスタとを備える。更に、基板上で平面的に見て薄膜トランジスタのチャネル領域に対向する領域を含む領域にデータ線より上層側に配置されており、画素電位側電極、誘電体膜及び固定電位側電極が下層側から順に積層されてなる蓄積容量と、画素毎に配置され且つ蓄積容量よりも上層側に配置されており、画素電位側電極及び薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極とを備える。固定電位側電極及び画素電位側電極の少なくとも一方は、第１の導電性遮光膜を含んでなる。 （もっと読む）

【課題】 低温プロセスで大面積の半導体基板の熱処理を品質良く行うことが可能な半導体装置の製造方法等を提供する。
を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造において、水素及び酸素の混合ガスを燃料とする長尺のガスバーナーの線状の火炎を熱源として基板上に成膜された半導体層を熱処理する工程を含む。かかる構成により、加熱と共に燃焼によって生じる水蒸気ガスを半導体層に付与することができ、再結晶化と薄膜半導体層のダングリングボンドを水素又は酸素によって終端して電荷のトラップを減少する。また、大型基板の熱処理が可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液晶表示装置を大型化・高解像度化した場合であっても、低消費電力を実現することができる液晶表示装置及びこれを用いた大型液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明は、第１基板（透明基板１０３）と、第１基板（透明基板１０３）と対向する第２基板（透明基板１０３）と、第１基板（透明基板１０３）と第２基板（透明基板１０３）とに挟持された液晶１０１と、第１基板（透明基板１０３）上の画素毎に設けられ、液晶１０１を駆動する駆動回路３０１と、画素毎又は複数の画素毎に設けられ、液晶を駆動するために発電した電力を供給する光発電素子２０１とを備える。 （もっと読む）

【課題】 高価で精密な露光装置及びエッチング装置を用いることなく、性能の高い半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法等を提供する。
【解決手段】 絶縁膜上に形成されるスリットＳＴ内に半導体材料を塗布（充填）し、その後に熱処理を加えて非晶質半導体膜２６０を形成する（図３（ｃ）参照）。次に、非晶質半導体膜２６０にレーザ光を照射して熱処理を施すことで（図３（ｄ）参照）、非晶質半導体膜２６０のうちスリットＳＴを含む一定範囲の領域に略単結晶状態の半導体膜２６５ａを形成する（図３（ｅ）参照）。この略単結晶状態の半導体膜２６５ａを半導体装置の能動層（ソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域）に用いることで、オフ電流値が小さく移動度の大きな優良な半導体装置を形成する。 （もっと読む）

【課題】有機半導体に与える影響を最少化すると同時に有機薄膜トランジスタの特性を改善させることができる有機薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】有機薄膜トランジスタ表示板は、基板、基板上に形成されているデータ線、ゲート線上に形成されていてデータ線を露出する接触孔を有する絶縁膜、絶縁膜上に位置して接触孔を通してデータ線と接続されている第１電極、絶縁膜上の第２電極、第１電極及び第２電極上に位置する有機半導体、有機半導体上に形成されているゲート絶縁体及びゲート絶縁体上に形成されているゲート電極を含んで構成される。 （もっと読む）