国際特許分類[G02F1/136]の内容
物理学 (1,541,580) | 光学 (228,178) | 光の強度,色,位相,偏光または方向の制御,例.スイッチング,ゲーテイング,変調または復調のための装置または配置の媒体の光学的性質の変化により,光学的作用が変化する装置または配置;そのための技法または手順;周波数変換;非線形光学;光学的論理素子;光学的アナログ/デジタル変換器 (92,458) | 独立の光源から到達する光の強度,色,位相,偏光または方向の制御のための装置または配置,例.スィッチング,ゲーテイングまたは変調;非線形光学 (92,146) | 強度,位相,偏光または色の制御のためのもの (89,922) | 液晶に基づいたもの,例.単一の液晶表示セル (81,145) | 構造配置;液晶セルの作動;回路配置 (68,793) | 半導体の層または基板と構造上組み合された液晶セル,例.集積回路の一部を構成するセル (6,819)
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アクティブマトリックスセル (6,630)
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液晶表示装置及びその駆動方法と製造方法
【課題】表示パネル、第1センサ、発光ユニット、第2センサ及び制御部を含む液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、第1センサは表示パネルに形成されて、外部から入射する入力光を感知し、第2センサは表示パネルまたは発光ユニットに形成されて、発光ユニットから出力する出力光を感知し、制御部は第1センサで感知した入力光を分析した後、この分析した結果に対応する出力光が発生するように発光ユニットを制御する。
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半導体装置の作製方法及び表示装置の作製方法
【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して、信頼性の高い半導体装置を作製する方法を提供する。
【解決手段】基板上に導電層を形成し、該導電層上に光透過層を形成し、該光透過層上からフェムト秒レーザを照射して、該導電層及び該光透過層を選択的に除去する工程を有する。なお、該導電層の端部は、該光透過層の端部より内側に配置されるように該導電層及び該光透過層を除去されていてもよい。また、フェムト秒レーザを照射する前に、該光透過層表面に撥液処理を行ってもよい。
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半導体薄膜、薄膜トランジスタ、それらの製造方法、及び半導体薄膜の製造装置
【課題】本発明は、結晶粒径が小さく、かつ等間隔で格子状に整列した結晶粒を有する半導体薄膜、薄膜トランジスタ、それらの製造方法、及び半導体薄膜の製造装置を得ることを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる半導体薄膜は、非晶質の半導体薄膜にレーザー光12を照射することにより多結晶化されたものである。そして、本発明にかかる半導体薄膜は、結晶粒6が格子状に整列している。また、結晶粒6の大きさは、レーザー光12の発振波長の略半分となっている。
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液晶表示装置
【課題】本発明の目的は、光センサをパネル基板に組み込む際に、光センサから導出され
る出力が周辺回路の影響を受けないようにしてセンサ感度をよくした液晶表示装置を提供
すること。
【解決手段】TFT基板2と共通電極12及びカラーフィルタ並びにブラックマトリクス
11を有するCF基板10との間に液晶層が形成された液晶表示パネルと、TFT光セン
サを有する光検知部LSとを備え、TFT基板2上に、光検知部LS、この光検知部LS
へ電源を供給する電源線L及び光検知部LSからの出力を導出する出力線L0を設け、C
F基板10は、アクティブマトリクス基板2に配設した出力線L0の真上部分に共通電極
12及びブラックマトリクス11を除去した除去領域Sが形成されている。
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アモルファスシリコンの結晶化を最適化するシステム及び方法
ガラス基板のシリコン層をアニールする細いビームの指向性結晶化システムにおいて、1つのエッジにおける強度ピークを有する特定のレーザビームプロファイルが用いられる。そのシステムは、横方向結晶成長をもたらすシリコン層の空間的に制御される部分の全部を融解する。基板又はレーザを特定のステップサイズだけ進めて、シリコン層をレーザによる連続的な“ショット”の影響下に置くことにより、シリコン層全体が結晶化される。横方向結晶成長は、再融解される必要がある融解領域の中央において凸部を生成する。従って、ステップサイズは、凸部の融解を確実にするように、連続するショット間の、即ち、融解ゾーンの十分な重なりを可能にする必要がある。これは、ビーム幅の半分より小さいステップサイズを必要とする。本発明のシステム及び方法に従って用いられる特定のレーザプロファイルは、ステップサイズを増加し、それにより、スループットを高め、且つコストを低減する。
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ゲート薄膜トランジスタの製造方法
【課題】比較的簡単な工程により、粒径の大きな多結晶半導体からチャンネル領域を形成できる、ボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による薄膜トランジスタの製造方法では、まず、基板上にゲート電極を形成し、ゲート絶縁膜でゲート電極を覆う。次に、ゲート絶縁膜の上に非晶質半導体層を形成し、パターニングによってゲート電極の上に非晶質チャンネル領域を形成する。続いて、非晶質チャンネル領域をレーザにより溶融させ、その溶融部分の中央を薄くし、周辺を厚くする。それにより、非晶質チャンネル領域の中央部から両端部に向けて結晶粒を横方向成長させて多結晶チャンネル領域を形成する。
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細線状構造物集合体およびそれを備えた電子デバイス、それらの製造方法、および細線状構造物の配向方法
【課題】複数の細線状構造物を特定の配向方向で会合させる方法、および、その利用方法を提供する。
【解決手段】複数のSiナノワイヤ4が会合してなるSiナノワイヤ集合体40の製造方法であって、基板1上に、Siナノワイヤ4を分散させた分散液パターン30を形成するパターン形成工程と、分散液3を乾燥させることにより、分散液パターン30上の一部に、複数のSiナノワイヤ4を析出させる乾燥工程とを有し、乾燥工程では、Siナノワイヤ4を、所定の方向に配向させながら会合させる。
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表示素子
【課題】ドライバICと走査線および信号線との間での抵抗値差を抑制したLCDモジュールを提供する。
【解決手段】ドライバIC23a,23bの出力側に電気的に接続した抵抗部26の抵抗26a,26bの抵抗値分布を、ゲート線および信号線に電気的に接続した配線部の接続配線の抵抗値分布を吸収補正するように設定する。各抵抗26a,26bと各接続配線との接続により、ドライバIC23a,23bとゲート線および信号線との間での抵抗値差を抑制できる。
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アクティブマトリクス装置
【課題】アクティブマトリクス装置の装置及び回路がESDにより損壊されることを防ぐESD保護機能を有するアクティブマトリクス装置を提供する。
【解決手段】アクティブマトリクス装置200’は、活性領域及びESD保護回路220’を備える。活性領域は、複数の走査線SL及び複数のデータ線DLを有する。ESD保護回路220’は、第1の電源線221、第2の電源線222、第1のダイオード223及び第2のダイオード224を備える。第1のダイオード223は、走査線SL/データ線DLと第1の電源線221との間に電気的に接続され、第2のダイオード224は、第2の電源線222と走査線SL/データ線DLとの間に電気的に接続される。正又は負のESD電圧が走査線SL又はデータ線DLに印加されると、ESD電流が第1のダイオード223又は第2のダイオード224を介し、第1の電源線221又は第2の電源線222に流される。
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画像表示装置
【課題】高S/N比で高速な光信号の読出しが可能な光センサ回路を備え、外乱光の影響が小さく、誤認識の少ないタッチパネル機能を有する画像表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタを有する表示画素がマトリクス状に配列された表示部と、表示部内に複数の光検知画素とを具備する画像表示装置において、観測光を受ける第一の光検知素子と、観測光を受けない第二の光検知素子を電気的に接続し、その接続点における電位の変調を信号電圧として出力する光検知画素において、青のカラーフィルタと第一の光検知画素をオーバーラップさせ、緑または赤のカラーフィルタと第二の光検知画素をオーバーラップさせる構成とする。
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