【課題】溶液の広がりや飛散若しくは誤滴下等による寄生容量やリークパスの発生を防止することのできる有機デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の有機デバイスの製造方法は、基板１０上に導電性有機材料を含む溶液を配置する工程と、前記溶液を乾燥することにより導電性有機膜１５を形成する工程と、不所望な領域に配置された前記導電性有機膜１５ａ，１５ｂ，１８に光Ｌを照射し、前記導電性有機膜１５ａ，１５ｂ，１８の導電性を低下させる工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】製造コストを抑制するとともに、信頼性を向上させる液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】互いに対向して配置された一対の基板と、マトリクス状に配置された複数の表示画素からなる表示部ＤＹＰと、表示部ＤＹＰを囲む周辺領域と、を備える液晶表示パネルＰＮＬと、表示画素を駆動する駆動回路ＸＤ、ＹＤと、駆動回路ＸＤ、ＹＤを制御するコントローラＣＮＴと、駆動回路ＸＤ、ＹＤおよびコントローラＣＮＴに電源を供給する電源回路ＤＤと、を有する液晶表示装置であって、コントローラＣＮＴと、電源回路ＤＤとは１チップのシステムＩＣ１０に内蔵されているとともに、周辺領域に配置されている液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】チャネル長の長いトランジスタの高速駆動を実現するとともに、チャネル長の短いトランジスタにおける特性の変動を抑制した半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明による半導体装置（１００）は、第１多結晶領域（Ｐ１）を有する第１半導体層（１１２）と、第１ゲート電極（１１４）とを含む第１トランジスタ（１１０）と、第２多結晶領域（Ｐ２）を有する第２半導体層（１２２）と、第２ゲート電極（１２４）とを含む第２トランジスタ（１２０）とを備える。第２チャネル領域（Ｃ２）のチャネル長は第１チャネル領域（Ｃ１）のチャネル長よりも短く、第２多結晶領域（Ｐ２）の平均結晶粒径は第１多結晶領域（Ｐ１）の平均結晶粒径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】人間が感じる外部環境の明るさに応じて表示部の輝度を調節することのできる電
気光学装置を提供する。
【解決手段】素子基板１１と対向基板７０との間隙に封入された液晶Ｅと、素子基板１１
上に形成されて外部環境の明るさを検知するＰＩＮダイオード３１と、ＰＩＮダイオード
３１からの光電流信号に基づいて、バックライトの輝度を調節する制御部とを備える。Ｐ
ＩＮダイオード３１に対する外光Ｌ２の入射経路上であって、ＰＩＮダイオード３１より
も表示面側に、緑色の光を強調した上で外光Ｌ２をＰＩＮダイオード３１に出射する誘電
体多層膜からなる波長選択フィルタ５０を設けた。 （もっと読む）

【課題】基板浮遊効果に起因する半導体層の電気的特性の劣化を抑制し、優れた電気的特性を示す、半導体基板の製造方法、半導体基板、半導体装置、電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】単結晶半導体基板２００の一方面側に非単結晶半導体層２１０を形成し、非単結晶半導体層２１０の上面に絶縁層２１１を設ける。そして、絶縁層２１１側から単結晶半導体基板２００中にイオン注入を行い、イオン注入層２０５を形成する。イオン注入後、単結晶半導体基板２００の絶縁層２１１側に支持基板５００を貼り合せ、単結晶半導体基板２００における、非単結晶半導体層２１０とは反対の表層部をイオン注入層２０５にて分離し、支持基板５００上に単結晶半導体層２２０を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明による表示装置においては、生産性が高く、表示品位の優れた表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる表示装置は、基板と、基板上に設けられ、半導体層とキャパシタ電極６及びゲート電極１５を含む第１導電層との間に配置されるゲート絶縁膜５と、半導体層、第１導電層、及びゲート絶縁膜５の上層に形成された層間絶縁膜８と、層間絶縁膜８上に形成され、信号線９を含む第２導電層と、層間絶縁膜８及び第２導電層の上に形成された保護膜１０と、保護膜１０の上に形成された画素電極層１２と、を備え、画素電極層１２が、保護膜１０を貫通して第２導電層まで到達し、かつ保護膜１０、層間絶縁膜８、及びゲート絶縁膜５を貫通して半導体層まで到達することによって、半導体層と第２導電層とが画素電極層１２を介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴと重なる領域に柱状スペーサを配置すると、一対の基板の貼り合わせ時に圧力がかかり、ＴＦＴに影響を与える恐れ、クラックが発生する恐れなどがある。
【解決手段】ＴＦＴと重なる位置に形成される柱状スペーサの下方に無機材料からなるダミー層を形成する。このダミー層をＴＦＴと重なる位置に配置することによって、一対の基板の貼り合わせ工程時にＴＦＴにかかる圧力を分散し、緩和する。このダミー層は、工程数を増やすことなく形成するため、画素電極と同じ材料で形成することが望ましい。 （もっと読む）

【課題】製造工程を簡素化でき、かつゲート駆動部の腐食を防止できる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ基板は、表示領域と非表示領域とに区分される絶縁基板と、表示領域に該当する絶縁基板上に形成される第１のゲート電極を含むゲート金属パターンと、ゲート金属パターン上に形成されるゲート絶縁層と、第１のゲート電極に重なるゲート絶縁層上に形成される第１の半導体パターンと、第１の半導体パターンの両端に接続される第１のソース電極と第１のドレーン電極とを含むデータ金属パターンと、第１のドレーン電極に接続され、ゲート絶縁層上に形成される画素電極を含む透明導電パターンと、第１の半導体パターンとデータ金属パターン上に形成される保護層とを含む。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤによりシリコン酸化膜を成膜する際に、熱酸化膜に匹敵する良好な膜質を得ることができるシリコン酸化膜の成膜方法および成膜装置を提供すること。
【解決手段】 シリコン含有ガスおよび酸素含有ガス以外に、水素ガスを処理室内に導入して、処理室内に水素を含有するプラズマを生成する工程を有し、高周波アンテナにより前記誘電体壁を介して前記処理室内に高密度の誘導結合プラズマを形成し、この高密度の誘導結合プラズマによりシリコン酸化膜を形成するとともに、プラズマ中のＨとシリコン酸化膜中のＳｉとを反応させる。 （もっと読む）

【課題】生産性が高く、表示品位の優れた液晶表示装置及びその製造方法を提供すること
【解決手段】本発明にかかる表示装置は、基板１上に設けられた信号線９と、基板１上に信号線９と離間して設けられた導電性膜１２と、信号線９、及び導電性膜１２の上に設けられた下地絶縁膜と、下地絶縁膜の上に設けられたポリシリコン膜４と、ポリシリコン膜４の上に形成された層間絶縁膜７と、層間絶縁膜７の上に形成された画素電極１１と、層間絶縁膜７の上に画素電極１１と離間して形成され、ポリシリコン膜４と信号線９とを接続する接続パターン１５と、を備え、下部に導電性膜１２が形成されたポリシリコン膜４の結晶粒径が、下部に導電性膜１２が形成されていないポリシリコン膜４の結晶粒径よりも大きい。 （もっと読む）