【課題】半導体層と電極との間に段差を生じさせることなく、エッチングに要する時間を短縮させる。
【解決手段】ソース電極１５とドレイン電極１６の形成工程では、電極膜１９のみを除去するだけなので、半導体層１４と電極１５，１６との間に段差は生じない。半導体層１４の除去工程では、ドライエッチング法を用いているので、レジスト２０の下に隠れている電極膜１９まで除去されることがなく、電極１５，１６と半導体層１４との間で段差は生じない。電極膜除去の工程では所要時間の短いウエットエッチング法を用いているので、電極膜除去と半導体層除去の両工程をドライエッチング法で行う方法に比べると、全体としての所要時間が短い。 （もっと読む）

【課題】表示パネルに組み込んだ光検知部が明所及び暗所に関わらず高感度の光検知をす
ることができ、良好な照光手段の制御ができる表示装置を提供すること。
【解決手段】表示パネルと、照光手段と、外光を検知するＴＦＴ光センサと所定の基準電
圧が充電され光センサの漏れ電流によって充電電圧が降下する第１コンデンサＣｗとを備
える光検知部ＬＳ１と、第１コンデンサに充電されている充電電圧を読み取る光センサ読
み取り部Ｒｅ１と、光センサ読み取り部の出力値により照光手段を制御する制御手段１Ａ
と、を備えた表示装置１において、光検知部は、ＴＦＴ光センサのゲート電極Ｇ_Ｌにゲー
ト電圧ＧＶとして所定の逆バイアス電圧を印加し、第１コンデンサＣｗの充電電圧を光セ
ンサ読み取り部で読み取り、光センサ読み取り部はこの読み取り値に応じて前記ゲート電
圧ＧＶを変更する。 （もっと読む）

【課題】剥離前の形状及び特性を保った良好な状態で転置工程を行えるような、剥離工程を用いて半導体装置及び表示装置を作製できる技術を提供する。よって、より高信頼性の半導体装置及び表示装置を装置や工程を複雑化することなく、歩留まりよく作製できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】透光性を有する第１の基板上に光触媒物質を有する有機化合物層を形成し、光触媒物質を有する有機化合物層上に素子層を形成し、光を第１の基板を通過させて、光触媒物質を有する有機化合物層に照射し、素子層を前記第１の基板より剥離する。 （もっと読む）

【課題】同一基板上に、センサ部、表示部、周辺駆動回路を有する表示装置に関して、外的影響からセンサ部を防ぐ構成を得る。
【解決手段】 上記課題を解決すべく、本発明に係るセンサ付き表示装置は、同一基板上に、センサ部、表示部、並びに第１及び第２の周辺駆動回路を有し、前記センサ部は、前記表示部を挟んで、前記第１の周辺駆動回路の対辺側に設けられていることを特徴とする。また、他の本発明に係るセンサ付き表示装置は、同一基板上に、センサ部、表示部、引き出し配線部、並びに第１及び第２の周辺駆動回路を有し、前記センサ部は、前記表示部を挟んで、前記第１の周辺駆動回路の対辺側に設けられており、前記引き出し配線は、前記第１の周辺駆動回路と同じ側に設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】バックライト等の明るさを人の視感度に対応した周囲の明るさに応じて自動的に安定的にオン／オフ制御できるようにした表示装置を提供すること。
【解決手段】アクティブマトリクス基板及びカラーフィルタ基板を備えた表示パネルと、前記表示パネルの照光手段と、光センサ３３_１〜３３_６と、前記光センサ３３_１〜３３_６の出力に基づいて前記照光手段の発光強度を制御する制御部を備えた表示装置１０において、前記カラーフィルタ基板のそれぞれ前記光センサ３３_１〜３３_６に対向する位置には前記光センサ３３_１〜３３_６の分光感度を人の視感度特性に合致させるための分光感度調整手段を設けたことを特徴とする。この分光感度調整手段としては、カラーフィルタないし偏光フィルタを使用することができる。 （もっと読む）

【課題】 表示領域内に複数個のTFT素子がマトリクス状に配置された表示装置の画質むらを低減する。
【解決手段】 表示領域内に複数個のTFT素子がマトリクス状に配置された表示パネルを有する表示装置であって、前記TFT素子は、半導体層と、前記半導体層と層間絶縁膜を介して設けられ、かつ、前記半導体層と交差するゲート電極とを有し、前記表示領域内のある箇所に配置された第１のTFT素子は、半導体層の幅が、前記表示領域内の前記ある箇所とは別の箇所に配置された第２のTFT素子の半導体層の幅よりも広く、かつ、前記第１のTFT素子の層間絶縁膜の膜厚が前記第２のTFT素子の層間絶縁膜の膜厚よりも薄く、前記第１のTFT素子のゲート電極の幅は、前記第２のTFT素子のゲート電極の幅よりも狭い表示装置。 （もっと読む）

【課題】環状のゲート電極を有するＴＦＴを備える場合に、小型化を図ることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】シリコン層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とが基板上にこの順に配置された構造を有し、かつ導電型の異なる第１薄膜トランジスタ及び第２薄膜トランジスタを備える半導体装置であって、上記ゲート電極は、平面形状が環状であり、上記シリコン層は、ゲート電極と対向するチャネル領域と、上記チャネル領域の内側に配置された内側拡散領域と、上記チャネル領域の外側に配置された外側拡散領域とを有し、上記第１及び第２薄膜トランジスタは、互いに外側拡散領域が結合されている半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】比較的低温で作製でき、屈曲性のある樹脂基板上にも形成可能な半導体薄膜であって、可視光に対して安定で、かつ、トランジスタ特性などの素子特性が高く、表示装置を駆動するスイッチング素子として用いた際に、画素部と重なっても表示パネルの輝度を低下させない半導体薄膜、及びそのような半導体薄膜の製造方法、並びにそのような半導体薄膜を用いた、電界効果移動度とｏｎ−ｏｆｆ比が高いとともに、漏れ電流の発生などの照射光による影響を小さくして、素子特性を向上させた薄膜トランジスタ、そのような薄膜トランジスタを適用したアクティブマトリックス駆動表示パネルを提供する。
【解決手段】キャリア密度が１０^＋１７ｃｍ^−３以下、ホール移動度が２ｃｍ^２／Ｖ・ｓｅｃ以上、エネルギーバンドギャップが２．４ＥＶ以上となるように、酸化亜鉛と酸化インジウムを含有する非晶質膜を成膜した後に、酸化処理して透明半導体薄膜４０を形成する。 （もっと読む）

【課題】 連続発振レーザを用いた高品質多結晶シリコン（帯状結晶）層の形成における凝集の発生を抑制して得られた高品質で均質な高品質多結晶シリコン（帯状結晶）層に薄膜トランジスタ等を作り込むことで歩留まりを向上した表示装置を提供する。
【解決手段】 ガラス基板１０１の上に窒化シリコン膜１０２と酸化シリコン膜１０３からなる下地膜上に成膜した非晶質または多結晶の半導体膜（シリコン基膜）１０４の表面に、膜厚が１．６ｎｍ以上のキャップ層３０１を形成するキャップ層形成工程と、キャップ層３０１を介して前記半導体膜１０４に連続発振レーザ１０５を照射しながら走査することにより、半導体膜１０４に帯状結晶を形成する帯状結晶形成工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液晶表示装置に係り、特に、駆動回路一体型の液晶表示装置用アレイ基板とその製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、特に、第１マスク工程によって、駆動回路部と画素領域に構成するｐ型及びｎ型の第１薄膜トランジスタ及び第２薄膜トランジスタの半導体層を形成して、半導体層と補助電極が積層された第１ストレージ電極を形成する。また、第２マスク工程及び第３マスク工程によって、ｐ型及びｎ型の薄膜トランジスタのゲート電極を形成して、前記各薄膜トランジスタの多結晶半導体層にｐ＋イオンと、ｎ＋イオンのドーピング工程及びｎ-イオンのドーピング工程を行い、第２ストレージ電極を形成する。さらに、前記各多結晶薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極と画素電極を単一マスク工程によって形成する。 （もっと読む）