【課題】フォトセンサ素子の感度を向上可能する。
【解決手段】ｎ層４７ｎとｉ層４７ｉとｐ層４７ｐとのそれぞれを液晶パネル２００の面の法線方向ｚにおいて、順次、積層することで、フォトセンサ素子３２を形成する。ここでは、ポリシリコンよりも光吸収係数が高い微結晶シリコンによって、ｉ層４７ｉを形成する。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置における受光素子の受光効率を向上させて、表示画像の輝度を適切に設定する。
【解決手段】電気光学装置（１００）は、基板（１０）と、該基板上の画素領域（１０ａ）にマトリクス状に配列された複数の画素部（９）と、画素領域の周辺に位置する周辺領域に配置され、相互に平面的に重ならないＰ型半導体領域（２１０ｐ）、イントリンシック領域（２１０ｉ）及びＮ型半導体領域（２１０ｎ）を含む受光素子（２１０）と、該受光素子の光が入射する側に積層された導電部（２２０）と、該導電部を覆うように積層されると共に、イントリンシック領域の少なくとも一部に対応する開口部（４３ａ）を有する絶縁膜部（４３）とを備える。基板上で平面的に見て、前記開口部内に位置する領域は、前記導電部が配置されていない部分を有する。 （もっと読む）

【課題】極性の偏りに起因するＴＦＴの特性劣化が少なく、しかも光量に対して線形特性
を持った出力特性が得られ、光検出精度を向上させた光量検出回路を提供すること。
【解決手段】本発明の光量検出回路は、ＴＦＴのゲート電極に逆バイアス電圧が印加され
ている時に流れる電流を利用して外光の光量を検出する光検知部を備える光量検出回路に
おいて、前記光検知部は、ゲートバイアス制御手段により、前記ＴＦＴのゲート電極に印
加する電圧Ｇｖを、外光を検知する際に印加する第１の逆バイアス電圧Ｇｖ０から、正バ
イアス電圧Ｇｖｏｎに変えた後、前記第１の逆バイアス電圧Ｇｖ０よりもさらに低い第２
の逆バイアス電圧Ｇｖｏｆｆに変え、その後に前記第１の逆バイアス電圧Ｇｖ０に戻した
後に流れる電流による出力を外光の光量として出力することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大型基板上に多結晶シリコン(ポリシリコン)ＴＦＴを形成するために、基板上に形成した非晶質シリコン(アモルファスシリコン)膜をレーザ光で結晶化するプロセスにおいて、基板全面にわたり均一で大粒径の多結晶シリコンを容易に作成する。
【解決手段】基板上に形成した非晶質シリコン膜の平均膜厚を計測(ステップ201)し、この非晶質シリコン膜にレーザ光を照射(ステップ101)し、この照射で結晶化した多結晶シリコン膜の粒径分布を計測(ステップ102)し、多結晶シリコン膜の２つの点Ａ,Ｂにおける粒径の測定値(ステップ103〜105)から、適正なレーザ光照射エネルギー密度値を算出(ステップ106〜108)し、次の非晶質シリコン膜の平均膜厚を計測(ステップ110,201)し、この平均膜厚と１つ前の非晶質シリコン膜の平均膜厚とから照射するエネルギー密度値を算出(ステップ203,204)し、このエネルギー密度値をレーザ光照射系にフィードバック(ステップ109)する。 （もっと読む）

【課題】可視光及び非可視光を同時に好適に生成できる表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置５は、表示パネル９と、表示パネル９を背面から照明するための可視光ＶＬ０を生成するバックライト１１と、バックライト１１の生成した可視光ＶＬ０の一部を非可視光ＩＬ１に変換して出射する変換部５１と、変換部５１から出射されて表示パネル９を背面側から透過し、表示パネル９の前方の被検出物により反射された非可視光ＩＬ１を検出可能な光電センサ４８とを有する。 （もっと読む）

【課題】部品の組立及び取り外しの簡便性に優れたものとすることができ、量産性を向上させるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】電極はセラミック層により包囲され、ベース部の下層に設けられた第１と第２の導電性部材によって、突き上げ機構の基板を昇降させる突き上げピンの昇降空間と、伝熱ガスを基板保持台に設けられた複数の穴に供給するガス溜まり空間とを包囲し、かつ、第１と第２の導電性部材を接地することで解決できる。 （もっと読む）

【課題】感度補正機能を備え、かつ簡便な工程で製造することができる光量検出装置を有する表示装置を提供すること。
【解決手段】基板上に、表示領域と、第１、第２の光検出部１０ａ，１０ｂで検出した光量を光量信号Ｓとして出力する表示装置であって、第１の光検出部１０ａは、第１の出力信号Ｓａを光センサ読み取り部２０に出力する第１の光検出回路ＬＳ１と、減光手段を備え、第２の光検出部１０ｂは、第２の出力信号Ｓｂを光センサ読み取り部２０に出力する第２の光検出回路ＬＳ２とを有し、光センサ読み取り部２０は、光劣化補正係数Ｋを演算する劣化係数演算部２１と、光劣化補正係数Ｋに基づいて、光劣化率Ｄを導出する光劣化率演算部２２と、光劣化率Ｄに基づいて光量信号Ｓを出力する光信号出力部２４と、を備えていることを特徴とする表示装置とした。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を基板上に実装することを利用して、半導体装置に電気的に接続され
る基板上の配線状態を簡略化あるいは多様化できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置としてのＩＣチップ４１は、内部回路を含んだ基材２と、基材２
の能動面３側に突出して設けられた樹脂突部７ａ，７ｂと、樹脂突部７ａ，７ｂ上に設け
られた島状の導電膜８ａ，８ｂを含んでなる複数の端子６ａ，６ｂとを有する。複数の端
子６ａ，６ｂは、内部回路と導通した端子を含み、複数の端子６ａのうちの少なくとも２
つの端子を接続する再配線１１が能動面３側に形成されている。ＩＣチップ４１は第１基
板４２に実装され、第２基板４３が第１基板４２に接続される。第２基板４３上にはクロ
ス配線又は飛び越し配線は無いが、ＩＣチップ４１の再配線１１とこれに繋がる端子６ａ
とにより、２番の配線４６と４番の配線４６とが電気的に接続された状態となっている。 （もっと読む）

【課題】デジタルアナログ変換回路を備える液晶表示装置において、基板サイズの増大を抑え、基板温度の不均一性を抑えるとともに、有効表示領域の周囲の良好な黒表示を実現すること。
【解決手段】液晶表示装置は、液晶を含む画素１０が複数配置された表示領域２７、２８と、入力されたデジタル信号を画素１０を駆動するためのアナログ信号に変換する複数のデジタルアナログ変換回路１６と、を有するアクティブマトリクス基板２２と、開口部を有する遮光板２６と、を備える。表示領域２７、２８は、有効表示領域２７と、有効表示領域１７の周囲に配置された黒表示領域２８と、を有する。前記開口部の外縁は、黒表示領域１８に位置している。複数のデジタルアナログ変換回路１６は、前記開口部の外側に位置する黒表示領域１８の画素１０に重なる位置であって、有効表示領域１７を挟んで対向する位置にそれぞれ配置されている。 （もっと読む）

【課題】シリコン薄膜を受光部とした構成の光センサーを用いた場合であっても、外部環境や表示画像の状態に影響されることなく常に感度良好な光検知によって表示面側の対象物を検出することが可能なタッチパネル機能付きの表示装置を提供する。
【解決手段】画素駆動用の薄膜トランジスタＴｒと共に光センサーＳが設けられた第１基板２１と、第１基板２１に対向配置された第２基板４１と、第１基板２１と第２基板４１との間に狭持された液晶層ＬＣと、第１基板２１の外側に設けられたバックライト５とを有し、バックライト５からの光を第２基板４１側に接近して配置された物体に反射させて光センサーＳで検出する機能を備えた表示装置１ａにおいて、バックライト５は、可視光と共に紫外光を射出することを特徴としている。 （もっと読む）