【課題】光の照射及び電圧の印加に応じて階調を変化させる表示媒体に、階調を変化させるべき位置のいずれに対しても、あらかじめ決められた量以上のエネルギー量の光を照射できるようにすること。
【解決手段】記録装置１０は、光の照射及び電圧の印加に応じて階調を変化させる表示媒体２００に対して画像を記録する。記録装置１０は、指示体３０により指示された位置のそれぞれに対して、照射される光のエネルギー量があらかじめ決められた量以上になる場合と、検知が行われなくなる場合の少なくともいずれかを満たすまで光を照射する。記録装置１０は、第１の期間に位置が連続的に検知され、かつ、第１の期間後であって第１の期間に連続しない第２の期間に位置が連続的に検知された場合に、第１の期間に検知された位置のうちのエネルギー量があらかじめ決められた量に満たない位置に対して第２の期間に光を照射させる。 （もっと読む）

【課題】高価な機材である真空チャンバーを用いることなくキャリア移動度の高いポリシリコン膜を製造する。
【解決手段】ポリシリコン膜の製造方法において、少なくともシリコン粒子を分散させた液体を基板に塗付する工程と、塗布した液体を乾燥させてシリコン膜を形成する工程と、シリコン膜をポリシリコン膜にするための熱アニール処理工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】被検出物が表示パネルに非接触の場合でも、被検出物の位置及び動きの検出を行うことを可能とする表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、フォトセンサ及び酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタが配置された表示パネルを有し、被対象物が表示パネルに接近する際に、被検出物が外光を遮ることで表示パネルに投影される被検出物の影がフォトセンサによって検出される。影の位置又は動きを検出することで、被検出物の位置又は動きが検出され、被検出物が表示パネルに非接触の場合でも検出可能となる。 （もっと読む）

液晶デバイスは、例えばタッチスクリーンを形成するディスプレイとセンサとの組み合わせの形態で、与えられる。上記デバイスは、例えばアクティブマトリクス型の、センサ回路アレイを含む。各センサ回路は、ソースフォロワとして設定されるトランジスタＭ１に接続される液晶検知コンデンサＣＶを含む。電圧依存性コンデンサの形式のセンサ選択コンデンサＣ１は、トランジスタＭ１と行選択線ＲＷＳとの間に接続される。電圧依存性コンデンサＣ１の容量は、Ｃ１に係る電圧に依存し、小さな電圧に対しては大きな値を、大きな電圧に対しては小さな値を有する。
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【課題】光を照射して表示媒体に対して画像を記録するときに、その画像を記録する光以外の光による画像のコントラスト低下を抑制すること。
【解決手段】本発明の実施形態に係る記録装置１００およびプロジェクタ３００を用いて電子ペーパ２００に画像を記録するときには、電子ペーパ２００に照射されている外光４２０の光量を電子ペーパ２００のインピーダンスの変化から算出する。そして、算出した光量に応じて電子ペーパ２００に印加される記録電圧の周波数を変更する。これにより、外光４２０が電子ペーパ２００に照射されている状態でプロジェクタ３００の記録光４１０により画像の記録を行っても、外光４２０の影響による反射率の変化は抑えられ、記録された画像のコントラストの低下が抑制される。 （もっと読む）

【課題】特に２次元状に配された光センサを有してなる光センサ装置において、ＴＦＴの経時劣化や温度変化による影響を良好に補正できる光センサ装置及びそれを備える表示装置を提供すること。
【解決手段】ＴＦＴセンサＴ０、Ｔ１を２次元状に配置し、センサドライバ２０により分割エリア１１毎にＴＦＴセンサＴ０、Ｔ１の対を選択してＴＦＴセンサＴ１からのドレイン電流の取り込みを行う。ＴＦＴセンサＴ１からドレイン電流を取り込む際には、このＴＦＴセンサＴ１の各電極の電圧とこのＴＦＴセンサＴ１と対をなすＴＦＴセンサＴ０の各電極の電圧とを等電圧とした状態で取り込みを行うことにより、ＴＦＴセンサＴ１の経時劣化や温度変化による影響を補正する。 （もっと読む）

【課題】単チャンネル薄膜トランジスタのみを使用する表示パネルにおいて、画素に光センサを組み込む場合に、光センサとしてＰＩＮ型ホトダイオードを使用せずに、コストを低減する。
【解決手段】複数の画素を有する表示パネルを有し、複数の画素の中の少なくとも１つの画素は光センサを有する表示装置であって、前記光センサは、受光部と、容量素子とを有し、前記受光部の前記表示パネルの観察者側と反対に、自表示パネルから発光する光を遮光する遮光膜を有し、前記受光部は、ｎ型の薄膜トランジスタで構成され、Ｖｇ、Ｖｓ、Ｖｔｈを、それぞれ前記薄膜トランジスタのゲート電圧、ソース電圧、しきい値電圧とするとき、センサ受光期間内に、前記薄膜トランジスタのゲートに、Ｖｇ≦（Ｖｔｈ−２．０Ｖ＋Ｖｓ）の逆バイアス電圧を入力し、前記センサ受光期間内に前記薄膜トランジスタを流れる電流により充電された前記容量素子の電圧を、前記光センサの出力として取り出す。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置と光センサとを備えた電気光学装置において、回路規模の増大や開
口率の低下を招くことなく、外光および表示すべき映像が暗くても、画面と指示物との接
触や近接を検出可能とする。
【解決手段】電気光学装置５００は、液晶素子ＬＣとこれを照らすバックライト２とを有
し、バックライト２から発して液晶素子ＬＣを透過した光を画面から出射させて画面に画
像を表示する液晶表示装置と、液晶表示装置の画面から入射した光を受光し、受光した光
の強度を検出するセンシング単位回路ＵＢとを備え、センシング単位回路ＵＢに検出され
た強度に基づいて、指示物で指示された位置を検出する。さらに、電気光学装置５００は
、表示単位回路ＵＡに、水平有効走査期間では映像データに応じた階調を、水平帰線期間
では最高輝度の階調を表示させる。 （もっと読む）

【課題】画素マトリクス、イメージセンサ、及びそれらを駆動するための周辺回路を有する、すなわち、撮像機能と表示機能とを兼ね備え、インテリジェント化された新規な半導体装置を用いた表示装置を提供する。
【解決手段】第１の基板と、第１の基板表面上の表示部及びセンサ部と、第１の基板表面に対向する第２の基板と、第１の基板と第２の基板を貼り合わせるシール材と、第１の基板と第２の基板の間の液晶材料と、を有し、第１の基板の裏面には、カラーフィルターと、光学系と、光学系を取り付ける支持台とが設けられる。 （もっと読む）

【課題】画素信号による物体検出の精度低下を防止または抑止する。
【解決手段】液晶層は印加電圧に応じて表示を画素ごとに変化させる。複数の駆動電極は、一方向に分離して配置され、一方向に沿った画素配列で表示を行う１Ｈ期間中は一定の共通電圧Ｖｃｏｍが印加され、これが検出走査時に異なる電位に変化して検出駆動信号が付与される。複数のソース線ＳＬは、Ｖｃｏｍとの電位差で印加電圧を液晶層に付与するための画素信号が印加される。複数のセンサ線ＳＮＬは、一方向と異なる方向に分離して配置され、複数の駆動電極の各々と静電容量で結合し、検出駆動信号に応答して検出電位が発生し、検出電位が被検出物の近接にともなって変化する。表示制御回路２００、ソースドライバ３００およびゲートドライバ４００は、１Ｈ期間中に、複数の画素信号に対し極性が異なる画素信号を含む制御を行う。 （もっと読む）