【課題】イオンの照射に起因する問題を解決した、良好な特性が得られる半導体基板を提供することを課題とする。
【解決手段】単結晶半導体基板の表面から所定の深さに損傷領域を形成し、単結晶半導体基板の表面をプラズマ処理し、プラズマ処理された単結晶半導体基板の表面に、絶縁層を形成し、絶縁層を介して、単結晶半導体基板を、絶縁表面を有する基板に貼り合わせ、単結晶半導体基板を、損傷領域で分離して、絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を形成する。これにより、単結晶半導体層と絶縁層との界面における欠陥を低減した半導体基板を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 複数のトランジスタをカスケード接続した回路において、トランジスタの特性を保持できる半導体集積回路を提供する。
【解決手段】 インバータ回路１は、直列に接続されたＰ型ＭＯＳトランジスタ１０，１１と２個のＮ型ＭＯＳトランジスタ１２，１３とを有する。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ１０が高電位電源Ｖ_Ｈに接続され、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ１３が低電位電源Ｖ_Ｌに接続されている。各ＭＯＳトランジスタ１０〜１３のゲートは入力信号線１９に接続されている。また、インバータ回路１は、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ１０，１１の接続点１４と入力信号線１９とを接続するＰ型ＭＯＳトランジスタ１７と、Ｎ型トランジスタ１２，１３の接続点１５と入力信号線１９とを接続するＮ型ＭＯＳトランジスタ１８とを有している。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ１７およびＮ型ＭＯＳトランジスタ１８のゲートは、インバータ回路１の出力信号線２０に接続されている。 （もっと読む）

【課題】出力特性のばらつきが抑制されたフォトダイオード、表示装置、及び表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数のアクティブ素子が形成されたアクティブマトリクス基板１と、フォトダイオード１０とを有する表示装置を用いる。フォトダイオード１０は、第１導電型の第１の半導体領域（ｐ層６）と、真性半導体領域（ｉ層７）と、第１導電型の第２の半導体領域（ｐ層８）と、導電型が第１導電型の逆となった第２導電型の第３の半導体領域（ｎ層９）とが設けられたシリコン膜１１を備えている。シリコン膜１１は、アクティブマトリクス基板のベース基板（ガラス基板４）上に設けられている。第１の半導体領域（ｐ層６）、真性半導体領域（ｉ層７）、第２の半導体領域（ｐ層８）、及び第３の半導体領域（ｎ層９）は、シリコン膜１１の面方向に沿って、順に一列に配置されている。 （もっと読む）

【課題】製造を容易にし、製造コストを抑え、開口率を大きくすることができる透過率制御用液晶パネル及び液晶表示装置の提供。
【解決手段】コントラスト比を高めるためにバックライト上に表示デバイスと透過率制御用液晶パネル１１０とを積層する構造において、光の出射側である透過率制御用液晶パネル１１０には、格子状信号配線１１５と、表示デバイスから出射する光量に応じて抵抗値が変化する光受動素子１１１ａと、光受動素子１１１ａに接続される透明電極１１６とを設け、光量が大きいときには高い透過率、光量が小さいときには低い透過率となる構造を設ける。これにより、透過率制御用液晶パネル１１０は表示デバイスに対し空間的な位置関係を制御する必要がなく、また、映像信号の加工、入力が不要であり、走査タイミング等の同期も必要とせず、単純な画素構造でコントラスト比の向上を達成できる。 （もっと読む）

【課題】回路面積を小さくすることが可能な薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、及び表示装置を提供すること
【解決手段】本発明にかかる薄膜トランジスタアレイ基板は、基板１上に形成された第１導電型の半導体層３１及び第２導電型の半導体層３２と、半導体層３１のドレイン領域３１１と半導体層３２のドレイン領域３２２とを接続する導電性の接続パターン４と、半導体層３１、３２、及び接続パターン４を覆うように形成されたゲート絶縁膜５と、ゲート絶縁膜５を介してチャネル領域３１３、３２３の対面に配置されるゲート電極６１、６２と、ゲート電極６１、６２を覆うように形成された層間絶縁膜７と、層間絶縁膜７及びゲート絶縁膜５を貫通するコンタクトホール８ａを介して接続パターン４と接続する信号配線９ａと、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】装置構成を複雑化することなく、正確なタッチ判定を行うことを可能とした電気光学装置及びその製造方法、電子機器を提供する。
【解決手段】周囲の外光を受光する受光素子３０を備えてなる液晶表示装置１であって、素子基板１１上に設けられるゲート絶縁膜３３及び第１層間絶縁膜３４に受光素子３０を収容する貫通孔５１が設けられ、貫通孔５１の少なくとも内側壁が遮光性を有している。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に用いることができる多結晶半導体膜を、非晶質半導体膜にフェムト秒レーザを照射して結晶化することにより作製する方法に関する。
【解決手段】フェムト秒レーザを使用してレーザ結晶化を行うことにより、キャップ膜を上面に成膜した非晶質半導体膜をレーザ結晶化する際に、半導体膜の結晶化とキャップ膜の除去とを同時に行うことが可能となる。そのため、後工程のキャップ膜除去の工程を削減することができる。 （もっと読む）

【課題】電気特性の信頼性を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】ＬＣＤドライバＩＣ１４（半導体装置）は、トランジスタ素子３１と、ＳＴＩ分離層３２と、ＬＯＣＯＳ分離層３３と、抵抗素子３４とを有する。ＬＯＣＯＳ分離層３３は、ＳＴＩ分離層３２と共に、トランジスタ素子３１を電気的に分離するために用いられる。ＬＯＣＯＳ分離層３３上には、電気抵抗を得るために用いられる抵抗素子３４が、ゲート絶縁膜３７を介して形成されている。抵抗素子３４は、例えば、ポリシリコン膜である。抵抗素子３４は、例えば、層間絶縁膜４２に形成されたコンタクトプラグ及び金属配線層を介して高電圧端子３９（＋１５Ｖ）と接続されている。 （もっと読む）

【課題】電気特性の信頼性を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】ＬＣＤドライバＩＣ１４（半導体装置）は、トランジスタ素子３１と、第１ＳＴＩ分離層３２と、第２ＳＴＩ分離層３３と、絶縁膜４１と、抵抗素子３４とを有する。第２ＳＴＩ分離層３３は、第１ＳＴＩ分離層３２と共に、トランジスタ素子３１を電気的に分離するために用いられる。第２ＳＴＩ分離層３３上には、電気抵抗を得るために用いられる抵抗素子３４が、絶縁膜４１を介して形成されている。絶縁膜４１は、製造過程において第２ＳＴＩ分離層３３に欠陥が生じた場合であっても、抵抗素子３４に印加された電圧に対して耐圧を確保することが可能に形成されている。抵抗素子３４は、例えば、ポリシリコン膜であり、層間絶縁膜４２に形成されたコンタクトプラグ及び金属配線層を介して高電圧端子３９（＋１５Ｖ）と接続されている。 （もっと読む）

【課題】高品質な画像を表示可能な電気光学装置を製造する。
【解決手段】電気光学装置の製造方法は、基板（１０）上に下地絶縁膜（１２）を形成する工程と、下地絶縁膜上に半導体膜（１ａａ）を形成する工程と、半導体膜に対してエッチング処理を施すことにより、半導体膜を所定パターンにパターニングすることで、トランジスタ（３０）を構成する半導体層（１ａ）を形成すると共に、このエッチング処理を下地絶縁膜に対しても施すことにより、下地絶縁膜の上側表面に凹部（８１０）を形成する工程と、トランジスタを構成するゲート電極（３ｂ）を、半導体層上におけるチャネル領域（１ａ’）に重なる本体部（３ｂ１）及びこの本体部から凹部内の少なくとも一部に延設された延設部（３ｂ２）を有するように形成する工程とを含む。 （もっと読む）