【課題】高精細化による表示品質の向上と、配線や回路を効率よく配置して額縁サイズを低減することが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】スイッチ回路を構成する薄膜トランジスタの活性層をソース電極とドレイン電極にコンタクトホールによって接続する。その際、コンタクトホールが形成される領域の電極の幅を、コンタクトホールが形成されていない領域の電極幅より大きく形成する。隣接するスイッチ回路の薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極同士を、幅の広い領域と狭い領域が向き合うように、かつ幅の広い領域が延在方向から見て重なるように配置する。 （もっと読む）

【課題】本発明はマルチバンドギャップを備えるナノ結晶シリコン光電池を提供する。
【解決手段】本発明は光電池に関する。一つの実施例において、前記光電池は、第１導電層と、前記第１導電層上に形成されるＮ型ドープ半導体層と、前記Ｎ型ドープ半導体層上に形成される第１シリコン層と、前記第１シリコン層上に形成されるナノ結晶シリコン（ｎｃ−Ｓｉ）層と、前記ナノ結晶シリコン層上に形成される第２シリコン層と、前記第２シリコン層上に形成されるＰ型ドープ半導体層、及び前記Ｐ型ドープ半導体層上に形成される第２導電層とを備える。第１シリコン層と第２シリコン層の一方がアモルファスシリコンにより形成され、もう一方が多結晶シリコンにより形成される。 （もっと読む）

【課題】 ハンプ特性を低減し、回路の低消費電力化等を実現することが可能な薄膜トランジスタ及び表示装置を提供する。
【解決手段】 画素領域と周辺回路領域とを有する表示装置の周辺回路領域に形成される薄膜トランジスタである。チャネルを構成する多結晶シリコン薄膜１３のゲート幅方向両端部において、ゲート電極１５のゲート長が拡大され突出部１５Ａが形成されている。薄膜トランジスタのゲート長は２μｍ以下であり、ゲート幅は１０μｍ以上である。突出部１５Ａの突出長は２μｍ以上であり、突出幅は０．５μｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜におけるリーク電流が抑止され、高い絶縁膜容量が得られ、低ゲート電圧で動作可能な有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】
基板１１上に、ゲート電極１８、ゲート絶縁膜１７、有機半導体膜１６、ドレイン電極１４、及びソース電極１５を備える有機薄膜トランジスタである。ゲート絶縁膜１７は、低誘電体膜１７ａと高誘電体膜１７ｂの二層構造を有し、低誘電体膜１７ａは高誘電体膜１７ｂと有機半導体膜１６との間に介装されているとともに、低誘電体膜１７ａは非共有電子対を有する官能基を持たず且つ分子構造内にπ電子結合を持たない有機高分子化合物を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】開口率の高いタッチセンス機能付きアクティブマトリクスディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】各列に設けられたソース線（ＳＬ）と各行に設けられたゲート線（ＧＬ１、ＧＬ２）の交差部に、前記ソース線にソースが接続され、前記ゲート線にゲートが接続された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ１１、ＴＦＴ２１）のドレインと共通電極線（ＣＥ）の間に液晶素子を備えた画素セル（ＰＸ）がマトリクス状に配置された画素部と、同一列の２つの隣接画素セル間に、前記隣接画素セルの各ゲート線にそれぞれゲートが接続され、直列接続された２つのタッチセンス用トランジスタ（ＴＦＴ２２、ＴＦＴ１２）および前記２つの隣接画素セル行で共用される機械的スイッチ（Ｓ）が当該列のソース線と共通電極線の間に接続されたタッチセンススイッチ部（ＳＷ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】外部接続用の電極に接続される信号線の配置領域の面積を小さくしてより一層の低コスト化を図る液晶駆動装置等を提供する。
【解決手段】互いに交差する第１及び第２の電極を有する液晶表示装置を駆動する液晶駆動装置は、基板と、前記基板に形成され、前記第１及び第２の電極に出力する第１及び第２の駆動信号を生成する駆動信号生成部と、前記基板の縁部に沿って設けられたＩ／Ｏセル領域に隣接して配置され、前記第１及び第２の駆動信号を前記第１及び第２の電極に出力する第１及び第２のＩ／Ｏセルと、前記駆動信号生成部によって生成された前記第１及び第２の駆動信号がそれぞれ伝送される第１及び第２の信号線とを含み、前記第１及び第２のＩ／Ｏセルが同一の構成を有し、前記第１及び第２の信号線が、前記第１及び第２のＩ／Ｏセルの出力トランジスタのアクティブ領域上に配置される。 （もっと読む）

【課題】対象物の検出用の容量素子における容量値の制約を緩和する。
【解決手段】表示装置１００は、相対向する第１基板１０および第２基板２０の間隙に封止された液晶５８を具備する。検出部６０は、検出用容量素子６２の容量値ｃXに応じた検出信号Ｓを出力する。検出用容量素子６２は、第１基板１０のうち第２基板２０との対向面上に形成された電極７２と電極７４と両電極間の電圧が印加される液晶５８とで構成される。電極７２および電極７４が形成された第１基板１０の表面は配向膜８０で覆われる。電極７２は、Ｘ方向に各々が延在するとともにＸ方向に交差するＹ方向に間隔をあけて並置された複数の延在部７２２を含む櫛歯状に形成される。配向膜８０には、延在部７２２が延在するＸ方向に沿ってラビング処理が施されている。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が存在する単結晶半導体基板を用いる場合においても優れた特性のＳＯＩ基板を提供することを目的の一とする。また、このようなＳＯＩ基板を用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板の一表面に、エピタキシャル成長法による単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層に第１の熱酸化処理を施して第１の酸化膜を形成し、第１の酸化膜の表面に対してイオンを照射することにより、単結晶半導体層にイオンを導入し、第１の酸化膜を介して、単結晶半導体層とベース基板を貼り合わせ、熱処理を施すことにより、イオンが導入された領域において単結晶半導体層を分離して、ベース基板上に単結晶半導体層の一部を残存させ、ベース基板上に残存した単結晶半導体層に対してレーザ光を照射し、ベース基板上に残存した単結晶半導体層に第２の熱酸化処理を施して第２の酸化膜を形成した後、該第２の酸化膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ技術で形成された単結晶シリコン薄膜から応力に起因する準位や欠陥を除去するための方法を提供する。
【解決手段】まずＳｍａｒｔ−ＣｕｔやＥＬＴＲＡＮといった代表的な貼り合わせＳＯＩ技術を用いて単結晶シリコン薄膜１０６を形成する。次に単結晶シリコン薄膜１０６をパターニングして島状シリコン層１０８とした後、ハロゲン元素を含む酸化性雰囲気中で熱酸化処理を行うことで、トラップ準位や欠陥の除去された島状シリコン層１０９を得る。 （もっと読む）

【課題】受光素子での受光効率を向上させて、出力信号のＳ／Ｎ比が高い画像取り込みが可能な液晶表示素子、およびこれを用いた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】前面基板２と背面基板３に挟持された液晶層４を有し、背面基板３上に設けられた下地層４１の上に設けられた受光素子７と、受光素子７上に設けられた絶縁層６の上に設けられた画素電極２７とを備え、前面基板２側から平面視したときに、受光素子７の受光領域５２の周囲の少なくとも一部に、前面基板２を透過して入射する外光１３を受光領域５２に向けて反射する反射膜３４が形成されている。 （もっと読む）