【構成】 iso-プロペニルオキシカルボニル基と、該iso-プロペニルオキシカルボニル基と反応しうる官能基とを有する化合物と、光照射または電離放射線照射により酸を発生する化合物とからなるパターン形成材料を被処理基板上に塗布した後に乾燥し、次いで、iso-プロペニルオキシカルボニル基と、該iso-プロペニルオキシカルボニル基と反応しうる官能基とが反応しうる温度に加熱して架橋型レジスト膜を作り、該レジスト膜に光または電離放射線をパターン状に照射した後に、アルカリ性水溶液で現像することを特徴としている。
【効果】 本発明によれば、高コントラスト・高感度でポジ型レジストを形成することが可能になる。 （もっと読む）

【構成】 水溶性膜形成成分とプロトン発生物質とを含有して成る化学増幅型レジスト用塗布液組成物である。
【効果】 リソグラフィー処理における干渉を防止するとともに、プロトンを補給する効果を有し、断面形状に優れたパターンを与えることができる。 （もっと読む）

【構成】 式(Ｉ)または(II)：
【化１】


（式中、ｘは２〜３００の整数である）を有するヒドロキシスチレン部分と、式(III)：
【化２】


（式中、Ｒ₁及びＲ₂は１〜４の炭素原子を有する低級アルキル基、１〜４の炭素原子を有する低級アルコキシ基、アミノ基及びカルボン酸基から成る群から独立に選ばれ、そしてＲ₃及びＲ₄は水素、１〜４の炭素原子を有する低級アルキル基、１〜４の炭素原子を有する低級アルコキシ基、アミノ基及びカルボキシル基から成る群から独立に選ばれる）を有するモノメチロール化フェノール性化合物との、ヒドロキシスチレン部分対モノメチロール化フェノール性化合物のモル比が約１：１０〜約１０：１である縮合反応によって製造されるアルカリ可溶性バインダー樹脂。
【効果】 このアルカリ可溶性バインダー樹脂は、狭い分子量分布を有し、未露光部分と露光部分との溶解速度の明瞭な区別などのフォトレジスト組成物としてのすぐれた特徴を有する。 （もっと読む）

【目的】 優れた感光性を有する化学増幅型レジスト組成物を提供する。
【構成】 式（Ｉ）


〔Ｒ¹ 、Ｒ² ；置換もしくは非置換のアミノフェニル、９−ジュロリジル、Ｙ＝ＣＨ−（Ｙ；置換もしくは非置換の含窒素複素環基）または

（Ｚ¹ 、Ｚ² ；置換もしくは非置換のフェニル）〕で表わされるスクアリリウム化合物と光酸発生剤とバインダーとを含有する化学増幅型レジスト組成物。 （もっと読む）

【目的】 感度、耐熱性及びプロファイル等の諸性能のバランスに優れ、且つスカムのないポジ型レジスト組成物を提供する。
【構成】一般式（Ｉ）
【化１】


（式中、Ｒ₁ 〜Ｒ₃ は各々独立して水素原子又は炭素数１〜４のアルキルもしくはアルコキシ基を表わし、ｋは１又は２である。）で示されるフェノール類の１種もしくは２種以上、一般式（ＩＩ）
【化２】


（式中、Ｒ₄ は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又はフェニル基を表わし、Ｒ₅ 〜Ｒ₇ は各々独立して水素原子又は炭素数１〜４のアルキルもしくはアルコキシ基を表わし、ｎは１又は２である。）で示される化合物の１種もしくは２種以上及びアルデヒド類を縮合させて得られる樹脂（Ａ）を含むアルカリ可溶性樹脂並びにキノンジアジド化合物を含有してなるポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【目的】 本発明はフェノール単位と環式アルコール単位とのポリマー結合剤を有する放射線感光性組成物を提供する。
【構成】 ポリマーのフェノール単位及び／又は環式アルコール単位の少なくとも一部は酸レイビル基に結合している。結合剤を酸レイビル基に並程度に置換するだけで、露光領域と非露光領域との間に高い溶解度の差が得られる。 （もっと読む）

【構成】 （1)下記一般式（Ｉ）で示されるジアゾニウム塩とアルカリ可溶性ポリマーとを含有することを特徴とするポジ型感光性組成物。
【化１】


式中、Ｒ¹ は炭素数３〜１８のアルキル基又は置換アルキル基を示し、Ｒ² は水素原子、アルキル基、置換アルキル基、アリール基、置換アリール基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、フェノキシ基、置換フェノキシ基又はハロゲン原子を示す。Ａは有機基をＸ^- は対アニオンを示す。ｎは１〜４の整数、ｍは１〜３の整数を示し、ｎ＋ｍ＝４である。
【効果】 高い感光性を有し、鮮明な画像形成が可能である。 （もっと読む）

【構成】下記式（１）で表されるヒドロキシメチル化合物を下記式（２）を構成単位に含むポリマ−と縮合させることにより得られる縮合樹脂及びこれを含有する感放射線性樹脂組成物。
【化１】


（式（１）中Ｒ₁ は炭素数１から４のアルキル基を、又式（２）中Ｒ₂ は水素又はメチル基をそれぞれ示す）
【効果】本発明の縮合樹脂及びこれを含有する感放射線性樹脂組成物は、遠紫外部に高透過率を有し、遠紫外線リソグラフィを利用する半導体集積回路の製造に極めて有用である。 （もっと読む）