【課題】ＭＲ比の低下や再生分解能の劣化を発生させることなく、スピントランスファトルクに起因する磁気ノイズを抑制する。
【解決手段】本発明は、第１磁気シールド７２ａと、第２磁気シールド７２ｂと、第１磁気シールド７２ａと、第２磁気シールド７２ｂと、の間に設けられ、外部磁界に応じて磁化方向が変化する第１磁化自由層１０３を含む磁気抵抗効果膜７１と、磁気抵抗効果膜７１と、第１磁気シールド７２ａと、の間に設けられ、第１磁気シールド７２ａよりも飽和磁束密度が高い第３磁気シールド７２ｃと、を有する再生ヘッド部７０を備えた磁気ヘッド１１０である。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｏ−Ｆｅバッファ層を備える膜面垂直通電（ＣＰＰ）読出しセンサを提供する。
【解決手段】 ピン止めおよび磁気抵抗特性を改善するために、Ｃｏ−Ｆｅバッファ層を備える膜面垂直通電（ＣＰＰ）読出しセンサが、提案される。この読出しセンサは、それぞれキーパ層構造の下側部分と上側部分にある第１と第２のＣｏ−Ｆｅバッファ層と、それぞれ基準層構造の下側部分と上側部分にある第３と第４のＣｏ−Ｆｅバッファ層と、検知層構造の下側部分にある第５のＣｏ−Ｆｅバッファ層を含む。第１のバッファ層は、ピン止め層に隣接して、双方向異方性ピン止め特性を改善するための特定の組成を有する。第２と第３のバッファ層は、反平行結合層に隣接し、双方向異方性ピン止め特性を改善するための特別な組成を有する。第４と第５のバッファ層は、バリアおよびスペーサ層に隣接し、磁気抵抗特性を改善するための特定の組成を有する。 （もっと読む）

【課題】膜面垂直通電（ＣＰＰ）読み取りセンサの縦バイアス積層構造を提供する。
【解決手段】ＣＰＰ読み取りセンサの検知層構造を安定化させるための、改良された縦バイアス積層構造を有する読み取りヘッドが提供される。縦バイアス積層構造は、２つの側部領域の各々において、絶縁層によってＣＰＰ読み取りセンサから分離され、絶縁層とＣＰＰ読み取りセンサとともに、読み取りヘッド内の上側および下側強磁性シールドの間に挟まれる。本発明の好ましい実施形態において、縦バイアス積層構造は主として、Ｆｅ−Ｐｔ縦バイアス層を含み、シード層を持たないため、絶縁層のみの厚さで、Ｆｅ−Ｐｔ縦バイアス層とＣＰＰ読み取りセンサの間の間隔が決定される。シード層を持たないＦｅ−Ｐｔ縦バイアス層は、アニーリング後に良好な膜面内の硬磁性を呈し、間隔が狭いため、この安定化方式は有効である。 （もっと読む）

【課題】極めて小さいサイズまでスケールダウン可能な磁気センサ設計。
【解決手段】装置１００は、主軸を有し、磁気抵抗積層体１１０を含む。磁気抵抗積層体は第１および第２の対向する面を有し、フリー層とスペーサ層とリファレンス層とを含む。スペーサ層は第１およびリファレンス層間に位置決めされている。フリー層は第１の平面内に自由磁場配向を有する磁性材料を含む。スペーサ層は非磁性材料を含む。リファレンス層は第２の平面内にピン止めされた磁場配向を有する磁性材料を含む。第２の平面は第１の平面に垂直で装置の主軸に平行である。装置は、磁気抵抗積層体の外表面の少なくとも一部分を取囲む絶縁層１２０と、絶縁層の少なくとも一部分を取囲む遮蔽層１３０と、磁気抵抗積層体と遮蔽層との間の電気的接続を提供する導電層１４０とをさらに含む。 （もっと読む）

【課題】 感度および安定性が向上した磁気抵抗読取センサを提供する。
【解決手段】 磁気抵抗読取センサは、２つの電極の間に配置された３層スタックである。３層スタックは、非磁性層によって隔てられた２つの自由層と、スタックの後部に配置され、ストライプ高さに相当する距離だけ浮上面から隔てられたバイアス磁石とを有する。センサ内の電流が絶縁層によって浮上面近くの領域に制限されることで、読取機の感度が向上する。 （もっと読む）

【課題】 大きなＭＲ変化率を有する磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ、及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】 磁化固着層５と、磁化自由層７と、磁化固着層５と磁化自由層７との間に設けられた非磁性層６と、磁化自由層７の非磁性層６が設けられた側とは反対の側に設けられたＡｕを含む第１の金属層４と、第１の金属層４の磁化自由層７が設けられた側とは反対の側に設けられたＣｕＮｉ合金を含む第２の金属層３と第２の金属層３の第１の金属層４が設けられた側とは反対の側に設けられた第１の電極２と、磁化固着層５の非磁性層６が設けられた側とは反対の側に設けられた第２の電極８とを備え、磁化固着層５及び磁化自由層７の一方がハーフメタルを含み、第１の電極２から第２の電極８に向かって電流が流れることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＴＭＲ素子の故障時に発生しうる短絡事故を、有効に防止しうる小型で低コストな電子回路基板、これを用いた磁気センサ、及びＴＭＲ素子を含む電子回路の電源部の保護方法を提供する。
【解決手段】電子回路基板は、２つの端子ｓ１，ｓ２が、少なくともリードＬ１１〜Ｌ１５を介して、電源とグランドにそれぞれ接続されたＴＭＲ素子１１〜１４を含む。リードＬ１１，Ｌ１２の少なくとも一部は、ＴＭＲ素子のトンネルバリア膜が破壊された後、２つの端子ｓ１，ｓ２間の短絡により発生する過電流によって断線する。これによると、ＴＭＲ素子１１〜１４の故障により両端子ｓ１，ｓ２間が短絡した場合、電源とグランドが短絡されて過電流が発生する。その過電流によって、リードＬ１１，Ｌ１２の少なくとも一部が断線されるようにしており、これにより、過電流を遮断して電源を保護することができる。 （もっと読む）

【課題】微小領域からの磁束が検出可能であり、かつ素子抵抗の増大を抑制可能な磁気センサーを提供すること。
【解決手段】磁気センサーは、第一強磁性体１２Ａと、第二強磁性体１２Ｂと、第一強磁性体１２Ａから第二強磁性体１２Ｂまで延びるチャンネル７と、チャンネル７を覆う磁気シールドＳ２と、チャンネル７と磁気シールドＳ２との間に設けられた絶縁膜７ｂと、を備え、磁気シールドＳ２は、チャンネル７に向かって延びる貫通穴Ｈを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微小領域からの磁束が検出可能であり、かつ素子抵抗の増大を抑制可能な磁気センサーを提供すること。
【解決手段】磁気センサー１は、チャンネル７と、チャンネル７上の強磁性体１２、第一参照電極２０Ａ及び第二参照電極２０Ｂと、チャンネル７における強磁性体１２と対向する部分を覆う磁気シールドＳ１と、チャンネル７と磁気シールドＳ１の間に設けられた絶縁膜７ａと、を備え、磁気シールドＳ１は、チャンネル７における強磁性体１２と対向する部分に向かって延びる貫通穴Ｈを有することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、真空チャンバー内で基板を加熱して、次に即座に基板をコーティングする方法に関し、当該方法は、（１）基板の下面を基板ホルダー上に配置する工程、（２）基板を、基板ホルダーに対して所定距離に亘って持ち上げる工程、（３）加熱装置、例えば、放射熱装置を用いて、その上面によって持ち上げ基板を加熱する工程、（４）例えば、コーティングゾーンの中およびそれを通過して移動することによって加熱基板をコーティングする工程、（５）基板をチャック上まで下ろして、基板を冷却する工程、および（６）必要に応じて、冷却基板を更にコーティングする工程を含む。本発明に係る方法は、実施される方法手順を更に可能にし、様々な規定温度を各々の工程の間に基板上に設定でき、および必要に応じて、その後に即座に１以上のコーティングを前記基板温度で行うことができる。例えば、コーティング（抑えた）した後に即座に所定時間に亘って基板を更に高温で保持できる場合も含まれる。
（もっと読む）