【課題】微小領域からの磁束が検出可能な構造において、量産に適しなおかつ出力を向上することが可能な磁気センサを提供する。
【解決手段】磁気センサ１は、チャンネル７中に第一領域、第二領域、及び、第三領域を有し、第一方向に延びる主チャンネル層７ａと、第一領域上に積層された第一強磁性層１２Ａと、第二領域上に積層された第二強磁性層１２Ｂと、主チャンネル層７ａにおける第一領域と第二領域との間の第三領域の側面から主チャンネル層７ａの厚み方向と垂直な方向に突出する突出チャンネル層７ｂと、突出チャンネル層７ｂの厚み方向の両側、及び、突出チャンネル層７ｂの第一方向の両側を覆い、かつ、突出チャンネル層７ｂの突出方向の端面７ｃを露出させる磁気シールドＳとを備える。 （もっと読む）

【課題】高出力で低抵抗の磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、磁気記録媒体に対向する媒体対向面を有し、前記磁気記録媒体に記録された磁化の方向を検出する再生部を備える磁気ヘッドが提供される。前記再生部は、磁化の方向が固着された第１磁化固着層と、前記媒体対向面に対して平行な第１方向に沿って前記第１磁化固着層と積層され、磁化の方向が固着された第２磁化固着層と、前記第１磁化固着層と前記第２磁化固着層との間に設けられ、磁化の方向が可変の磁化自由層と、を含む。前記磁化自由層の前記媒体対向面に対して垂直な第２方向に沿った長さは、前記第１磁化固着層の前記第２方向に沿った長さよりも短く、前記第２磁化固着層の前記第２方向に沿った長さよりも短い。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気異方性を有し、かつより大きな磁気抵抗効果を発現することが可能な磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する第１強磁性層２と、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する第２強磁性層１０と、第１強磁性層と第２強磁性層との間に設けられた非磁性層６と、第１強磁性層と非磁性層との間に設けられた第１界面磁性層４と、第２強磁性層と非磁性層との間に設けられた第２界面磁性層８と、を備え、第１界面磁性層は、第１強磁性層側に設けられた第１界面磁性膜４ａと、非磁性層側に設けられ第１界面磁性膜と組成が異なる第２界面磁性膜４ｃと、第１界面磁性膜と第２界面磁性膜との間に設けられた第１非磁性膜４ｂとを備え、第１強磁性層と第２強磁性層との間に非磁性層を通して電流を流すことにより、第１強磁性層および第２強磁性層の一方の磁化方向が可変となる。 （もっと読む）

【課題】スピントランスファートルクに起因するノイズの低減を図った磁気抵抗効果素子
、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリを提供する。
【解決手段】磁化固着層、非磁性層、磁化自由層を有する磁気抵抗効果素子の磁化固着層
、または磁化自由層内にＺｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｌａ，Ｈｆ，Ｔａ
，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕのいずれかを含む層を配置する。 （もっと読む）

【課題】絶縁構造を改良した平面垂直通電型（ＣＰＰ）磁気抵抗（ＭＲ）センサを提供する。
【解決手段】ＣＰＰ ＭＲディスク・ドライブ読取りヘッドなどの平面垂直通電型（ＣＰＰ）磁気抵抗（ＭＲ）センサは、センサを構成する層のスタックを囲む改良絶縁構造を有する。センサは、センサの側縁上で、およびセンサの強磁性バイアス層の下でセンサに隣接する下遮蔽層の領域上で、約１〜５ｎｍの厚さを有する第１の窒化ケイ素層を有する。センサは、センサの後縁上で、およびセンサ後縁に隣接する下遮蔽層の領域上で、約２〜５ｎｍの厚さを有する第２の窒化ケイ素層と、第２の窒化ケイ素層上の実質的により厚い金属酸化物層とを有する。絶縁構造は、センサの周辺で縁損傷を防止し、従って、実質的に小さい寸法を有するＣＰＰ ＭＲ読取りヘッドの製造を可能にする。 （もっと読む）

【課題】室温でのシリコンチャンネル層におけるスピンの注入を可能とするスピン注入電極構造、スピン伝導素子又はスピン伝導デバイスの提供。
【解決手段】スピン注入電極構造ＩＥは、シリコンチャンネル層１２と、シリコンチャンネル層１２の第一部分上に設けられた第一酸化マグネシウム膜１３Ａと、第一酸化マグネシウム膜１３Ａ上に設けられた第一強磁性層１４Ａと、を備える。第一酸化マグネシウム膜１３Ａには、シリコンチャンネル層１２及び第一強磁性層１４Ａの両方と格子整合している第一格子整合部分Ｐが部分的に存在している。 （もっと読む）

【課題】 ＭＲ変化率の高い磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 キャップ層と、磁化固着層と、前記キャップ層と前記磁化固着層との間に設けられた磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられたスペーサ層と、Ｚｎ、Ｉｎ、ＳｎおよびＣｄから選択される少なくとも１つの元素並びにＦｅ、ＣｏおよびＮｉから選択される少なくとも１つの元素を含む酸化物を有する機能層とを備えた積層体と、前記積層体の膜面に垂直に電流を流すための一対の電極とを備えた磁気抵抗効果素子の製造方法であって、前記機能層の母材料から成る膜を成膜し、前記膜に、酸素の分子、イオン、プラズマおよびラジカルから成る群から選択される少なくとも１つを含むガスを用いた酸化処理を施し、前記酸化処理が施された膜に対して還元性ガスを用いた還元処理を施すことを含む磁気抵抗効果素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高精度であり、かつ容易に形成することができる磁気抵抗効果素子、それを用いた磁界検出器、位置検出器、回転検出器および電流検出器を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子１は、４つ以上の強磁性層８と、４つ以上の強磁性層８のそれぞれの間に設けられた３つ以上のトンネル絶縁層９とを備え、外部から磁界Ｈｅｘを印加しない状態において３つ以上のトンネル絶縁層９のそれぞれを挟んで対向する強磁性層８の磁化１１方向は互いに反対方向である。 （もっと読む）

【課題】微小領域からの磁束が検出可能であり、高出力化の可能な磁気センサーを提供すること。
【解決手段】磁気センサー１は、半導体からなるチャンネル１１と、チャンネル１１を間に挟んで対向配置された第一絶縁膜２１及び金属体１３と、第一絶縁膜２１の上に設けられた強磁性体１２と、金属体１３に接続された第一参照電極３１と、金属体１３に接続された第二参照電極３２と、チャンネル１１における強磁性体１２と対向する部分を覆う磁気シールドＳ１と、チャンネル１１と磁気シールドＳ１との間に設けられた第二絶縁膜２２と、を備え、磁気シールドＳ１は、チャンネル１１における強磁性体１２と対向する部分に向かって延びる貫通穴Ｈを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】現在、反強磁性膜として、不規則相Mn₈₀Ir₂₀膜、規則相Mn₇₅Ir₂₅膜が業界標準である。しかしながら、両者とも結晶構造が立方晶であるが故に結晶磁気異方性エネルギー定数が10⁵ erg/cm³程度と小であり、熱揺らぎ耐性が不足している状態にある。いわゆる、ピンデグレが顕在化している問題がある。
【解決手段】上記課題を克服するため、結晶磁気異方性エネルギー定数約2×10⁸ erg/cm³を保有しているL1₀ Mn₅₀Ir₅₀膜を固定層用、反強磁性膜300として適用する。これにより、例えば、素子サイズ5 nm□、反強磁性膜厚5 nmになっても、緩和時間1.2×10⁴⁹ 年と、天文学的数値の熱揺らぎ耐性を確保できる。L1₀ Mn₅₀Ir₅₀系反強磁性膜の低温規則化手段については、Mn₅₀Ir₅₀膜下方に動的応力駆動・静的応力駆動MnIr低温規則化層を設けることにより、解決する。 （もっと読む）