【課題】酸化物超電導層に発生した局所的な欠陥を適切に修復して、充分な歩留まりを確保することができる技術を提供する。
【解決手段】酸化物超電導線材の酸化物超電導層１１に発生した局所的な欠陥１１ａを修復する酸化物超電導線材の欠陥修復方法であって、酸化物超電導層から欠陥が発生している箇所を除去する欠陥除去工程と、欠陥が除去された領域に、塗布熱分解法を用いて、酸化物超電導線材の酸化物超電導層と同一組成の酸化物超電導層を形成する酸化物超電導層形成工程とを備えている酸化物超電導線材の欠陥修復方法。酸化物超電導線材の酸化物超電導層に発生した局所的な欠陥を修復する酸化物超電導線材の欠陥修復装置であって、欠陥が除去された領域１１ｂに、塗布熱分解法を用いて、同一組成の酸化物超電導層を形成する酸化物超電導層形成手段を備えている酸化物超電導線材の欠陥修復装置。 （もっと読む）

【課題】厚膜の酸化物超電導層の場合でも、多結晶体部分の形成が抑制されて、充分な超電導特性を発揮することができる酸化物超電導線材とその製造方法を提供する。
【解決手段】塗布熱分解法を用いた酸化物超電導線材の製造方法であって、金属結晶粒の集合組織である配向金属基板３１表面の金属結晶面が、配向金属基板表面に対して所定の角度で傾斜している配向金属基板を作製する配向金属基板作製工程と、作製された配向金属基板上に中間層を形成する中間層形成工程と、中間層上に塗布熱分解法を用いて酸化物超電導層を形成する酸化物超電導層形成工程とを備えている酸化物超電導線材の製造方法。塗布熱分解法を用いて形成された酸化物超電導層が、配向金属基板表面にある金属結晶粒の金属結晶面が配向金属基板表面に対して所定の角度で傾斜している配向金属基板上に設けられている酸化物超電導線材。 （もっと読む）

【課題】支持体上に超電導物質をコーティングした超電導膜に、イオン照射によってピン止め中心を導入することにより、磁場中での臨界電流密度特性が高められた超電導材料膜の製造方法を提供する。
【解決手段】支持体上に作製された超電導膜に、低エネルギー・軽イオンを照射することによって、超電導膜の中に有効なピン止め点が導入されるため、磁場中でのＪｃ及びＪｃの磁場角度依存性が高められた超電導材料膜が製造できる。また、塗布熱分解法の仮焼成工程の後に低エネルギー・軽イオンを照射して、さらに本焼成することによっても、磁場中でのＪｃ及びＪｃの磁場角度依存性が高められた超電導材料膜が製造できる。 （もっと読む）

【課題】２軸結晶配向したＣｕ層上にＮｉ又はＮｉ合金を成膜する方法として、めっきによる方法が知られている。結晶配向性の高いＮｉ層を生成するには、一般に低電流密度（１〜４Ａ／ｄｍ^２）でめっきを行う必要があるが、低電流密度ではめっき処理に要する時間が長くなって生産性が低下し、特に、長尺の金属基板をリールｔｏリールで生産する場合には、積層材である金属基板の過熱が起こり得るという問題点があった。そのため、結晶配向性を保持しつつ、電流密度を上げて生産効率を向上させることができる作製条件の確立が望まれていた。
【解決手段】上記課題を解決するため、本発明のエピタキシャル成長用基板は、２軸結晶配向したＣｕ層と、前記Ｃｕ層上に設けられた保護層とを有するエピタキシャル成長用基板であって、前記保護層のめっき歪εが１５×１０^−６以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、対向ターゲット方式のスパッタ装置により酸化物超電導導体に安定化層を形成する技術の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、金属製のテープ状の基材の上方に中間層と酸化物超電導層と安定化層を積層した構造のテープ状の酸化物超電導導体を製造するに際し、基材上方に中間層と酸化物超電導層を形成したテープ状の積層体を用意し、該積層体の幅よりも大きい間隔をあけて対向配置された対になるターゲット間に発生させたプラズマによりターゲットの構成粒子を発生させる対向ターゲットスパッタ装置を用い、対向配置されたターゲット間のプラズマ生成領域の外側に沿ってテープ状の積層体を移送させながらスパッタを行い、プラズマからターゲットの対向方向と直交する方向に放出させたターゲットの構成粒子をテープ状の積層体に堆積させて酸化物超電導層の上方と側方に安定化層を形成する。 （もっと読む）

【課題】有毒な重金属を含まず、高いＴｃを有するＢａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ−Ｆ系酸化物超伝導体の薄膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｂａ_２Ｃａ_ｎ−１Ｃｕ_ｎＯ_２ｎ（Ｏ_１−ｘＦ_ｘ）２（ただし、ｎは２≦ｎ≦５の整数、ｘは０＜ｘ＜１の数）からなる酸化物超伝導薄膜１０であって、ＳｒＴｉＯ_３又はＭｇＯの単結晶基板１７の（１００）面３１、（０１０）面又は（００１）面のうちのいずれかの面上に形成された酸化物超電導薄膜。ＳｒＴｉＯ_３又はＭｇＯの単結晶基板の（１００）面、（０１０）面又は（００１）面のうちのいずれかの面上にＢａ_２Ｃａ_ｎ−１Ｃｕ_ｎＯ_２ｎ（Ｏ_１−ｘＦ_ｘ）２（ただし、ｎは２≦ｎ≦５の整数、ｘは０＜ｘ＜１の数）からなる酸化物超伝導薄膜を、パルスレーザーデポジション法により成膜する酸化物超伝導薄膜の製造方法であって、前記単結晶基板の基板温度が７００℃〜７７０℃で成膜する成膜工程を含む。 （もっと読む）

【課題】中間層が高度に配向しており、さらに表面が平滑な中間層の上に超電導層を設けても、中間層と酸化物超電導層とが強く密着し磁場応用においても剥離が発生せず、酸化物超電導層の高配向性を維持した超電導特性に優れた酸化物超電導薄膜線材を提供することができる酸化物超電導薄膜線材を提供する。
【解決手段】金属基板とその上に設けられた中間層とを備える結晶配向基材上に酸化物超電導層が設けられている酸化物超電導薄膜線材であって、酸化物超電導層と中間層のキャップ層との間に、酸化物超電導層とキャップ層との反応、もしくは酸化物超電導層とキャップ層との間における金属元素の拡散、による界面層が形成されていることを特徴とする酸化物超電導薄膜線材。また、界面層の厚みが、１００ｎｍ以下である酸化物超電導薄膜線材。さらに、キャップ層の表面粗さＲａが、１０ｎｍ以下である酸化物超電導薄膜線材。 （もっと読む）

【課題】金属基板上に、表面粗度が充分に小さく、結晶配向性と平滑性を兼ね備えた中間層を有する中間層付基材を作製し、超電導特性に優れた超電導薄膜線材を提供する。
【解決手段】金属結晶粒を有する金属基板上に、結晶配向性を有する中間層が形成されている超電導薄膜線材用の中間層付基材であって、中間層の表面粗度Ｒｚが、５０ｎｍ以下である超電導薄膜線材用の中間層付基材。金属結晶粒を有する金属基板上に、結晶配向性を有する中間層が形成されている超電導薄膜線材用の中間層付基材の製造方法であって、金属基板にＡｒイオンビームを照射するＡｒイオンビーム照射工程と、Ａｒイオンビームが照射された金属基板上に、大気に触れさせることなく中間層を形成する中間層形成工程とが設けられている超電導薄膜線材用の中間層付基材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、酸化物超電導層を基材で覆って密閉構造とした酸化物超電導線材およびその製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、基材と中間層と酸化物超電導層と導電性の保護層をこの順に積層してなる酸化物超電導積層体が、保護層から基材まで達する溝加工部を介し前記保護層を内側にして二つ折りに折り曲げられ、２つの酸化物超電導積層体がそれらの折り曲げ部分を帯状の導体の幅方向端部側に位置させてこれら２つの酸化物超電導積層体により前記導体の全周がはんだ層を介し囲まれてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、酸化物超電導層の成膜時には制御し難い人工ピンを酸化物超電導層の形成後に導入することができる技術の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、テープ状の基材の上方に中間層と酸化物超電導層を備えた酸化物超電導導体において前記酸化物超電導層に人工ピンを導入する方法であって、成膜後の酸化物超電導層に加熱急冷処理を施した後、該酸化物超電導層上に人工ピン材料の薄膜を形成し、次いで加熱処理することにより前記薄膜中の人工ピン材料を前記酸化物超電導層に拡散させることを特徴とする。 （もっと読む）