【目的】強磁性膜−反強磁性膜間で生じる交換結合バイアス磁界を用いて磁気抵抗効果膜を単磁区化し、バルクハウゼンノイズを抑制する方法を用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）において、強磁性膜をＮｉＦｅ膜、反強磁性膜をＦｅＭｎ膜とした場合、バイアス磁界がヘッド加工工程中の熱履歴によって大幅に減少する場合があるという問題を解決し、熱処理によりバイアス磁界の減少をなくし、ＭＲヘッドの特性の安定化を図る。
【構成】ＣｏＺｒＭｏ膜１ａの軟磁性膜２１、Ｔａ膜２の非磁性膜２２、ＮｉＦｅ膜３のＭＲ膜３３、ＦｅＭｎ膜４ａの反強磁性膜４４から構成され、反強磁性膜４４の平均結晶粒径を２０ｎｍ以下にする。また、非磁性膜２２の非磁性膜形成後に熱処理を施す。 （もっと読む）

【目的】 磁気抵抗効果素子に適した積層膜の飽和磁場を低減することを目的とする。
【構成】 本発明の積層膜は、各々の厚さが２〜20Ａの２種類以上の異る組成の強磁性単層を積層して形成された強磁性層と、８〜70Ａの非強磁性層とが交互に積層された構造を持つことを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】 高温での熱処理後にも低い保磁力を示し、しかも高飽和磁束密度を有する軟磁性薄膜を提供する。
【構成】 Ｆｅベース軟磁性薄膜に、適量の酸素を導入し、結晶粒を微細化する。微細化された結晶粒径は、６００Å以下である。また、酸素の導入量は、３０原子％以下とする。Ｆｅベース軟磁性薄膜は、Ｆｅ単独からなるものであってもよいし、ＦｅにＳｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｇａ、Ｖ、Ｗ、Ｙから選ばれた少なくとも１種を添加したものであってもよい。 （もっと読む）

【構成】Ｆｅ_a-mＭ_mＢ_bＮ_c（但し、ａ、ｂ、ｃ、ｍは各々原子％を示し、ＭはＣｏ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔの少なくとも１種以上を表わし、ＢはＺｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗの少なくとも１種以上を表わす。）なる組成式で示され、その組成範囲は０＜ｍ／ａ＜ 0.3０＜ｂ≦２００＜ｃ≦２２の範囲(但し、ｂ≦7.5かつｃ≦５を除く)であることを特徴とする軟磁性薄膜。
【効果】本発明の軟磁性薄膜は、高い飽和磁束密度を有し、かつ、磁歪を零とすることができ、低保磁力、高透磁率の優れた軟磁気特性を得ることができる。また、電気抵抗率も高く渦電流損失を低減でき、磁界中熱処理によって一軸異方性を持たせることができ、その大きさも組成や熱処理時間によって制御することができるので、目的に応じた高周波透磁率を得ることができる。さらに、高い硬度と耐食性を持つ。 （もっと読む）