【課題】
ＦｅＣｕＮｂＣｒＳｉＢからなる磁性コア及びこれを巻くコイルを含むマイクロインダクタが開示される。
【解決手段】
本マイクロインダクタは、ＦｅＣｕＮｂＣｒＳｉＢからなる磁性コアと、コイルを絶縁させる絶縁体と、磁性コア及びコイルを保持する基板、パッドなどを更に含む。絶縁体は、アルミニウムオキサイド又はポリイミドになることができる。
これにより、高い動作特性を有するマイクロインダクタを超小型に具現することができるようになる。 （もっと読む）

【課題】スピンＦＥＴ／スピンメモリの低消費電力と高信頼性を実現する。
【解決手段】本発明の例に関わるスピンＦＥＴは、磁化方向が固定される磁気固着層１２と、磁化方向が変化する磁気フリー層１３と、磁気固着層１２と磁気フリー層１３との間のチャネルと、チャネル上にゲート絶縁層１８を介して配置されるゲート電極１９と、磁気フリー層１３上に配置され、電場により磁化方向が変化する磁性層１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】飽和磁束密度が大きく且つ保磁力が小さい特性を安定して実現することのできる軟磁性膜を提供する。
【解決手段】磁気ヘッドの磁極層は、鉄・コバルト・ニッケル系合金よりなる軟磁性膜を含んでいる。軟磁性膜に含まれる鉄、コバルトおよびニッケルの合計を１００重量％としたとき、軟磁性膜において、鉄の含有量は４２重量％以上９０重量％以下であり、コバルトの含有量は０重量％以上４８重量％以下であり、ニッケルの含有量は１０重量％以上２０重量％以下である。また、軟磁性膜は、体心立方構造相と面心立方構造相との混晶である結晶構造を有する。軟磁性膜は、方向が交互に切り替わるめっき電流を用いて電気めっきによって製造される。 （もっと読む）

【課題】磁性粒子の配向状態を容易に制御できる磁性ナノ粒子を提供する。また、当該磁性ナノ粒子を用い、再生出力が高い磁気記録媒体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＦｅとＰｔとからなるＣｕＡｕ型またはＣｕ₃Ａｕ型規則合金相を有し、キューリー点が５００℃以上７００℃以下で、平均粒径が３〜５０ｎｍであることを特徴とする磁性ナノ粒子である。磁性ナノ粒子と非磁性バインダーとを含有する磁性層を有し、角型比が０．７５以上であって、前記磁性ナノ粒子が既述の本発明の磁性ナノ粒子であることを特徴とする磁気記録媒体である。既述の本発明の磁性ナノ粒子を形成する金属ナノ粒子を含有する塗布液を支持体上に塗布して磁性塗布物を形成した後、磁場中で加熱することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高出力でかつ磁界を検知する感度が良好な磁気抵抗効果素子、これを用いた磁気ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリ装置を提供する。
【解決手段】ＧＭＲ膜３０は、下地層３１、反強磁性層３２、固定磁化積層体３３、非磁性金属層３７、拡散防止層３８、自由磁化層３９、保護層４０が順次積層された構成からなる。拡散防止層３８はＣｏ、Ｆｅ、およびＮｉからなる群のうち少なくとも１種の元素を含みかつＭｎを含まない強磁性材料からなり、自由磁化層３９を、三元系の組成図において、各組成の座標を（Ｃｏ含有量，Ｍｎ含有量，Ａｌ含有量）として表すと、点Ａ（４４，２３，３３）、点Ｂ（４８，２５，２７）、点Ｃ（６０，２０，２０）、点Ｄ（６５，１５，２０）、点Ｅ（６５，１０，２５）、点Ｆ（６０，１０，３０）として、点Ａ、点Ｂ、点Ｃ、点Ｄ、点Ｅ、点Ｆ、および点Ａをこの順にそれぞれ直線で結んだ領域ＡＢＣＤＥＦＡ内の組成から選択する。 （もっと読む）

【課題】均質で磁石特性に優れた永久磁石を提供する。
【解決手段】本発明による永久磁石の製造方法は、Ｒ−Ｔ−Ｂ系合金を用意し、９００℃以上１１００℃以下の温度で１時間以上の間、保持する工程と、前記Ｒ−Ｔ−Ｂ系合金に水素を吸蔵させることにより、脆化させる水素処理工程と、脆化されたＲ−Ｔ−Ｂ系合金を粉砕し、平均粒径１０μｍ以上１００μｍ以下の粉末を形成する微粉砕工程と、前記粉末を溶射することによってＮｄ₂Ｆｅ₁₄Ｂ化合物を主相とする膜状永久磁石を形成するプラズマ溶射工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 高い保磁力を有する磁性薄膜を提供すること。
【解決手段】 ３２．５〜６５at%のPt、３２．５〜６５at%のFeおよび０．５〜２．５at%のInを含有する磁性薄膜。 （もっと読む）

【課題】 高周波で高い透磁率を実現することが可能であると共に、等方的な透磁率が得られ、複雑な磁場発生設備を使用しなくても作製することが可能である磁性多層膜を提供する。
【解決手段】 磁性金属から成る強磁性材料の薄膜１１と、絶縁材料の薄膜１２とを、交互に少なくとも２層以上積層した構造を有し、強磁性材料の薄膜１１の各層の膜厚が１０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であり、絶縁材料の薄膜１２の各層の膜厚が１０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であり、強磁性材料の薄膜１１の膜面内の透磁率が等方性である磁性多層膜１０を構成する。 （もっと読む）

２つの強磁性層をこれらの層の間に非磁性中間層がない状態に備えるスピントロニクス素子。２つの強磁性層は、１つ以上の外部磁界の適用、および／または電流誘起スイッチングの採用、および／または光スピンポンピングの適用のようなさまざまな手段、しかしこれらに限定されることのないさまざまな手段によって、独立して切り換えることができる。
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【課題】RTでの熱揺らぎ耐性と高温での書き込みやすさの相克を図れ、記録温度直下での保磁力の温度に対する変化を急峻にでき、低温形成が可能である熱アシスト磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】基板上に、T_W＜T_Cの高K_Fの下層強磁性膜301、T_B＜T_Wの低K_AFの中間層反強磁性膜401、T_W＜T_Cの記録再生層である上層強磁性膜501を順次積層する〔T_W：記録温度、T_C：キュリー温度、T_N：ネール温度、T_B：ブロッキング温度、K_F：強磁性体の結晶磁気異方性エネルギー定数、K_AF：反強磁性体の結晶磁気異方性エネルギー定数〕。 （もっと読む）