【課題】低いスイッチング磁場と高い磁気抵抗比を有する磁気トンネル接合構造を提供する。
【解決手段】本発明は、非磁性中間層に分離される自由層と固定層とを含む磁気トンネル接合構造であって、非晶質ＮｉＦｅＳｉＢ強磁性層を含む自由層と、前記自由層の上部に形成された非磁性体からなる中間層と、前記中間層の上部に形成された強磁性層である固定層と、を含むことを特徴とする。前記自由層は、例えば非晶質ＮｉＦｅＳｉＢ/ＲＵ/非晶質ＮｉＦｅＳｉＢ層で構成することができる。 （もっと読む）

【課題】 スピン注入効率を改善することにより、情報の記録に要する電流を低減することができる記憶素子を提供する。
【解決手段】 情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層１７を有し、この記憶層１７に対して中間層１６を介して磁化固定層１９が設けられ、積層方向に電流を流すことにより、記憶層１７の磁化の向きが変化して、記憶層１７に対して情報の記録が行われる記憶素子１０において、記憶層１７がＮｉＦｅ合金を主成分として成る構成とする、又は、記憶層１７を構成する磁性体のダンピング定数αがα＜０．０１５を満足する構成とする。 （もっと読む）

【課題】耐熱性を向上でき、出力特性の劣化を防止できる磁気抵抗効果素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子は、強磁性材料からなる磁化自由層１７と、強磁性材料からなり結晶粒界を有する磁化固着層１５と、前記磁化自由層と前記磁化固着層との間に設けられた第１の非磁性層１６と、前記磁化固着層における前記第１の非磁性層側の面に対して反対側の面に設けられた反強磁性層１４とを具備し、前記磁化固着層は、その前記結晶粒界に偏析し前記反強磁性層中の構成材料の拡散を防止するように働く元素を有する。 （もっと読む）

【課題】 磁気光学効果が大きく、安定性に優れた磁性多層膜及びこれを用いた光磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 強磁性材料の薄膜１１と、絶縁材料の薄膜１２とを、交互に積層した構造を有する磁性多層膜１０を構成する。また、この磁性多層膜１０により、情報を記録する記録膜（光磁気膜）が構成されている光磁気記録媒体を構成する。 （もっと読む）

【課題】軟磁気特性が良好で、飽和磁束密度が大きい軟磁性膜を安定して製造する。
【解決手段】方向が交互に切り替わるめっき電流を用いて電気めっきを行って、主要元素が鉄およびニッケルである合金よりなる軟磁性膜を製造する。この軟磁性膜において、合金に含まれる鉄およびニッケルの合計に対する鉄の割合とニッケルの割合をそれぞれａ重量％、（１００−ａ）重量％と表したときに、ａは８０以上１００未満である。また、軟磁性膜の飽和磁束密度は、２．０Ｔ以上である。また、合金に含まれる鉄およびニッケルの合計を１００重量％としたとき、合金に含まれる鉄およびニッケル以外の元素の割合は、１．３重量％以下である。 （もっと読む）

第１下地結晶層（３３）は相互に隣接する結晶粒で構成される。第２下地結晶層（３４）は、第１下地結晶層（３３）よりも大きな膜厚で第１下地結晶層（３３）の表面に広がる。第２下地結晶層（３４）は、第１下地結晶層（３３）の個々の結晶粒から成長する結晶粒で構成される。第１および第２下地結晶層（３３、３５）では微細で均一な結晶粒が確立される。しかも、第１および第２下地結晶層（３３、３５）には十分な膜厚が確保されることができる。同様に、第１および第２磁性結晶層（３５、３６）では微細で均一な結晶粒が確立される。しかも、第１および第２磁性結晶層（３５、３６）には十分な膜厚が確保されることができる。
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【課題】記録媒体の基板と垂直磁気記録層の間に設ける軟磁性層を、短時間で厚く皮膜形成が可能で、且つスパイクノイズや軟磁性層ノイズが低減された垂直磁気記録媒体を高生産性で得る。
【解決手段】アルミニウム板またはアルミニウム合金板に非晶質Ｎｉ−Ｐ合金めっき層１ｂを設けた基板１に、下から順に結晶質Ｎｉ−Ｐ合金めっき層２、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金めっき層からなる軟磁性裏打ち層３、Ｎｉ−Ｆｅ合金とＣｏ−Ｆｅの２層からなる軟磁性バッファー層４、反強磁性層５、下地層６、垂直磁気記録層７を順次形成して垂直磁気記録媒体とする。 （もっと読む）

【課題】磁気シールド装置にセンス電流路を有しておりながら、バルクハウゼンノイズの発生を抑制することができる、給電可能な磁気シールド装置等を提供する。
【解決手段】給電可能な磁気シールド装置３９、４１は、膜面方向と直交方向に亘って連続する磁壁不存在部７１を備えた磁気シールド膜５１〜５６と、磁気シールド膜よりも比抵抗が小さい導電膜６１〜６４とを含む。磁気シールド膜の磁壁７０は、膜面方向とほぼ直交する向きに延びる。また、磁気シールド膜は、パーマロイからなり、３００ｎｍ以下の膜厚を有する。 （もっと読む）

【課題】
グラニュラ膜を利用し、積層磁性薄膜の高抵抗率化と、高周波帯域における優れた軟磁気特性の両立を図る。
【解決手段】
積層磁性薄膜１０は、基板１２上に、絶縁層１４とグラニュラ層１６を交互に複数成膜した積層構造となっている。絶縁層１４は、ＳｉＯ_２膜によって形成される。グラニュラ層１６は、ＦｅＮｉＳｉＯ膜によって形成されており、磁性粒子２０を包み込むように、粒界に絶縁体１８が存在する構造となっている。成膜時に基板１２の加熱を行うことで、絶縁層１４及び絶縁体１８の絶縁性を向上させて抵抗率を高めることができる。また、所定の範囲内の組成の磁性粒子２０の粒径を、絶縁層１４及びグラニュラ磁性層１６の厚みや、絶縁体１８に対する磁性粒子２０の比率を変えて適正化することにより、高抵抗率化に起因する磁気特性の劣化を抑制し、高い磁気特性と高抵抗率の両立が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 小さい電流で情報を記録することができ、かつ記録された情報を長期間保持することができる記憶素子を提供する。
【解決手段】 情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層１７と、この記憶層１７に対して非磁性層１６を介して設けられた磁化固定層２１とを少なくとも有し、非磁性層１６を通じて、記憶層１７と磁化固定層２１との間に電流を流すことにより情報の記録が行われ、記憶層１７がＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉから選ばれる少なくとも１種の元素とＧｄとを含有する記憶素子１０を構成する。 （もっと読む）