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国際特許分類[H01F10/14]の内容

国際特許分類[H01F10/14]に分類される特許

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【課題】極めて粒子サイズが小さく、かつ粒状の形状であるにもかかわらず、極めて高い保磁力と、高密度記録に最適な飽和磁化を有する窒素含有磁性粉末の特性を最大限に引き出すための磁性塗膜を得ることを目的とする。
【解決手段】 非磁性支持体上に磁性粉末と結合剤を含有する磁性層を有する磁気記録媒体において、
上記磁性層が磁性粉末と非磁性粉末を含有し、
磁性粉末が鉄および窒素を少なくとも構成元素とし、かつFe16相を少なくとも含む平均粒子サイズが10〜20nmの粒状の磁性粉末であり、非磁性粉末の平均粒子サイズが10〜30nmであり、かつ磁性層に含まれる磁性粉末と非磁性粉末の合計含有量に対する磁性粉末の含有量が40〜90重量%の範囲にあることを特徴とする磁気記録媒体を提供する。 (もっと読む)


【課題】Caを添加した融液から育成したビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を、短時間で処理することのできる熱処理技術。
【解決手段】 非磁性ガーネット単結晶基板にビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を育成する液相エピタキシャル法において、Caを添加した融液から育成したビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を窒素と水素3〜20vol%の混合ガス雰囲気下で短時間熱処理することで、所望の光損失特性を有するビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を得ることができる (もっと読む)


【課題】構成要素であるナノマグネットの形状を選択することで磁気特性を設計可能な センサ素子を提供すること。
【解決手段】 3次又は5次の回転対称性を有するナノマグネットを有し、前記ナノマグネットが超常磁性となりかつ実質的に磁気ヒステリシスをなくし、その結果前記ナノマグネットの磁化は適用された磁場の現在値のみに依存し、前記磁場の履歴には依存しなくなるように前記回転対称性が選択されている。単純な材料に対して、単に構成要素であるナノマグネットの対称性を変化させることにより、新規で多様な特性を付与でき、桁外れに広い範囲を有する人工磁性材料をつくり出すことができる。 (もっと読む)


【課題】基板に巨大磁気抵抗効果素子を形成した磁気センサにおいて、巨大磁気抵抗効果素子を構成する軟質強磁性体層の軟磁気特性の劣化を低減して、外部磁界の向きを精度よく検出できるようにする。
【解決手段】基板11の上に、平坦面と該平坦面に対して傾斜する斜面とを有するシリコン酸化膜11iが形成され、平坦面上及び斜面上のうち少なくとも斜面上に、フリー層F、導電層S及びピン層Pを積層してなる巨大磁気抵抗効果素子を設けた磁気センサにおいて、フリー層Fが、シリコン酸化膜11i上に形成されてNiFe合金を有する軟質強磁性体層12a−22を備え、さらに、シリコン酸化膜11iと軟質強磁性体層12a−22との間に、非磁性材料からなり、軟質強磁性体層12a−22の形成時にその結晶配向を促す結晶化シード層12a−21を備える磁気センサを提供する。 (もっと読む)


【課題】構成要素であるナノマグネットの形状を選択することで磁気特性を設計可能な磁性論理素子を提供すること。
【解決手段】 3次又は5次の回転対称性を有するナノマグネットを有し、前記ナノマグネットが超常磁性となりかつ実質的に磁気ヒステリシスをなくし、その結果前記ナノマグネットの磁化は適用された磁場の現在値のみに依存し、前記磁場の履歴には依存しなくなるように前記回転対称性が選択されている。単純な材料に対して、単に構成要素であるナノマグネットの対称性を変化させることにより、新規で多様な特性を付与でき、桁外れに広い範囲を有する人工磁性材料をつくり出すことができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、交互する異なった材料組成の第一強磁性層と第二強磁性層とを包含する構造を形成する方法に関する。
【解決手段】最初に、少なくとも一つの開孔を有する支持マトリックスと、導電ベース層とを包含する基材が形成される。次いで、少なくとも一つの強磁性金属元素と、さらなる一つ以上の異なった金属元素を包含する電気メッキ液の中で該基材の電気メッキが行われる。交互する高電位と低電位とを有するパルス電流を基材構造の導電ベース層に印加し、これにより、支持マトリックスの開孔中に、交互する異なった材料組成の層を形成する。 (もっと読む)


【課題】 熱的に安定であると同時に低電流の磁化反転を可能とするスピン注入書き込み方式用の磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】 磁気抵抗効果素子1は、磁化の方向が固定された第1磁化固定層2を含む。磁化可変層3は、磁化の方向が可変で、Fe、Co、Niから選ばれる少なくとも1つの元素と、Ru、Rh、Pd、Ag、Re、Os、Ir、Pt、Auから選ばれる少なくとも1つの元素と、V、Cr、Mnから選ばれる少なくとも1つの元素と、を含む。第1中間層4は、第1磁化固定層と磁化可変層との間に設けられ、非磁性材料からなる。第1磁化固定層と第1中間層と磁化可変層とを貫く双方向電流によって磁化可変層の磁化の方向が可変とされる。 (もっと読む)


【課題】 IrとMnとを含む反強磁性のピニング層の表面の平坦度を高めることができる磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】 基板の主表面上に、NiFeNで形成されている下地層(2)が配置されている。その上に、IrとMnとを含む反強磁性材料で形成されているピニング層(3)が配置されている。その上に、ピニング層と、直接または他の強磁性材料層を介して交換結合することにより磁化方向が固定される強磁性材料からなるレファレンス層(4c)が配置されている。その上に、非磁性材料からなる非磁性層(7)が配置されている。その上に、外部磁場の影響によって磁化方向が変化する強磁性材料からなるフリー層(8)が配置されている。 (もっと読む)


【課題】磁性薄膜の選択的なエッチングを可能にして生産性を向上させた磁気デバイスの製造方法及び磁気デバイスの製造装置を提供するものである。
【解決手段】基板S上に、鉄、コバルト、ニッケルの群から選択される少なくとも一種の元素を含有した磁性層と、磁性層51のエッチング領域51Eを露出するマスクパターン52を形成する。そして、基板S上にシクロペンタジエンを含むエッチングガスLを供給し、エッチング領域51Eとシクロペンタジエンとの熱反応により、エッチング領域51Eの磁性層51をメタロセンMCにして排気させた。 (もっと読む)


【課題】メモリセル中に形成された磁壁を移動させ記録状態消去状態を実現する磁壁移動型メモリセルに於いて、情報記録層となる磁性体の磁化を低減させ記録電流、記録磁界の低減をはかることにより、高速・低電流で動作し、高密度なMRAM実現可能であることを提供する。
【解決手段】磁壁を生成する磁性層に非金属元素を添加する、あるいは磁性層と非金属元素を周期的あるいは非周期的に積層させた多層構造を作製することにより磁化を低減し、記録電流を抑制する。 (もっと読む)


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