【課題】室温で１０００％以上のTMR効果が得られる低抵抗の二重障壁強磁性トンネル接合と、この二重障壁強磁性トンネル接合を用いた磁気デバイスを提供する。
【解決手段】下地層／強磁性層１／絶縁層１／強磁性層２／絶縁層２／強磁性層３／上部層の構造が基板材料上に積層され、下地層により強磁性層１の磁化が、上部層により強磁性層３の磁化が固定され、強磁性層２が磁化自由層として機能する構造の二重障壁強磁性トンネル接合において、強磁性層２をCoFeB合金とし、かつ、その厚さを０．５〜１．４nmに薄膜化し、絶縁層１および２をMgOとし、２５０〜４００℃程度の熱処理プロセスを経ることで低抵抗、かつ、１０００％を超える巨大なTMR比が得られる。 （もっと読む）

本発明は、強磁性体からなる上層（２）の磁化の方向を変更させる方法を提供するものであり、ａ）上層（２）は、上層（２）と磁気結合していない下層（３）の上に配置され、下層（３）は、下層（３）の物質の温度がしきい値より高いか低いかにより、上層（２）の磁化方向の変更に適した放射磁界を発生させるか、または発生させないことに適している物質から成り、下層（３）の物質による放射磁界は、上層（２）の強磁性物質の保磁場より強力であり、本方法は、ｂ）下層（３）の温度を、上層（２）と下層（３）の磁化方向が安定した相互配置であり下層（３）の物質が放射磁界を生じさせない一番目の値から、下層（３）の物質が、不可逆な方法において、上層（２）の磁化方向を変化させるのに適した放射磁界を生じさせる二番目の値へ進むステップ、及びｃ）下層（３）の温度を、二番目の値から、下層（３）の物質が放射磁界を生じさせない三番目の値へ進むステップ、からなり、温度の変更ステップであるｂ）とｃ）は外部からの磁場を加えることなしに実施されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体の軟磁性層として用いられる、アモルファス薄膜を作製するための、高ＰＴＦ値を示すスパッタリングターゲット材とこれに使用する低飽和磁束密度原料粉末を提供する。
【解決手段】 Ｆｅ，Ｎｉ，Ｚｒを含む軟磁性薄膜を製造するための、粉末を固化成形したスパッタリングターゲット材おいて、原料粉末としてａｔ％で、Ｃｏ：≦６％、Ｚｒ：１〜２０％に、Ｈｆ：≦２０％、Ｎｂ：≦２０％、Ｔａ：≦２０％を含有し、残部がＦｅ，Ｎｉおよび不可避的不純物からなり、かつ、下記式を満たす原料粉末およびこれを形成したことを特徴とするスパッタリングターゲット材。（ただし、Ｃｏ、Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａは０％を含む）
０．２５≦［Ｎｉ％／（Ｆｅ％＋Ｎｉ％）］−０．０１１×（Ｚｒ％＋Ｈｆ％＋Ｎｂ％＋Ｔａ％）≦０．３５ … （１）
Ｚｒ＋Ｈｆ＋Ｎｂ＋Ｔａ≦２０％ … （２） （もっと読む）

【課題】熱処理後の電気比抵抗の増加率が相対的に小さく、かつ、電気比抵抗の増加率が均一な金属−絶縁体系ナノグラニュラー材料、及び、これを用いた薄膜磁気センサを提供すること。
【解決手段】（１）式で表される組成を有する強磁性粒子と、前記強磁性粒子の周囲に充填されたＭｇ−Ｆ系化合物からなる絶縁マトリックスとを備えた金属−絶縁体系ナノグラニュラー材料、及び、これを用いた薄膜磁気センサ。
(Ｆｅ_1-xＣｏ_x)_100-z(Ｂ_1-yＳｉ_y)_z ・・・（１）
但し、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０＜ｚ≦２０。 （もっと読む）

【課題】絶縁破壊電圧と漏れ電流特性の改善された薄膜コンデンサを提供する。
【解決手段】薄膜コンデンサの第一電極２と、その反対側の第二電極３と、第一電極と第二電極の間に配置され、ドープされた誘電体層４１を有する誘電体層構造４を含む。ドープされた誘電体層は、ドープ剤をその中に含み、０原子／ｃｍ³より大きく、１０¹⁰原子／ｃｍ³より大きくないドーピング濃度を有する。誘電体層構造には、ドープされていない誘電体層を有してもよい。誘電体層はＳｉＯ２などの酸化物、ドープ剤はＡｌやＣｏなどを含む。電極はＦｅＣｏＮｉを含む強磁性合金からなる。 （もっと読む）

【課題】金属ガラス物品を製造する場合に、その物品の大きさや立体形状にかかわらず容易かつ迅速に対応できる金属ガラス物品の製造方法の提供。
【解決手段】この発明は、金属ガラス物品を製造する方法であって、第１工程と第２工程を基本とする。第１工程では、粉末状の金属ガラス３を所定の厚さに敷き詰めて金属ガラス層を形成する。第２工程では、第２工程で形成した金属ガラス層の所定部に対してレーザ光を照射し、当該照射部の金属ガラスを局所的に過熱、溶融して再凝固させ、その所定の厚さからなる所望の凝固形状を作成する。そして、第１工程と第２工程とを交互に繰り返し、金属ガラスで所望の立体形状を作成する。 （もっと読む）

【課題】 ３００℃以下の温度において、Ｌ１₀構造ＦｅＰｔ規則合金が得られるＦｅＰｔ系磁性層を備える積層体構造物を提案する。
【解決手段】 積層体構造物は、アモルファス状態のＴａ層と、このＴａ層の上に形成された酸化亜鉛（ＺｎＯ）または酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる金属酸化物層と、この金属酸化物層の上に形成されたＦｅＰｔ系磁性層と、を有して構成される。 （もっと読む）

【課題】磁界検出に使用できる垂直交換バイアス・デバイスの提供。
【解決手段】垂直交換バイアス・デバイス１０が、基板１２の表面上のバッファ材料層１４と、バッファ材料層表面上の強磁性材料層１８と、強磁性材料層表面上の反強磁性材料層２２とを含み、前記強磁性材料層の磁化が強磁性材料層の面に対し垂直方向に向けられている。また垂直交換バイアス・デバイスを作製する方法は、基板表面上にバッファ材料層を形成する段階と、バッファ材料層表面上に強磁性材料層を形成する段階と、強磁性材料層表面上に反強磁性材料層を形成する段階とを含み、しかも強磁性材料層の磁化は強磁性材料層の面に対して垂直方向に向けられている。 （もっと読む）

【課題】低保磁力と低い残留磁束密度をもつ軟磁性膜を備え、この軟磁性薄膜で磁気収束する半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１に設けられたホール素子２と、このホール素子１上に設けられた軟磁性薄膜６とを備え、軟磁性薄膜６が、少なくともホウ素を含有している。半導体基板１上で、かつホール素子２上に設けられた有機絶縁膜４と、この有機絶縁膜４と軟磁性薄膜６との間に設けられた金属導電層５とを備え、軟磁性薄膜６が、金属導電層５上で少なくとも１個以上のホール素子２の感磁部を覆うように配置されている。 （もっと読む）

【課題】加熱処理温度をできるだけ抑えてL1₀型の規則相を有するFePtからなる磁性膜を製造する方法、及びこの磁性膜を用いた磁気デバイスを提供する。
【解決手段】Feを主成分とする層３ａと、Ptを主成分とする層３ｂとを交互に積層し、（110）配向させて成膜する成膜工程と、前記Feを主成分とする層３ａと前記Ptを主成分とする層３ｂを加熱し、前記Feを主成分とする層と前記Ptを主成分とする層との界面においてFeとPtとを拡散させ、L1₀型に規則化させる加熱工程と、を有する。 （もっと読む）