【課題】新しいスピン機能素子への展開が可能な、省電力で動作可能な新しい磁化配向制御方法の基本要素技術を提供する。
【解決手段】単結晶強誘電体層上に、強磁性体層をエピタキシャル成長させたヘテロ構造体を準備し、強誘電体層に電圧を印加して強誘電体層と強磁性体層との接合界面に生じる歪みによって、強磁性体の磁気異方性を変化させる、磁気異方性制御方法。 （もっと読む）

【課題】ナノサイズの磁性粒子を所望の形状やサイズで製造する。
【解決手段】有機溶媒での溶解処理で溶解することができるレジスト５１２からなり、ナノサイズの凹凸を有する型５１０を作成し（ステップＳ１０１〜ステップＳ１０２）、ＭＢＥ法によりＣｏの膜とＰｄの膜とを型５１０上に交互に積層して磁性膜５３０を形成し（ステップＳ１０３）、型５１０の凹部内に堆積した磁性膜５３０を、有機溶媒での溶解処理によってレジスト５１２を除去することで取り出すことで磁性粒子２１１を得る。 （もっと読む）

【課題】高記録密度の磁気記録媒体を簡易な製造方法にて実現する。
【解決手段】基板と、基板上に複数設けられた、各々が、該基板上に複数種類の原子層が交互に積層されてなる人工格子構造を有する、各々に情報が磁気的に記録される磁性ドットと、磁性ドットの相互間に設けられた、磁性ドットの人工格子構造と連続した人工格子構造を有し、人工格子構造にイオンが注入されてなる、磁性ドットの飽和磁化よりも小さい飽和磁化を有するドット間分断帯とを備える。 （もっと読む）

【課題】室温以上の温度で磁性特性を表わす磁性半導体の製造を可能にする。
【解決手段】磁性原子が導入された半導体に対してレーザ照射を行うことで磁性半導体を得る製造方法および製造装置であって、磁性原子が導入された半導体１ａ表面に対し、磁場を印加しながらレーザを照射する。 （もっと読む）

【課題】例えばＣＧＣ媒体等において、トラックエッジノイズを低減して、トラック密度を向上させる。
【解決手段】磁気記録媒体１０の製造方法であって、垂直磁気記録層３０を形成する記録層形成工程と、垂直磁気記録層３０のトラック間の領域にイオンビームを照射することにより、トラック間を磁気的に分離する分離領域２０２を形成するイオンビーム照射工程とを備える。記録層形成工程は、ＣｏＢ層１０６及びＰｄ層１０８が積層された多層膜の連続膜層２４を形成し、イオンビーム照射工程は、イオンビームによってＣｏＢ層１０６及びＰｄ層１０８を融解させて、ＣｏＢ層１０６及びＰｄ層１０８のそれぞれに含まれる金属の合金を形成することにより、分離領域２０２を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体プロセスの整合性に優れており、基板と磁性半導体薄膜とが格子整合し、Ｔｃが３００Ｋ付近でバラツキが少ないＩＩ−ＩＶ−Ｖ_２族の磁性半導体薄膜及び磁性半導体薄膜の製造方法を提供する
【解決手段】加熱した基板上に緩衝層を形成した後に、該緩衝層上に磁性半導体層として遷移金属元素を添加したＺｎＳｎＡｓ_２をエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、有機材料のみを用いて室温において高い磁気抵抗率を示す磁気抵抗素子およびその製造方法、並びにその利用を提供する。
【解決手段】本発明にかかる磁気抵抗素子は、酸化還元が可能で電子スピンを有する分子が、基板上に配置されている。上記分子は、酸化還元が可能であるため、該磁気抵抗素子に電流が印加されると、上記分子間で電子伝達が起こる。また、上記分子は電子スピンを有するため、常磁性を有する。したがって、上記構成により、室温において高い磁気抵抗率を示す磁気抵抗素子を実現できる。 （もっと読む）

【課題】２種の合金材料を同時にメッキする必要の無い、新規なＬ１０規則合金相を有する構造体の製造方法、磁気記録媒体および永久磁石を提供する。
【解決手段】Ｐｔ又はＰｄのいずれかの金属Ｘからなる膜面に対して垂直な多数の柱状部材１１と、該柱状部材を取り囲むマトリックス２から成る薄膜を用意する工程と、該マトリックッス２の一部または全部を除去する工程と、該マトリックスの除去により露出した金属Ｘからなる柱状部材の表面をＦｅ、Ｃｏ又はＮｉのいずれかの金属Ｙで被覆する工程と、熱処理により金属Ｘ及び金属Ｙを含むＬ１０規則合金相を形成する工程とを有する構造体の製造方法。微細なＦｅＰｔ等のＬ１０規則合金相が内包された構造体を用いた磁気記録媒体および永久磁石。 （もっと読む）

【課題】 結晶表面が平坦でかつ結晶性に優れ、しかも強磁性を有し、キュリー温度の高いIV−VI族強磁性半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】 薄膜製造装置の成長室内の真空度を１×１０^-8Torr以下に保ち、さらにベースとなる基板の温度を１００℃〜４００℃の範囲内に保ち、使用する蒸着原料に応じて、IV−VI族化合物半導体の結晶成長表面への蒸着原料の供給量を制御する、すなわち、蒸着原料にIV−VI族化合物、磁性元素、VI族元素を用いる場合には、成長室に供給するVI族元素（VI）と磁性元素（ＴＭ）の供給比VI／ＴＭが０．５から５の範囲内となるように、蒸着原料にIV族元素、磁性元素、VI族元素を用いる場合には、成長室に供給するIV族元素（IV），磁性元素（ＴＭ），VI族元素（VI）の供給比VI／（ＴＭ＋IV）が１から６になるように制御することによる。 （もっと読む）

【課題】高周波で高い透磁率を実現することが可能であると共に、等方的な透磁率が得られ、複雑な磁場発生設備を使用することなく作製することが可能である磁性多層膜及びその製造方法の提供
【解決手段】 強磁性金属層と希土類金属層とを、交互に少なくとも２層以上積層した構造を有し、前記強磁性金属層の一層あたりの膜厚が１Å〜１００Å、前記希土類金属層の一層あたりの膜厚が２Å〜１００Åである磁性多層膜。この磁性多層膜は、強磁性金属の薄膜を、１Å〜１００Åの範囲内の膜厚で成膜する工程と、希土類金属の薄膜を、２Å〜１００Åの範囲内の膜厚で成膜する工程とを、１０^-5Pa以下の高真空下で交互に少なくとも２回以上繰り返して磁性多層膜を形成する。 （もっと読む）