【課題】寿命信頼性を向上し得る、強誘電体薄膜及び該強誘電体薄膜を用いた薄膜キャパシタを提供する。
【解決手段】（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（式中、０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）で示される複合金属酸化物に、Ｂｉ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｐ、Ｂ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ及びＣｓからなる群より選ばれた１種或いは２種以上の元素から構成される金属酸化物がある一定の割合で混合した混合複合金属酸化物の形態をとる強誘電体薄膜が、２〜２３層の焼成層を積層して構成され、焼成層の厚さｔが４５〜５００ｎｍであり、焼成層中に存在する結晶粒の定方向最大径の平均ｘが２００〜５０００ｎｍであり、焼成層のいずれにおいても１．５ｔ＜ｘ＜２３ｔの関係を満たす。 （もっと読む）

本明細書では一般に、複合誘電材料の設計、製造、および使用のための技術について述べられる。実施形態は非限定的に方法、装置、およびシステムを含む。他の実施形態も開示され特許請求され得る。本明細書で述べるいくつか技術は、エネルギー蓄積デバイスに用いるように誘電材料の薄い層をコンフォーマルに形成するための誘電体粒子の電気泳動堆積を含む。例示のエネルギー蓄積デバイスは、一部の場合に電池、ウルトラキャパシタ、および他の同様なデバイスの動作を置き換えるおよび／または補助するために用いることができるコンデンサデバイスを含む。
（もっと読む）

【課題】改良されたエネルギー貯蔵装置を提供する。
【解決手段】２つの物理的効果を組み合わせて利用することによって、改良されたエネルギー貯蔵装置が提供される。第１の効果は、全電子バッテリー（ＡＥＢ）効果と呼ぶことができるもので、キャパシタの２つの電極間で誘電体構造に埋め込まれている内包物の使用に関連する。電子は、電極と内包物との間の誘電体をトンネル現象によって通り抜け、それによって、従来のキャパシタと比べて電荷貯蔵密度を増加させることができる。第２の効果は、面積増大効果と呼ぶことができるもので、２つの電極の一方または両方で微細構造化またはナノ構造化を用い、電極幾何学的面積と比べて界面面積を向上させることに関連する。面積増大は、装置の自己放電率を低下させるのに有利である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、新たな構造を有するキャパシタ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明によるキャパシタは、金属基板、前記金属基板に形成された金属酸化膜、前記金属酸化膜の第１面に形成された第１電極層、及び前記金属酸化膜の第２面に形成された第２電極層を含む。また、本発明によるキャパシタ製造方法は、金属基板の第１面及び第２面にフォトレジストパターンを形成するステップ、前記フォトレジストパターンをマスクにして前記金属基板に対して酸化処理を遂行して前記金属基板に選択的に金属酸化膜を形成するステップ、及び前記金属酸化膜の第１面及び第２面に各々第１電極層及び第２電極層を形成するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】基板と強誘電体薄膜との格子ミスマッチによる歪みが効率的に緩和されるペロブスカイト構造強誘電体薄膜を提供すること。
【解決手段】本発明によるチューナブル素子は、基板上に（１１１）エピタキシャル成長したペロブスカイト構造強誘電体薄膜を含んでなる。特に、ペロブスカイト構造強誘電体薄膜は、（１１１）エピタキシャル成長した（Ｂａ_ｘＳｒ_１−ｘ）ＴｉＯ_３またはＰｂ（Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘ）Ｏ_３｛０＜ｘ＜１｝からなる。 （もっと読む）

【課題】キャパシタ層形成材が備える誘電層の平均容量密度の向上及びリーク電流密度の低減を同時に実現させることができるキャパシタ層形成材を提供する。
【解決手段】上部電極形成に用いる第１導電層と下部電極形成に用いる第２導電層との間に誘電層を備えるキャパシタ層形成材において、当該第２導電層は、純度９９．９９ｗｔ％以上のニッケル層であり、且つ、当該誘電層は、（Ｂａ_ｘＳｒ_１−ｘ）ＴｉＯ_３（０≦ｘ≦１）の組成におけるバリウム、ストロンチウム、チタンの総量を１００ｍｏｌ％として、マンガンを０．２５ｍｏｌ％〜１．００ｍｏｌ％の範囲で含有するキャパシタ層形成材を採用する。 （もっと読む）

【課題】部品全体の機械的強度を向上させることができ、これにより、生産性及び信頼性を十分に高めることが可能なトレンチ型コンデンサを提供する。
【解決手段】トレンチ型コンデンサ１は、基板２上に、下部電極３、誘電体層４、上部電極５、保護層６、及びパッド電極７ａ，７ｂがこの順に積層されたものである。下部電極３はトレンチ部Ｒｔ及び台座部Ｄから構成され、トレンチ部Ｒｔには複数のトレンチＴが画成されている。台座部Ｄは、トレンチ部Ｒｔの周囲に設けられており、その高さがトレンチＴの底壁よりも高く形成されている。また、トレンチＴの内壁面を含む下部電極３の上面を覆うように薄膜状の誘電体層４が、さらにそれを覆うように上部電極５が形成され、台座部Ｄの上方に設けられたビア導体Ｖａ，Ｖｂを介して、パッド電極７ａ，７ｂが、それぞれ下部電極３及び上部電極５に接続されている。 （もっと読む）

【課題】キャパシタ誘電体膜を薄膜化しても容量を確保できる薄膜キャパシタを提供する。
【解決手段】薄膜キャパシタは、基板と、前記基板上に形成された単結晶金属膜よりなる下部電極と、前記下部電極上にエピタキシャルに形成された、膜厚が１００ｎｍ以下のＡＢＯ₃ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウムストロンチウムの単結晶薄膜よりなるキャパシタ誘電体膜と、前記キャパシタ誘電体膜上に形成された上部電極とを含み、前記キャパシタ絶縁膜はスカンジウム（Ｓｃ）を含む。 （もっと読む）

【課題】誘電体膜の結晶化のための熱処理による下部電極の酸化、及び熱処理による誘電特性の劣化等の問題を解消することができる薄膜キャパシタ材の製造方法を提供する。
【解決手段】下記の工程（１）〜（３）を含むことを特徴とする。
工程（１）：１０〜５００μｍの厚さからなり、表面抵抗値が０．１〜１Ω、及び最大表面粗さ（Ｒｍａｘ）が１００〜７００ｎｍであるニッケル箔を準備する。
工程（２）：前記ニッケル箔の表面上に、次の（イ）〜（ハ）の手順を２〜５回繰り返し膜形成した後、これをカーボン製容器内に挿入して、非酸化性雰囲気下に７００〜８００℃の温度で加熱し、所望の厚さの誘電体膜を形成する。
（イ）誘電体の前駆体溶液を塗布する。
（ロ）次いで、大気下に３００〜３５０℃の温度で加熱する。
（ハ）続いて、大気下に４５０〜５００℃の温度で加熱する。
工程（３）：前記誘電体膜の表面上に、第１導電材を成膜する。 （もっと読む）

【課題】
高誘電率かつ安定な比誘電率の温度特性を示す誘電体磁器と、それを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】
チタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子と、該結晶粒子間に形成された粒界相とを有する誘電体磁器であって、前記チタン酸バリウムを構成するバリウム１モルに対してマグネシウム、ガドリニウム，テルビウム，ディスプロシウム，ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる少なくとも１種の希土類元素（ＲＥ）、マンガンを酸化物換算で所定の割合で含有するとともに、チタン酸バリウム１００質量部に対して、イッテルビウムを酸化物換算で所定の割合で含有し、結晶粒子の平均粒径が０．０５〜０．２μｍである。また、上記誘電体磁器を誘電体層として適用することにより、高容量かつ容量温度特性の安定なコンデンサを形成できる。 （もっと読む）