【課題】 微細加工の困難性を回避しつつ、容量の抑制を図り、良好なチューナビリティを確保する。
【解決手段】 ＳｉＯ₂を含有する有機物溶媒を高誘電率層１６の主面上にスピンコートして加熱脱媒処理することで、低誘電率層１８が点在形成する。上面電極２０側から見ると、高誘電率層１６が電極間に挟まれた領域と、高誘電率層１６及び低誘電率層１８が電極間に挟まれた領域とが存在するようになる。これを等価回路として示すと、図１(C)のように、高誘電率層１６による容量Ｃ_HA及び低誘電率層１８による容量Ｃ_LAの直列接続に、高誘電率層１６による容量Ｃ_HBを並列接続した回路となり、電極１４，２０間の全容量は、Ｃ≒Ｃ_HB＋Ｃ_LAとなる。低誘電率層１８の占有面積を調節することにより、容量の増加を抑制しつつ、チューナビリティが確保される。 （もっと読む）

【課題】 所望の周波数における電圧印加によるＱ値の低下を抑制した可変容量素子を提供すること、挿入損失、位相特性を低減した可変フィルタなどを提供できるようにすること。
【解決手段】 下部電極層と、上部電極層と、下部電極層と上部電極層とに上下から挟まれ、上部電極層の密度に比べ大きい密度を有する誘電体層とを含み、下部電極層と上部電極層とへの電圧印加により生じるインピーダンスの位相特性が、入出力される信号の周波数に応じた周期的なピークを有するとともに、その隣合うピークの間に前記信号の周波数が位置することを特徴とする可変容量素子である。 （もっと読む）

【課題】低電力損失、低ノイズで交流（ＡＣ）電力制御ができる可変デバイスの高信頼性を確保する。
【解決手段】本発明の可変コンデンサの電極構造は、電流許容値を大きくするために、入出力電極１，２のサイズに対し、電流が流れないために制御電極３，４のサイズを小さくすることで、高価な材料の使用量を減らすことができる。 （もっと読む）

【課題】所望の周波数における電圧印加によるＱ値の低下を抑制した可変容量素子を提供すること、挿入損失、位相特性を低減した可変フィルタなどを提供できるようにすること。
【解決手段】 本発明の可変容量素子によれば、支持基板の上面に、一対の電極層と、これら電極層に上下から挟まれた、直流電圧の印加により誘電率が変化するとともに直流電圧の印加および高周波信号の印加により圧電性を示す誘電体層とが形成されており、支持基板は、下面の、誘電体層の下方に位置する部位を、誘電体層が発する音響波に対する散乱面とする。このことから、印加する高周波信号が多少変動してもＱ値が大きく変動することがなくなり、使用周波数範囲内で安定して高いＱ値を有するものとなる。 （もっと読む）

【課題】 印加電圧による容量変化が大きく、Ｑ値が高い可変容量コンデンサを提供すること。
【解決手段】 電歪材料から成る誘電体と、前記誘電体を挟持して静電容量領域を形成して成る第一電極と第二電極とを備えた可変容量コンデンサであって、前記誘電体は、前記静電容量領域の近傍部を挟持して電歪発生領域を形成して成る第三電極と第四電極とを備え、前記第三電極と前記第四電極との間に電界を印加することによって、前記第一電極と前記第二電極間の静電容量値を調整し得るようにしたことを特徴とする可変容量コンデンサである。 （もっと読む）

ここで提案されているのは、セラミックまたは結晶質の基板上に多層構造を有するコンデンサである。このコンデンサには、少なくとも１つの下側の電極（Ｅ１）と、上側の電極（Ｅ２）と、これらの間に配置されて調整可能な誘電体（Ｄ）とが含まれており、この誘電体において共振的な振動モードが伝搬することが可能である。材料および厚さを適当に選択することにより、また上記の多層構造における層の数を選択することにより、この誘電体を調整して、上記の振動モードの共振周波数が、移動無線に使用される帯域幅の外側になるようにする。さらにここではこの調整可能なコンデンサを有する回路が提案される。この回路は、移動通信の端末装置にさまざま使用可能である。
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【課題】 外部から印加される直流バイアスによって容量が変えられるコンデンサにおいて、コンデンサ本体に備える電極の積層数を減じることができるとともに、直流バイアス印加に必要な電圧を低減できるようにする。
【解決手段】 コンデンサ本体２３に、直流バイアス印加用電極２５および容量取得用電極２６を設けるとともに、アース用電極２４を設け、アース用電極２４を、直流バイアス印加のための電極として機能させるばかりでなく、容量取得のための電極としても機能させる。 （もっと読む）

【課題】 所望の周波数における電圧印加によるＱ値の低下を抑制した可変容量素子を提供すること。
【解決手段】 一対の電極３，６とこれら一対の電極３，６に挟まれた圧電性を有する誘電体膜４とを備え、一対の電極３，６への電圧印加により誘電体膜４の比誘電率を変化させる可変容量素子において、一対の電極３，６の少なくとも一方の外側に音響反射要素２，７を備えた可変容量素子である。圧電性を示す誘電体膜４からの振動を電極３，６の外側に配置した音響反射要素２，７によって音響的に絶縁することができ、誘電体膜４の振動を抑制することができるため、電圧印加の条件にかかわらず高いＱ値を有する可変容量素子を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 強誘電体薄膜２０上に容量電極３０を有する可変容量素子において、容量電極３０の一部が比較的参加しやすい金属で構成されている場合でも、大きな容量変化率を得られる可変容量素子を提供する。
【解決手段】 強誘電体薄膜２０は一般式Ａ_XＢＯ₃で表されるペロブスカイト型構造を有し、前記一般式中でＡはＢａ，Ｓｒ，Ｃａから選択される少なくとも一種を含み、前記一般式中でＢはＴｉ，Ｚｒ，Ｓｎ，Ｈｆから選択される少なくとも一種を含み、前記Ｘが０．８５≦Ｘ≦０．９０を満たす。 （もっと読む）

【課題】 直流バイアス電圧の印加により容量を大きく変化できるが、高周波信号による非線形歪み等は小さく抑えることができる薄膜コンデンサアレイを提供する。
【解決手段】 Ｍ個の薄膜コンデンサが積層されて並列に接続された薄膜コンデンサ素子をＮ個直列接続して第１〜第Ｎの可変容量形成部Ｃ１〜Ｃ３を形成し、第１の可変容量形成部Ｃ１の入力端子側端子部と第２ｉの可変容量形成部Ｃ２および第２ｉ＋１の可変容量形成部Ｃ３間の接続点との間に第ｉの入力端子側バイアスラインＶ11を設け、かつ第Ｎの可変容量形成部Ｃ３の出力端子側端子部と第２ｉ−１の可変容量形成部Ｃ１および第２ｉの可変容量形成部Ｃ２間の接続点との間に第ｉの出力端子側バイアスラインＶ21を設けた薄膜コンデンサアレイである。高周波信号による非線形歪みが抑えられ、耐電力に優れるとともに、直流バイアス電圧による容量の変化は大きくできる。 （もっと読む）