【課題】 印加電圧による容量変化が大きく、Ｑ値が高く、温度特性の良好な可変容量コンデンサを提供すること。
【解決手段】 第１のコンデンサＣ１とインダクタＬと可変容量素子Ｃｔとが直列に接続され、これら直列に接続された第１のコンデンサＣ１、インダクタＬおよび可変容量素子Ｃｔに第２のコンデンサＣ２が並列に接続されているとともに、第１のコンデンサＣ１と第２のコンデンサＣ２とが静電的に結合している可変容量コンデンサである。第１のコンデンサＣ１および第２のコンデンサＣ２を構成する誘電体にはＱ値の高い誘電体材料を用いることができる。また、全体の容量変化は可変容量素子Ｃｔの容量変化とともに、静電的に結合している第１のコンデンサＣ１と第２のコンデンサＣ２との結合の度合いおよび容量比によっても調整することができるので、印加電圧による容量変化が大きく、Ｑ値が高く、温度特性の良好な可変容量コンデンサとなる。 （もっと読む）

【課題】 直流バイアスによる容量変化率を大きくしつつ、高周波信号による容量変化率は小さい可変コンデンサを提供すること。
【解決手段】 直列に接続された、直流バイアス電圧により容量の変化する複数の可変容量素子Ｃ１〜Ｃ５と、これら各可変容量素子Ｃ１〜Ｃ５に接続された、直流バイアス電圧を印加するバイアスラインＢ11〜Ｂ15，Ｂ21〜Ｂ25とを具備する可変コンデンサであって、バイアスラインＢ11〜Ｂ15，Ｂ21〜Ｂ25は抵抗成分およびインダクタンス成分の少なくとも一方を有するとともに抵抗成分およびインダクタンス成分が高周波信号を遮断する大きさであり、かつバイアスラインＢ11〜Ｂ15，Ｂ21〜Ｂ25にかかる直流バイアス電圧の分圧は可変容量素子Ｃ１〜Ｃ５にかかる直流バイアス電圧の分圧よりも小さく、バイアスラインＢ11〜Ｂ15，Ｂ21〜Ｂ25の抵抗値は温度が上がるとともに下がる可変コンデンサとする。 （もっと読む）

【課題】 波形歪みや相互変調歪みが小さく、耐電力に優れた、低損失な可変共振回路を提供する。
【解決手段】 高周波信号の入力端子Ｉと出力端子Ｏとの間に印加電圧により誘電率が変化する薄膜誘電体層を用いた複数の可変容量素子Ｃ１〜Ｃ４が直列接続されており、印加電圧の高電位側の第１バイアスラインＢ11，Ｂ12，Ｂ13と低電位側の第２バイアスラインＢ21，Ｂ22とが、複数の可変容量素子の両端および各素子間に交互に接続されていることから、バイアス信号による可変容量コンデンサの容量変化率を最大限に利用して広い周波数範囲にわたり共振周波数を変化させることができ、かつ、高周波電子部品において波形歪みや相互変調歪みが小さく、耐電力に優れた、高周波でも低損失な可変容量コンデンサとすることができる。 （もっと読む）

バラクタは、所与の電圧が第１および第２導電層にわたって印加されるよう互いに離間して配された第１および第２導電層より構成される。さらに、絶縁構造は、前記第１および第２導電層の間に配された、少なくとも１つの絶縁層を含み、前記第１および第２導電層間のデバイスキャパシタンス値が所与の電圧に応じて変化するよう、前記第１および第２導電層と協働して所与の電圧の変化に応じて変化する電荷プールを作り出すよう構成される。この絶縁構造は少なくとも１つの層、２つの別個の層、またはこれ以上の別個の層を含んでよい。これらの層の１つ以上はアモルファス材料であってよい。ゼロバイアス電圧バージョンのバラクタも記載される。
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