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国際特許分類[H01G7/06]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | コンデンサ;電解型のコンデンサ,整流器,検波器,開閉装置,感光装置また感温装置 (21,977) | 機械的でない手段によって容量を変えるコンデンサ;その製造方法 (140) | 与えられる電圧によって誘電率が変化するように選択された誘電体をもつもの,すなわち強誘電性コンデンサ (64)

国際特許分類[H01G7/06]に分類される特許

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【課題】本発明のアンテナ装置は、帯域幅の広い周波数帯域における送受信を実現することができるアンテナ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のアンテナ装置は、強誘電体材料を用いた容量可変キャパシタC2と、前記容量可変キャパシタC2と直列に接続されたキャパシタC1と、前記キャパシタC1と並列に接続されたスイッチと、前記容量可変キャパシタC2と前記キャパシタC1とに接続されたアンテナ素子ANTと、を備えたものである。 (もっと読む)


【課題】簡易な構造で効率的に共振器間の結合容量を可変にすることができ、かつ集積化に適したチューナブルフィルタを提供する。
【解決手段】チューナブルフィルタ10は、2以上の共振器12a、12bと、前記共振器12a、12bと同一基板上に形成され、互いに隣接する共振器12a、12bの間に設けられる可変容量結合部Aを配置し、可変容量結合部Aに直流バイアスを印加することにより、容量を変化させ共振器12a、12b間の結合を変えてチューナブルフィルタ10の帯域周波数を制御する。 (もっと読む)


【課題】好適な一体型セラミック逆F強誘電体アンテナを提供する。
【解決手段】カウンターポイズ102と、セラミックブロックと、逆F構造ラジエータ104と、バイアス電圧フィード300金属インレイと、ギャップキャパシタ112と、バイアス電圧ブロックキャパシタ310とを備え、ギャップキャパシタは、可変比誘電率を有する強誘電体材料を使用した誘電体から形成され、ラジエータの第2の端部108とカウンターポイズ102との間に挿入される。アンテナ100は、ギャップキャパシタの強誘電体材料の比誘電率に応答する周波数で共振する。 (もっと読む)


【課題】 容量値の制御性に優れ、チューナビリティが変化しない可変容量コンデンサアレイ及び可変容量コンデンサリレーを提供すること。
【解決手段】 第1端子と第2端子との間に可変容量素子が複数個直列に接続され、第1端子とこの第1端子から数えて1個目の可変容量素子との接続点,各可変容量素子間の接続点及び第2端子から数えて1個目の可変容量素子と第2端子との接続点に、第1端子側から順に第1個別バイアスライン及び第2個別バイアスラインが交互に接続された可変容量コンデンサと、第2端子に接続された個別信号端子と、を具備する、複数個の可変容量コンデンサストリングと、複数個の可変容量コンデンサストリングの第1端子が接続された共通信号端子と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】 小型で信頼性が高くしかも製造が容易な共振器およびそれを用いた電子機器を提供すること。
【解決手段】 2つの音響インピーダンス変換器T1,T2と、これら2つの音響インピーダンス変換器T1,T2により音響インピーダンスが付与される圧電体20とを備える共振器であって、2つの音響インピーダンス変換器T1,T2の少なくとも一方は、直流電圧の印加によって誘電率が変化し且つ圧電体20と上下方向に重なる位置に配置される誘電体21と、誘電体21と圧電体20との間に介在される中間電極11とを含んで構成されている。 (もっと読む)


【課題】直流電流の通電を抑制した可変容量素子を提供することを目的としている。
【解決手段】強誘電体層2を介して平板型電極3a,3bを対向配置した第1の容量素子3と、強誘電体層2上に形成するとともに櫛型電極4a,4bを対向配置した第2の容量素子4とを有し、平板型電極3a,3bと櫛型電極4a,4bとを強誘電体層2を介して互いに対向させずに、一方の平板型電極3aと一方の櫛型電極4aとを電気的に接続した構成である。 (もっと読む)


【課題】製造工程が容易になり、また、信頼性及び耐久性に優れ、チューニング範囲に制限のない電気湿潤現象を用いた可変キャパシタを提供する。
【解決手段】第1電極211と、第1電極211から隔てて設けられた第2電極212と、第1電極211と第2電極212との間に形成された流体チャネル230と、第1電極と前記流体チャネルとの間に設けられた第1絶縁膜221と流体チャネル230の内部に配置され、第1及び第2電極間でDC電位差が発生することで流体チャネル230に沿って移動する導電性流体240と、を含む。 (もっと読む)


【課題】誘電体膜の表面粗さによって生じる誘電体膜段部におけるリーク電流および絶縁破壊を抑制し、可変容量コンデンサの絶縁性を向上すること。
【解決手段】支持基板上1に下部電極層2、誘電体層3および上部電極層4を順次被着してなるとともに、上部電極層4に覆われた第一領域a−bと、第一領域以外の第二領域b−cとを備え、誘電体層3の第二領域の厚さが第一領域に比べて薄くなる段部を有し、第二領域の表面粗さが第一領域の表面粗さよりも小さくすること。 (もっと読む)


【課題】 印加電圧に対する静電容量の変化が大きくかつQ値が高い可変容量コンデンサを提供する。
【解決手段】 第1および第2電極層2,3は、導電材料から成り、互いに対向して設けられる。第1および第2電極層2,3間には、電歪材料から成る第1誘電体層4が介在する。第1誘電体層4には、積層方向Aに垂直な方向の引張力が、引張力付与手段5によって付与される。引張力付与手段5は、互いに対向して設けられ、導電材料から成る第3および第4電極層6,7と、第3および第4電極層6,7間に介在し、圧電材料から成る第2誘電体層8とを含み、第3電極層6は、第1電極層2に積層される。 (もっと読む)


【課題】 バイアス電圧の低電圧化と静電容量変化率の最大化が両立可能な可変キャパシタを得る。
【解決手段】 複数の第一の容量電極4と複数の第一のバイアス電極6が誘電体を介して交互に積層された第一の容量部と、複数の第二の容量電極5と複数の第一のバイアス電極7が誘電体を介して交互に積層された第二の容量部と、バイアス電極6aとバイアス電極7aが誘電体を介して対向している可変容量部で構成されている。 (もっと読む)


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