【課題】 実装面積の増大を抑制しつつ、周波数可変発振器に用いられる可変容量素子の大容量化を図る。
【解決手段】 周波数可変発振器には、帰還回路Ｂ１１が形成された半導体チップ１１が設けられるとともに、ＳＡＷ振動子Ｗ１１および可変容量コンデンサＣ１１は半導体チップ１１上に積層され、ＳＡＷ振動子Ｗ１１を構成する薄膜圧電体層１４を用いることで、可変容量コンデンサＣ１１を形成する。 （もっと読む）

【課題】 印加電圧による特性の制御が容易な容量可変回路および通信装置を提供すること。
【解決手段】 固定容量コンデンサＣｄ１〜Ｃｄ５と印加電圧により比誘電率が変化する薄膜誘電体層を用いた可変容量コンデンサＣｔ１〜Ｃｔ５とが直列に接続され、これら固定容量コンデンサＣｄ１〜Ｃｄ５と可変容量コンデンサＣｔ１〜Ｃｔ５との間に印加電圧が供給されるコンデンサ対Ａ〜Ｅが複数接続されており、複数のコンデンサ対Ａ〜Ｅの可変容量コンデンサＣｔ１〜Ｃｔ５の印加電圧に対する比誘電率の変化が略同一であり、複数のコンデンサ対Ａ〜Ｅへの印加電圧が共通に供給されている容量可変回路である。各コンデンサ対Ａ〜Ｅの可変容量コンデンサＣｔ１〜Ｃｔ５に供給する印加電圧を共通にできるため、電圧制御が容易となる。 （もっと読む）

【課題】 耐湿信頼性に優れた薄膜コンデンサおよび可変容量コンデンサならびにそれを用いた電子部品を提供すること。
【解決手段】 支持基板上１に下部電極層２、誘電体層３および上部電極層４を順次被着してなるとともに、これらが絶縁体層５で被覆された容量発生部を設けており、下部電極層２および上部電極層４の少なくとも一方は、上面が下面より小さく、側面が上下方向に筋状の連続的な凹凸を有する斜面である薄膜コンデンサである。これにより、下部電極層２および上部電極層４の側面からの絶縁体層５の剥がれを有効に防止することができ、高い耐湿信頼性が得られる。 （もっと読む）

【課題】 所望する容量特性を精度良く得ることができ、印加電圧の極性に左右されない取り扱いの容易な可変容量コンデンサ，回路モジュールおよび通信装置を提供する。
【解決手段】 支持基板１上に、上下に配置された第１電極層２および第２電極層５と、これら２つの電極層２，５に挟まれた、直流バイアス電圧により誘電率が変化する誘電体層４とからなる可変容量素子Ｃ１〜Ｃ５が形成され、互いに隣り合う一方の可変容量素子の第２電極層５と他方の可変容量素子の第１電極層２とが電気的に接続されて直列に接続されているとともに、これら可変容量素子Ｃ１〜Ｃ５のそれぞれに、前記直流バイアス電圧を印加するための抵抗成分およびインダクタンス成分の少なくとも一方を含むバイアスラインが接続されている可変容量コンデンサである。各可変容量素子Ｃ１〜Ｃ５におけるリーク電流特性の違いが相殺され、印加電圧の極性を考慮する必要がなくなる。 （もっと読む）

【課題】 印加電圧による容量変化が大きく、Ｑ値が高く、温度特性の良好な可変容量コンデンサを提供すること。
【解決手段】 直列に接続された第１の可変容量素子および第１の容量素子と、直列に接続された第２の可変容量素子および第２の容量素子とが、第１の可変容量素子の外側と第２の容量素子の外側とを第１接続点で接続し、第２の可変容量素子の外側と第１の容量素子の外側とを第２接続点で接続して並列に接続され、第１の可変容量素子および第１の容量素子の間と第２の可変容量素子および第２の容量素子の間とに第３の容量素子が接続され、第１接続点および第２接続点の間に第４の容量素子が接続されているとともに、第３の容量素子と第４の容量素子とが静電的に結合しており、第１の接続点および第２の接続点が端子に接続されていることを特徴とする可変容量コンデンサ。 （もっと読む）

【課題】 加速度が印加された状態でも所望の特性を得ることが可能な圧電駆動型ＭＥＭＳ装置を得ることを可能にする。
【解決手段】 基板２上に設けられた支持部６と、支持部上に支持され、圧電膜１３および圧電膜を駆動する駆動電極１２、１４を備えた圧電アクチュエータ１０と、を備え、圧電アクチュエータの圧電膜は長手方向に沿って延在するスリット２０を有している。 （もっと読む）

【課題】 印加電圧制御方法が容易で、高耐電力，低歪み等の特性に優れた可変容量コンデンサを提供する。
【解決手段】 一対の容量電極に直流バイアス電圧により誘電率が変化する薄膜誘電体層が挟持された可変容量素子を具備しており、容量−電圧曲線が、容量値が最大となる電圧値における容量軸と平行な直線に対して、非対称である可変容量コンデンサである。印加電圧の制御が容易な可変容量コンデンサすることができる。また、この可変容量素子が複数個直列に接続されているとともに、これら可変容量素子に直流バイアス電圧を印加するバイアスラインが接続されているときには、直流バイアス電圧による容量変化率を最大限に利用して可変することができ、かつ波形歪みや相互変調歪みが小さく、耐電力に優れた可変容量コンデンサとすることができる。 （もっと読む）

【課題】 所望の誘電特性を有する可変容量素子を誘電体材料を変えることなく実現する。
【解決手段】（１１０）面ＬｉＴａＯ₃単結晶基板上に（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ₃誘電体膜を化学溶液法により作製する。得られる（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ₃誘電体膜は面内方向で誘電特性に異方性があるため、櫛形電極のレイアウトを変更するだけで所望の誘電特性を有する可変容量素子を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】 印加電圧による容量変化が大きく、Ｑ値が高く、温度特性の良好な可変容量コンデンサを提供すること。
【解決手段】 第１のコンデンサＣ１とインダクタＬと可変容量素子Ｃｔとが直列に接続され、これら直列に接続された第１のコンデンサＣ１、インダクタＬおよび可変容量素子Ｃｔに第２のコンデンサＣ２が並列に接続されているとともに、第１のコンデンサＣ１と第２のコンデンサＣ２とが静電的に結合している可変容量コンデンサである。第１のコンデンサＣ１および第２のコンデンサＣ２を構成する誘電体にはＱ値の高い誘電体材料を用いることができる。また、全体の容量変化は可変容量素子Ｃｔの容量変化とともに、静電的に結合している第１のコンデンサＣ１と第２のコンデンサＣ２との結合の度合いおよび容量比によっても調整することができるので、印加電圧による容量変化が大きく、Ｑ値が高く、温度特性の良好な可変容量コンデンサとなる。 （もっと読む）

【課題】 高周波領域においても高いＱ値を有するとともに、直流バイアス電圧による容量変化率を大きくしつつ、高周波信号による容量変化率は小さい可変コンデンサを提供すること。
【解決手段】 直列に接続された、直流バイアス電圧により容量の変化する複数の可変容量素子Ｃ１〜Ｃ５と、これら可変容量素子Ｃ１〜Ｃ５に接続された、直流バイアス電圧を印加するバイアスラインＢ11，Ｂ12，Ｂ21，Ｂ22とを具備し、所定の周波数帯域の高周波信号が入力される可変コンデンサであって、バイアスラインＢ11，Ｂ12，Ｂ21，Ｂ22のインピーダンスは、前記周波数帯域において、可変容量素子Ｃ１〜Ｃ５のインピーダンスより大きく、かつ可変コンデンサＣ１〜Ｃ５のＱ値に実質的に寄与しない可変コンデンサである。高周波領域において高いＱ値を有し、高周波信号による容量変化率が小さいものとなる。 （もっと読む）