【課題】薄膜キャパシタ等に用いた場合に、高いチューナビリティを発現させ得る誘電体薄膜を形成する方法及び該方法により得られた誘電体薄膜を有する薄膜キャパシタとチューナブルデバイスを提供する。
【解決手段】Ｂａ_1-xＳｒ_xＴｉ_yＯ₃（０．２＜ｘ＜０．６、０．９＜ｙ＜１．１）の誘電体薄膜をゾルゲル法で形成するときに、塗布から焼成までの工程は２〜９回行い、初回の焼成後に形成される薄膜の厚さは２０〜８０ｎｍとし、２回目以降の焼成後に形成される各薄膜の厚さは２０〜２００ｎｍ未満とし、初回から２〜９回までのそれぞれの焼成は大気圧雰囲気下、昇温速度１〜５０℃／分で５００〜８００℃の範囲内の所定の温度まで昇温させることにより行い、誘電体薄膜の総厚は１００〜６００ｎｍとする。 （もっと読む）

【課題】配向基板上に高速、安価で容易にエピタキシャル薄膜を成長させる。
【解決手段】配向基板上に、燃焼化学蒸着法（ＣＣＶＤ）などを用いてペロブスカイト系誘電層を形成する。ＣＣＶＤ装置１００の供給端１０２に供給される前駆物質は、別の供給口１０６から供給される酸素と反応し、生成物を基板Ｓに堆積させる。コンデンサにおける誘電体としては、ＭｇＯ単結晶基板を用い、有機金属化合物を前駆物質としてＳｒＴｉＯ_３を形成するほか、ＢａＳｒＴｉＯ_３形成技術などを得る。 （もっと読む）

【課題】積層型容量素子の電極抵抗をより低減して、より高性能の積層型容量素子を提供する。
【解決手段】第１電極２１と、第２電極２２と、第３電極２３と、第４電極２４と、第１誘電体部１１と、第２誘電体部１２と、第３誘電体部１３とを備える静電容量素子１０を提供する。第１電極２１及び第４電極２４は、一方の極性の信号が印加される電極とし、第２電極２２及び第３電極２３は、他方の極性の信号が印加される電極とする。また、第３電極２３は、第２電極２２と対向する位置に配置される。そして、第１誘電体部１１は、第１電極２１及び第２電極２２間に設けられ、第２誘電体部１２は、第２電極２２及び第３電極２３間に設けられ、第３誘電体部１３は、第３電極２３及び第４電極２４間に設けられるように構成する。 （もっと読む）

【課題】小容量の可変容量キャパシタを実現する。
【解決手段】本可変容量キャパシタは、開口が形成されており且つ当該開口の両側の部分が素子の長辺方向に伸びており且つその一方の長辺側の第1外部電極に接続される端部を有する第1の引出部と、第1の引出部の開口を上記両側から架橋するように形成された第1対向領域とを備え、第1セラミック誘電体層の上面上に配置された第1内部電極と、先端が第1の引出部の開口の投影領域内に配置され且つ第1対向領域の投影領域と交差するように配置された第2の対向領域と、第2対向領域より素子の長辺方向に幅広に形成され且つその他方の長辺側の第2外部電極に接続される端部を有する第2引出部とを備え、第1セラミック誘電体層の下面上に配置された第2内部電極と、第1内部電極に対向するように形成される第1ダミー内部電極と、第2内部電極に対向するように形成される第2ダミー内部電極とを有する。 （もっと読む）

【課題】誘電体層を挟んで対向する電極間の位置ずれによる容量の変化を抑制して、所望の容量を有する静電容量素子を安定して製造する。
【解決手段】本発明の静電容量素子は、誘電体層１０と、誘電体層１０の所定面１０ａ上に形成された第１電極１１と、誘電体層１０の前記所定面１０ａとは反対側の面１０ｂ上に形成された第２電極１２とを備える構成とする。そして、第１電極１１が第２電極１２に対して所定方向に相対的に位置ずれを起こしても、第１電極１１及び第２電極１２間の対向電極領域の面積が変化しないように、第１及び第２電極１１，１２の形状を設定する。 （もっと読む）

【課題】信号電圧に対する耐圧性能とは無関係に、制御端子間の制御電界の感度を設定できる可変容量素子及びそれを備えた電子機器を提供する。
【解決手段】可変容量素子において、誘電体層と、誘電体層の一方の面上に対向して配置された一対の信号電極と、誘電体層の一方の面上に配置された一対の制御電極とを備える構成する。そして、本発明では、一対の制御電極を一対の信号電極の対向方向と交差する方向に対向して配置する。 （もっと読む）

【課題】 バリキャップダイオードを用いず、少ない層構造でカップリングコンデンサと可変容量コンデンサとを有する低コストの可変容量コンデンサ部品を提供する。
【解決手段】 絶縁性基板１１と、該絶縁性基板１１上にパターン形成された一対の下部電極１２と、絶縁性基板１１上及び下部電極１２上にパターン形成された強誘電体薄膜１３と、一対の下部電極１２の直上かつ強誘電体薄膜１３上にパターン形成され一対のカップリングコンデンサを構成する一対の端子電極１４と、一対の下部電極１２の両方の直上に跨って配されて強誘電体薄膜１３上にパターン形成され可変容量コンデンサを構成する上部電極１５と、強誘電体薄膜１３上にパターン形成され一対の下部電極１２に接続された一対の制御電圧電極１６と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】高温でも動作する可変容量素子を提供する。
【解決手段】基板１の上側に、ダイヤモンド半導体２、第１の金属電極３、第１の絶縁膜４、および第２の金属電極５が形成されており、前記ダイヤモンド半導体は、基板側から順に、ドーパント濃度が２×１０²⁰ｃｍ^-3以上の高濃度ドープダイヤモンド半導体２２とドーパント濃度が５×１０¹⁷ｃｍ^-3以下の低濃度ドープダイヤモンド半導体２１とで構成されており、且つ、前記高濃度ダイヤモンド半導体２２および第１の金属電極３は電気的に接続されており、前記第１の絶縁膜４は、前記低濃度ダイヤモンド半導体２１と前記第２の金属電極５との間に介在していることを特徴とする可変容量素子。 （もっと読む）

【課題】低周波信号カット用コンデンサ部と可変コンデンサ部とを組み合わせた１つの部品として導電ロスが少なくなる可変コンデンサを提供する。
【解決手段】（ａ）一対の電極層２２，２６と、（ｂ）一対の電極層２２，２６の間に挟持され、制御電圧の印加により誘電率が変化する誘電体層と、（ｃ）一対の電極層２２，２６と誘電体層とによって形成された、複数のコンデンサ部６，８とを備える。コンデンサ部６，８は、制御電圧の印加により容量が変化する可変コンデンサ部６と、可変コンデンサ部６以外の低周波信号カット用コンデンサ部８とを、少なくとも１つずつ含む。少なくとも一つの低周波信号カット用コンデンサ部８は、少なくとも一つの可変コンデンサ部６の外周を取り囲むように、当該可変コンデンサ部６の外側に形成されている。 （もっと読む）

【課題】等価直列抵抗ＥＳＲ（Ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ Ｓｅｒｉｅｓ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）を低減することができるコンデンサを提供する。
【解決手段】コンデンサは、（ａ）一対の電極層１５，１７と、（ｂ）一対の電極層１５，１７の間に配置された誘電体層１６と、（ｃ）一対の電極層１５，１７にそれぞれ接続された一対の引き出し電極３０ｓ，３２；３０ｔ，３４とを備える。一方の電極層１５は、電極層１５，１７及び誘電体層１６が積層された方向から透視したとき、（ｉ）一対の電極層１５，１７が誘電体層１６を介して対向する容量発生部に重なる中心部１５ｐと、（ii）中心部から外側に延在し、かつ中心部を全周に渡って連続的に取り囲む外周部１５ｑとを有する。一方の引き出し電極３０ｓは、一方の電極層１５の外周部１５ｓに１箇所で接続され、当該接続面は中心部１５ｐを全周に渡って連続的に取り囲む。 （もっと読む）