【課題】基板１上に順次積層された第一の絶縁材料層３ａと第二の絶縁材料層３ｂで構成された段差形成部材４の上面にゲート７を有し、第一の絶縁材料層３ａの側面部２０に先端がゲート７に対向するカソード８が設けられた電子放出素子の製造に際し、カソード８の断線を防止しつつ均一な電子放出特性の電子放出素子を製造できるようにし、もって安定した性能の電子線装置及び画像表示装置を歩留まりよく製造できるようにする。
【解決手段】第一の絶縁材料層３ａの側面部２０の上端から高さ方向中間部までの上段側面部２１の傾斜角θ１を８０度乃至９０度とすると共に、高さ方向中間部から下端までの下段側面部２２の傾斜角θ２が８０度より小さく、しかも上段側面部２１の高さＴ１を５乃至１５ｎｍとした側面部２０に対して、カソード８の構成材料を基板１の表面に対する垂直方向から供給してカソード８を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板上に配置され、該基板の表面から立ち上がる少なくとも一の側面部を有する絶縁部材と、該絶縁部材の上面に設けられたゲートと、前記側面部の前記ゲートの直下に形成された凹部と、該凹部の下縁から上方へ突起し、該下縁の長さ方向に複数の頂部が形成された突起部を有するカソードとを備えた電子放出素子について、電子放出特性の向上を計る。
【解決手段】１．０Ｐａよりも低い全圧下のスパッタリング法で形成した第一の導電材料層６ａでカソード６を形成し、１．０Ｐａ以上２．８Ｐａ以下の全圧下のパッタリング法で第二の導電性材料層を形成し、該第二の導電性材料層をエッチングして、突起部の頂部８の内側斜面に残留させた第二の導電材料層で副頂部９を形成して電子放出点を増やす。 （もっと読む）

【課題】素子毎で電子放出特性のばらつきが少ない電子放出素子、電子放出素子を用いた電子線装置、及び電子線装置を用いた画像表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ゲートと、上面にゲートを有し、ゲート直下の側面に凹部を有する絶縁部材と、突起部分を有し、突起部分の先端が凹部を介してゲートに向き合っているカソードと、を備える電子放出素子の製造方法であって、金属を含み不動態を形成可能な部材からなるゲート、を上面に有する絶縁部材を形成した後、ゲートの表面に不動態膜を形成することを特徴とする電子放出素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 カソードからゲートに対して電子が放出される電子放出素子において、ゲートが熱膨張した場合、カソードとの距離が縮まるため更にカソードからの電子放出量や電子それぞれの運動エネルギーが増加する。増加した電子放出量や電子の運動エネルギーによって、ゲートがさらに熱膨張するという正帰還が発生する場合があった。
【解決手段】 カソードからゲートに対して電子が放出される電子放出素子において、ゲートが熱膨張した際に、ゲートとカソードとの距離が離れる構造を備える電子放出素子である。 （もっと読む）

【課題】 電子放出特性に優れる電子放出素子を提供する。
【解決手段】 カソードと該カソードから電界放出された電子が照射されるゲートとを備える電子放出素子であって、前記ゲートは、前記カソードから電界放出された電子が照射される部分に、モリブデンと酸素とを含む層を少なくとも有しており、前記層が、透過電子顕微鏡を用いた電子エネルギー損失分光法によるスペクトル測定において、３９７ｅＶ〜４０１ｅＶの範囲と４１４ｅＶ〜４１８ｅＶの範囲と５３４ｅＶ〜５３８ｅＶの範囲と５４０ｅＶ〜５４７ｅＶの範囲のそれぞれにピークを有する。 （もっと読む）

【課題】段差形成部材２の上面に設けられたゲート５と、段差形成部材２の側面２０におけるゲート５の直下に形成された凹部７と、段差形成部材２の側面２０に設けられ、上端に凹部７の下縁から上縁に向かって突起した突起部６ａを有するカソード６とを備えた電子放出素子について、電子放出効率を向上させると同時に、素子に流れる電流のバラツキを抑制する電流制限用の抵抗層を素子の構成部材の一部として組み込む。
【解決手段】段差形成部材２の側面２０は、凹部７の下縁から高さ方向中間部３０までの上段２１の傾斜角θ１より、高さ方向中間部３０から下端までの下段２２の傾斜角θ２が大きくなっており、しかもカソード６の上段２１の部分である上段カソード部分６ｂよりもカソード６の下段２２の部分である下段カソード部分６ｃの電気的抵抗値が大きい電子放出素子とする。 （もっと読む）

【課題】 安定した電子放出特性と低い仕事関数とを両立した電子放出素子を提供する。
【解決手段】 ランタンの酸化物とモリブデンの酸化物とが混合されたカソードを備えることを特徴とする電界放出型電子放出素子。 （もっと読む）

【課題】電子放出電流の増大と、ビーム径の集束とを同時に実現する電子放出素子を提供する。
【解決手段】第１の絶縁層２の第１の側面２１に第１の低電位側電極４を、第２の側面２２に第１の高電位側電極５を配置し、第１の絶縁層２上に第２の絶縁層３を介して第２の低電位側電極６を配置し、さらに、低電位側電極６の上に第３の絶縁層７を介して第２の高電位側電極８を配置し、第１の低電位側電極４と第２の高電位側電極８との間隙９と、第１の高電位側電極５と第２の低電位側電極６との間隙１０とからそれぞれ電子放出を行う。 （もっと読む）

【課題】 電子放出特性に優れる電子放出素子および画像表示装置を提供する。
【解決手段】 モリブデンを含む電子放出膜を備える電子放出素子であって、前記電子放出膜の表面をＸ線光電子分光法により測定して得られるスペクトルにおいて、２２９±０．５ｅＶの範囲に第１のピークが存在し、且つ、２２８．１±０．３ｅＶの範囲にサブピークが存在することを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成でアノードへの電子の到達効率の高い電子放出素子を提供する。
【解決手段】 基板１上に積層された絶縁部材３とゲート５を備え、絶縁部材３の側面にカソード６を配置し、カソード６は絶縁部材３の角部３２に沿って設けられた複数の突出部１６を有し、ゲート５がカソード側に向かって伸びる複数の突出部１５を有する。 （もっと読む）