【課題】 高い量子効率が実現可能な紫外線用の光電陰極及びそれを備える電子管を提供する。
【解決手段】 本発明に係る光電陰極１は、単結晶の化合物半導体からなる支持基板１１と、支持基板１１上に設けられ、支持基板１１よりも小さなエネルギーバンドギャップを有し、支持基板１１を透過した入射光を吸収して光電子を発生させる光吸収層１３と、光吸収層１３上に設けられており光吸収層１３の仕事関数を低下させる表面層１５と、を備え、支持基板１１がＡｌ_{（１−Ｘ）}Ｇａ_ＸＮ（０≦Ｘ＜１）により形成されており、光吸収層１３が、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎよりなる群から選ばれる少なくとも一種の成分とNとからなる化合物半導体により形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板、バッファ層、歪み超格子層の材料選択の自由度を持たせた状態で、スピン偏極度と外部量子効率の高いスピン偏極電子発生素子を実現すること。
【解決手段】基板と、バッファ層と、バッファ層上に形成された歪み超格子層とを有するスピン偏極電子発生素子において、基板とバッファ層との間に、バッファ層を構成する結晶の格子定数よりも大きな格子定数を有する結晶から成る中間層を介在させた。これにより、バッファ層には、引張歪みにより基板に垂直な方向へのクラックが発生し、モザイク状となる。この結果、バッファ層上に成長させる歪み超格子層には、斜め方向の滑り転位が伝播しないために、歪み超格子層の結晶性が改善される。この結果、励起される電子のスピン偏極度と偏極電子の外部量子効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】光の検出感度に優れた光電陰極を提供すること。
【解決手段】光電陰極Ｅ１の支持基板２側から被検出光が入射すると、光吸収層３がこの検出光を吸収して光電子を発生する。しかしながら、光吸収層３の厚さ等に因っては、被検出光は光吸収層３で十分に吸収されることなく、かかる光吸収層３を透過してしまうことがある。この場合、光吸収層３を透過した被検出光は、電子放出層４に達することとなる。電子放出層４に達した検出光の一部は、表面電極５の貫通孔５ａに向かって進む。表面電極５において、貫通孔５ａの幅ｄ１は被検出光の波長よりも短く、更に貫通孔５ａは周期性を有さずに配されている。そのため、被検出光が貫通孔５ａから外部放出されてしまうことを確実に防げる。外部放出が抑制された被検出光は、電子放出層４の露出表面で反射し、光吸収層３に再び入射して吸収される。 （もっと読む）

【課題】光の検出感度に優れた光電陰極を提供すること。
【解決手段】光電陰極Ｅ１の支持基板２側から被検出光が入射すると、光吸収層３がこの検出光を吸収して光電子を発生する。しかしながら、光吸収層３の厚さ等に因っては、被検出光は光吸収層３で十分に吸収されることなく、かかる光吸収層３を透過してしまうことがある。光吸収層３を透過した被検出光は、電子放出層４に達する。電子放出層４に達した検出光の一部は、コンタクト層５の貫通孔５ａに向かって進む。貫通孔５ａの対角線の長さｄ１は被検出光の波長よりも短くなっているので、被検出光が貫通孔５ａを通り抜けて外部に放出されてしまうことを抑制できる。外部放出が抑制された被検出光は、電子放出層４の露出表面で反射し、光吸収層３に再び入射して吸収される。 （もっと読む）

【課題】簡便にパルス光を所望の形状に整形することができるパルス整形装置、パルス整形方法、及びそれを用いた電子銃を提供する。
【解決手段】本発明の一態様にかかるパルス整形装置は、パルス光を２本の光ビームに分岐する分岐用ＰＢＳ２８と、分岐用ＰＢＳ２８によって分岐された２本の光ビームを合成する合成用ＰＢＳ２９と、分岐用ＰＢＳ２８から合成用ＰＢＳ２９に入射する２本の光ビームに光路長差を与えて、２本の光ビームのタイミングをずらす可動ミラー対２６と、分岐用ＰＢＳ２８と合成用ＰＢＳ２９との間の光路に配置され、合成用ＰＢＳ２９に入射する一方の光ビームを遮光可能な遮光部材３７と、を有している。そして、遮光部材３７によって一方の光ビームを遮光した状態で他方の光ビームに応じた測定を行い、パルス形状を調整している。 （もっと読む）

【課題】高い量子効率ＱＥが得られる偏極電子線発生素子を提供する。
【解決手段】偏極電子線発生素子１０の半導体基板１２の一面上において、バッファ層１５の格子定数α_bufferが、その上に成長させられた半導体光電層１６を構成する第１半導体層１６ａの格子定数α₁ と第２半導体層１６ｂの格子定数α₂ との間の値とされていることから、それら第１半導体層１６ａおよび第２半導体層１６ｂにおける引張および圧縮が交互になり、歪みが蓄積され難くなって格子欠陥の発生が減少するので、半導体光電層１６を構成する第１半導体層１６ａおよび第２半導体層１６ｂの積層回数を増加させることができ、高い量子効率ＱＥが得られる。 （もっと読む）

【課題】ｐ型不純物の異常拡散の発生を防止すること。
【解決手段】半導体光電陰極は、ｐ型の不純物がドープされ、且つ互いにヘテロ接合する第１および第２のIII−V族化合物半導体層を備える。第２のIII−V族化合物半導体層が光吸収層として機能し、第２のIII−V族化合物半導体層のエネルギーギャップは、第１のIII−V族化合物半導体層のそれより小さく、各半導体層におけるｐ型のドーパントとしては、Ｂｅ又はＣが用いられる。このとき、第２のIII−V族化合物半導体層は、第１のIII−V族化合物半導体層上に積層されていても良い。また、第１のIII−V族化合物半導体層と第２のIII−V族化合物半導体層は（Ｉｎ，Ｇａ，Ａｌ）と（Ａｓ，Ｐ，Ｎ）のうち少なくともそれぞれ一つ以上含んでいても良い。 （もっと読む）

電子デバイスが少なくとも１の論理関数を実行するために示されている。デバイスは、電子取出器に連結された電子放出式の電極配列を具える。電極配列は、光電陰極と、陽極と、光電陰極と陽極の間に規定され、キャビティのわきに配列された１又はそれ以上のゲートとを具える少なくとも１の基本ユニットを具える。１又はそれ以上のゲートは電圧電源ユニットに接続可能であり、１又はそれ以上の論理値のそれぞれに対応する１又はそれ以上の入力電圧信号によって動作する。陽極は、得られる論理関数の指標であるデバイスの電気出力が読み出される浮遊電極として機能する。陽極は、同じデバイスの別の陰極陽極ユニットの光電陰極に電気的に接続される、又は別の電子デバイスの電極に接続される。 （もっと読む）

【課題】光の検出感度に優れ、且つ小型化が可能な光電陰極、およびそのような光電陰極を用いた光電陰極アレイあるいは電子管を提供すること。
【解決手段】光電陰極１の第１の電極１２に光が入射すると、入射光に含まれる特定波長の光が第１の電極１２の表面プラズモンと結合し、第１の電極１２の貫通孔１８から近接場光が出力される。光吸収層６における貫通孔１８の周辺部分は、近接場光を吸収し、近接場光の強度に応じた量の光電子を発生して、貫通孔１８から外部に放出する。近接場光の強度は、特定波長の光の強度に比例しており、且つ当該光の強度よりも大きい。よって、貫通孔１８からは十分な量の光電子が放出されることとなる。貫通孔１８からは、光吸収層６のうち貫通孔１８の周辺部分にて発生した熱電子も放出されるが、放出される熱電子の量は、光吸収層６全体で発生する熱電子の合計量と比べて非常に少ない。 （もっと読む）

【課題】特定波長の光の検出感度に優れ、且つ容易に製造可能な光電陰極、およびそのような光電陰極を用いた電子管を提供すること。
【解決手段】光電陰極１のアンテナ層６に光が入射すると、入射光に含まれる特定波長の光がアンテナ層６の表面プラズモンと結合し、アンテナ層６の貫通孔１４から近接場光が出力される。出力される近接場光の強度は、特定波長の光の強度に比例しており、且つ当該光の強度よりも大きい。また、出力される近接場光は、光電変換層４にて吸収可能な波長を有している。光電変換層４は、貫通孔１４から出力された近接場光を受光する。光電変換層４における貫通孔１４の周辺部分は、近接場光を吸収し、近接場光の強度（受光量）に応じた量の光電子（ｅ⁻）を発生する。光電変換層４にて発生した光電子（ｅ⁻）は、光電陰極１の外部に出力される。 （もっと読む）