【課題】従来のものより２桁以上高い電流密度のスピン偏極電子線を生成できるスピン偏極電子発生装置を提供する。
【解決手段】スピン偏極電子発生装置１０において、励起光入射装置４６は、スピン偏極電子発生素子２２の半導体基板６２側から励起光を入射し超格子半導体光電層６６に収束させるものであることから、直列的に配設された貫通孔を有するアノード電極、ソレノイドレンズ、偏向電磁石（スピンマニピュレータ）を順次通してスピン偏極電子発生素子の表面に励起光を収束させる従来の場合に比較して、励起光入射装置４６の収束レンズ５４とスピン偏極電子発生素子２２との間の焦点距離ｆを少なくとも１／１０程度に大幅に短縮できるので、スピン偏極電子発生素子２２に収束される励起光Ｌのスポット径を格段に小さくすることができ、高い電流密度のスピン偏極電子線Ｂを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】実効的な量子効率について高い値を示すことができる光電面、それを備える電子管、及び光電面の製造方法を提供すること。
【解決手段】 光電面１０は、入射光を透過する基板１２と、ＨｆＯ_２からなる中間層１４と、下地層１６と、アルカリ金属を含む光電子放出層１８とを備える。すなわち、光電面１０は、基板１２と光電子放出層１８との間に形成された中間層１４を備える。 （もっと読む）

【課題】広い波長帯域の光に対して感度を有する半導体光電陰極を提供すること。
【解決手段】半導体光電陰極１は、透明基板１１と、透明基板１１上に形成され、透明基板１１を透過した光が通過可能な第１の電極１３と、第１の電極１３上に形成され、厚さが１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の半導体材料から構成される窓層１４と、窓層１４上に形成され、窓層１４と格子整合する半導体材料で構成されると共に、窓層１４よりもエネルギーバンドギャップが狭く、光の入射に応答して光電子を励起する光吸収層１５と、光吸収層１５上に形成され、光吸収層１５と格子整合する半導体材料で構成されると共に、光吸収層１５で励起された光電子を表面から外部へ放出する電子放出層１６と、電子放出層上に形成された第２の電極１８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 光電面におけるダメージを低減するとともに、電子ビームの加速を容易にする光電変換素子、及びこれを用いた電子線発生装置を提供すること。
【解決手段】 透過型カソードプラグは、レーザ光を照射されてレーザ光の照射方向に電子ビームを発生させる透過型の光電変換素子であって、照射方向に沿って複数の貫通孔３０６が設けられた光電面下地基板３０２と、光電面下地基板３０２の照射方向側の端面に沿って、複数の貫通孔３０６を覆うように形成された光電面３１とを備える。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体を用いた光電陰極において、広いダイナミックレンジを実現すると共に、高速でのゲート動作が可能な光電陰極及び電子管を提供すること。
【解決手段】
電子管に適用可能な光電陰極１０は、基板１１と、基板１１上に形成され、化合物半導体から構成されると共に、光の入射に応じて光電子放出面１４Ｅから光電子を放出する光吸収層１４と、基板１１から光吸収層１４に至る部位を同電位とするように、光電子放出面上１４Ｅに形成されると共に光電子放出面１４Ｅを露出する開口１５Ｈを有する電極層１５と、を備える。 （もっと読む）

【解決手段】ナノロッドアレイを作製する方法であって、基板にパターンを画定し、次に、イオンビーム照射により、基板にイオンを注入することを含んでいる。次に、基板の上に薄膜が形成される。薄膜の成長中、ナノトレンチが生成され、キャピラリー凝縮によるナノロッドの作製が促進される。得られたナノロッドは、支持マトリックスと整列されており、格子及び熱歪効果を受けない。ナノロッドの密度、サイズ及びアスペクト比は、イオンビーム照射及び薄膜成長条件を変えることによって調整可能であり、ナノロッドの放出効率を制御することができる。 （もっと読む）

【課題】安定して電子の放出し、且つ低電圧で印加するにもかかわらず電子の高出力を実現する。
【解決手段】放電セルの一面を構成するセル内陰極と、セル内陰極と対向して配置されたダイヤモンド隔壁と、セル内陰極とダイヤモンド隔壁の第１面の間に配置して密閉された空間を形成している絶縁体と、密閉された空間に封入された不活性ガスと、ダイヤモンド隔壁の第１面と反対の面である第２面と真空を隔てて対向に配置されている放電陽極と、セル内陰極とダイヤモンド隔壁の間をダイヤモンド隔壁を陽極側として電圧を印加する第１の電極と、ダイヤモンド隔壁と放電陽極との間を、放電陽極を陽極側として電圧を印加する第２の電源と、を備える。 （もっと読む）

【課題】十分な紫外域透過率を維持する導電層の導入によって、光電子の放出面が汚染されることを抑制しつつ、リニアリティ特性を大きく改善した光電面及び光電陰極を提供すること。
【解決手段】
光電面１は、紫外線が一方の面に入射されるガラス基板１１と、ガラス基板１１の一方の面と対向する他方の面に形成される接着層１２と、ガラス基板１１の他方の面の側に位置し、紫外線の入射に応じて光電子を生成するIII族窒化物半導体層１４と、接着層１２とIII族窒化物半導体層１４との間に位置する紫外域透明導電層１３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電界エミッタ配置、並びに、電界エミッタの放出面を清掃する方法を提供すること。
【解決手段】荷電粒子の一次ビーム（１５）を生成するようになっている、放出面（１１）を有する電界エミッタ・チップ（１０）と、電界エミッタ・チップ（１０）の放出面（１１）に照射するようになっている、少なくとも１つの電子源（２０）と、を備えた電界エミッタ配置（１００）が提供される。 （もっと読む）

【課題】 高い特性を有する光電面、並びに、それを備える光電子増倍管、Ｘ線発生装置、紫外線イメージ管及びＸ線イメージインテンシファイアを提供する。
【解決手段】 本発明に係る光電面は、基板上に、組成式Ｍｇ_ｘＺｎ_{（１−ｘ）}Ｏ（０＜ｘ＜１）にて表わされる酸化マグネシウムと酸化亜鉛との混晶層を製膜した光電面であって、真空中に光電子を放出することを特徴とする。この光電面によれば、（１）大面積の光電面が可能、（２）湾曲した基板やプラノコン面上に曲面の光電面を作製可能、（３）低コストで作製可能であり、高い特性が得られる。また、真空中で光電子を放出するため拡張性が高く、外部光電効果を利用するため高い光電効果を得ることができる。 （もっと読む）