整流接合を有する新規な光電陰極を提案し、各種装置及び暗視用器具における光電陰極に拡張可能なカラーイメージングを可能とすることである。
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【課題】 量子効率の高い光電面及びそれを備える電子管を提供する。
【解決手段】
光電面１０において、基板１２上にバッファー層１４、第１のＧａＮ層１６、及び第２のＧａＮ層１８がこの順で形成されている。第２のＧａＮ層１８にはＭｇがドープされており、第２のＧａＮ層１８は活性層として機能する。第２のＧａＮ層１８でのキャリア濃度は、５．０×１０^１７ｃｍ^−３以下である。また、第２のＧａＮ層１８に対してラマンスペクトル測定を行うことによって得られる波数７３５ｃｍ^−１でのラマンピーク強度に対する波数１４４ｃｍ^−１でのラマン強度の強度比は、０．２２以下である。 （もっと読む）

【課題】 チタンサファイアレーザからの励起光の波長帯域、及び該励起光により発生した蛍光の波長帯域の双方に感度を有する電界補助型且つ透過型の半導体光電陰極を提供する。
【解決手段】 半導体光電陰極１は、ガラス基板３と、Ａｌ_Ｘ１Ｉｎ_{（１−Ｘ１）}Ａｓ_Ｙ１Ｓｂ_{（１−Ｙ１）}（１≧Ｘ１≧０．４８、１＞Ｙ１≧０．５６）を含むｐ型半導体からなるコンタクト層５と、Ｉｎ_Ｘ２Ｇａ_{（１−Ｘ２）}Ａｓ_Ｙ２Ｐ_{（１−Ｙ２）}（１≧Ｘ２≧０．５３、１≧Ｙ２≧０）を含むｐ型半導体からなる光吸収層７と、ＩｎＰを含むｐ型半導体からなる電子放出層９と、電子放出層９に対する電圧印加パターンを有するｎ型半導体層１１と、電極１３及び１５と、仕事関数低下用の活性層１８とを備える。 （もっと読む）

【課題】
電子源あるいは電子増倍機構を持つ電子源は、現在よりも桁違いの長い寿命、大きな電流、高い品質、つまり輝度が高く、時間幅の狭い、発生数の高い電子源が求められている。
【解決手段】
ダイヤモンド膜に、ギャップエネルギーより十分高い数百eVから数百keV程度以上のエネルギーの1次高エネルギー励起量子を入射させて、この膜の価電子帯の電子を伝導帯へ励起することにより、空孔電子対を1次高エネルギー励起量子の数よりも百倍から十万倍程度以上多く生成し、この電子群をダイヤモンド膜内外の電界或いはこれらと共に拡散によって、負電子親和力を持つ表面層から百倍から十万倍程度以上の２次電子を引き出す。 （もっと読む）

【課題】 検出効率やイメージ品質を低下させる原因となるダークエミッションを低減可能な半導体光電陰極を提供する。
【解決手段】 半導体層１４は、電子放出層１３に向かうに従って半導体層１４のパターンの一方向［０−１−１］の幅が広くなる順メサ斜面領域ＭＪを有している。この半導体光電陰極Ｃは、電子放出層１３に向かうに従って半導体層１４のパターンの他方向［０１−１］の幅が狭くなる逆メサ斜面領域ＭＡを更に備えている。順メサ斜面領域ＭＪにおいて、ｎ型ＩｎＰの半導体層１４とｐ型ＩｎＰの電子放出層１３が接する部分においては、ダークエミッションが多くなる傾向がある。しかしながら、本例では、順メサ斜面領域ＭＪがＳｉＮの絶縁層１７で覆い隠されている為、電子はＳｉＮｘの絶縁層１７を突き抜けて真空中に飛び出すことが出来ず、電子放射源とはならない。したがってダークエミッションが少ない半導体光電陰極Ｃを形成することが出来る。 （もっと読む）

【課題】電子放出装置を軸の周りに回転させずに、電子ビームの位置を変化させることによりＸ線ビームの位置を変化させる。
【解決手段】電子放出器アセンブリは、第一の光ビーム（９６）及び第二の光ビーム（９８）を放出するレーザ（８０）と、第一の光ビームを光カソード（１１６）の第一の領域（１２２）に向かって反射する第一の動作位置まで移動し、第二の光ビームを光カソードの第二の領域（１４０）に向かって反射する第二の動作位置まで移動するように構成されている鏡（９２）を含んでいる。光カソードは、第一の光ビームが第一の領域に接触したときに第一の電子ビームを放出し、第二の光ビームが第二の領域に接触したときに第二の電子ビームを放出するように構成されている。電子放出器アセンブリはさらに、光カソードから第一及び第二の電子ビームを受光するように構成されているアノード（１１８）を含んでいる。 （もっと読む）

この発明は、アルカリ金属を安定的に発生させることのできる光電面又は二次電子放出面を形成するためのアルカリ金属発生剤等に関する。当該アルカリ金属発生剤（１）は、入射光に対応して光電子を放出する光電面、又は入射電子に対応して二次電子を放出する二次電子放出面の形成に使用される。特に、当該アルカリ金属発生剤（１）は、アルカリ金属イオンをカウンターカチオンとする少なくとも一種のモリブデン酸塩からなる酸化剤と、前記イオンを還元するための還元剤とを少なくとも含む。モリブデン酸塩はクロム酸塩よりも酸化力が弱いので、還元剤との酸化還元反応がクロム酸塩の場合に比べて緩やかに進行し、反応速度の制御が容易である。
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この発明は、アルカリ金属を安定的に発生させることのできる光電面又は二次電子放出面を形成するためのアルカリ金属発生剤等に関する。当該アルカリ金属発生剤（１）は、入射光に対応して光電子を放出する光電面、又は入射電子に対応して二次電子を放出する二次電子放出面の形成に使用される。特に、当該アルカリ金属発生剤（１）は、アルカリ金属イオンをカウンターカチオンとする少なくとも一種のバナジウム酸塩からなる酸化剤と、前記イオンを還元するための還元剤とを少なくとも含む。バナジウム酸塩はクロム酸塩よりも酸化力が弱いので、還元剤との酸化還元反応がクロム酸塩の場合に比べて緩やかに進行し、反応速度の制御が容易である。
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この発明は、アルカリ金属を安定的に発生させることのできる光電面又は二次電子放出面を形成するためのアルカリ金属発生剤等に関する。当該アルカリ金属発生剤（１）は、入射光に対応して光電子を放出する光電面、又は入射電子に対応して二次電子を放出する二次電子放出面の形成に使用される。特に、当該アルカリ金属発生剤（１）は、アルカリ金属イオンをカウンターカチオンとする少なくとも一種のタングステン酸塩からなる酸化剤と、前記イオンを還元するための還元剤とを少なくとも含む。タングステン酸塩はクロム酸塩よりも酸化力が弱いので、還元剤との酸化還元反応がクロム酸塩の場合に比べて緩やかに進行し、反応速度の制御が容易である。
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【課題】 優れた制御性を有する電子流を供給可能な電子流供給装置、及び電子流供給方法を提供する。
【解決手段】 一方の面をレーザ光照射面１１、他方の面を電子出射面１２として構成され、レーザ光照射面１１から照射されたパルスレーザ光によって電子を発生させるコーン形状などの電子発生部材１０と、電子発生部材１０の電子出射面１２上の電子出射位置１６から所定の伝送経路に沿って延びるように設けられ、電子出射位置１６から出射された電子を伝送させて電子流として供給するワイヤ形状などの電子流伝送部材２０とによって電子流供給装置１Ａを構成する。 （もっと読む）