【課題】荷電粒子ビーム引出し用電極の電極棒を交換する際の作業効率を改善する。
【解決手段】引出し用電極は、スリット状開口部４を有するスリット電極１により構成される。スリット電極１は電極枠体２および電極棒５より構成される。電極枠体２は一体構造であり、荷電粒子ビームを通過させる開口部３、及び溝状の電極支持部を有している。電極棒５は、開口部３を跨いで電極枠体２上に配列され、両端を電極支持部により支持されて、スリット状開口部４を形成する。 （もっと読む）

【課題】透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）、走査透過型電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）、集束イオン・ビーム（ＦＩＢ）システムなどの集束粒子ビーム・システム用の荷電粒子源を提供すること。
【解決手段】この源は、荷電粒子システムの軸を中心とすることができる小さな領域内にある独立してアドレス指定可能な多数の放出器を使用する。１つのチップから放出させ、または２つ以上のチップから同時に放出させることを可能にするため、これらの放出器は全て、個別に制御することができる。１つの放出器だけが活動化されるモードは高輝度に対応し、複数の放出器が同時に活動化されるモードは、高い角強度およびより低い輝度を提供する。単一の放出器を逐次的に使用することによって源の寿命を延ばすことができる。全ての放出器に対する機械／電気組合せアラインメント手順が記載される。 （もっと読む）

【課題】本発明はエミッタアレイを用いた電子プローブ装置に関し、プローブの径を保持したままでプローブ電流を増加させる電子プローブ装置を提供することを目的としている。
【解決手段】リング状に並べられたＦＥエミッタアレイ１と、該ＦＥエミッタアレイ１のビームを回折面に集束させるためのレンズ２と、回折面に配置された絞り３と、該絞り３の絞り面の縮小像を試料６に照射させるための光学系５とからなり、装置のプローブ径を保ったままでプローブ電流値を増大させるように構成される。 （もっと読む）

【課題】導入される収差を減少させると共にスループットを増大させる荷電粒子ビーム装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビーム装置用のコラム（１）が開示される。コラムは、一次荷電粒子ビーム源として一次荷電粒子ビームを放出する荷電粒子ビームエミッタ（２）と、２つの仮想源が作られるように一次荷電粒子ビームに作用するようになったバイプリズム（６）と、荷電粒子ビームを２つの仮想源の像に対応した試料（８）の２つの位置に同時に集束させるようになった荷電粒子ビーム光学系（１０）とを有する。 （もっと読む）

【課題】所望のパターン寸法とパターン精度を実現することが可能な電子銃および荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子源であるカソードと、前記カソードからの荷電粒子ビーム放出方向に順次、前記カソード以下の電位が印加されたウェネルトと、前記カソードより高い電位が印加されたアノードとを配置し、前記荷電粒子ビームを、前記ウェネルトの具備する開口部分を通過させて収束し、クロスオーバを形成するよう構成された電子銃について、前記ウェネルトと前記クロスオーバとの間の距離ｂを、前記カソードと前記ウェネルトとの間の距離であるギャップａにより除して算出される倍率Ｍ（＝ｂ／ａ）が１以下であり、かつ前記ギャップａが０．９ｍｍ以上となるように構成し、荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法で使用する。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム装置の保守が容易で、連続排気用の真空ポンプを作動させないで真空チャンバ内の真空度を上げる電子加速方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム放射窓２４を清浄な空気環境に制御された場所内で真空チャンバ４６に気密にろう付け、溶接または接着結合して密封して連続排気用の真空ポンプを作動させないで持続的に真空を維持する真空チャンバ４６を設け、真空チャンバ内に配置した電子発生器３１で電子を発生し、電子発生器をハウジング３０により囲み、このハウジングは、電子発生器と電子ビーム放射窓間に開口が形成され、ハウジングと電子ビーム放射窓２４間に電圧が供給されたときに、電子を電子発生器３１から電子ビームにして電子ビーム放射窓２４の外に加速し、真空チャンバ内の分子をイオン化し、真空チャンバ内にイオン化された分子を捕獲して真空チャンバ内の真空度を上げる電子加速方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、複数の光軸を有する電子光学系で高スループットにパターン形成或いは試料の評価を行う装置では、電子銃を高輝度にすることが困難であった。
【解決手段】パターン形成あるいは試料の評価を行う装置に用いられる電子銃に於いて、カソード、第１アノード、第２アノード、ウエーネルト電極を有し、ウエーネルト電極及び第１アノード電極を円錐台形状とし、光軸からウエーネルトの角度をθｗ、光軸から第１アノードまでの角度をθa とした時、
４０．１°＜θa＜９０°あるいは４８．６°＜θｗ＜１４９°
とすることにより図１２に示した様にLangmuir限界を超える輝度を得た。 （もっと読む）

【課題】Langmuir limitを遙かに超える高輝度あるいは超高エミッタンスを得る
【解決手段】平面カソード、ウエーネルト、引き出し電極又はアノードとなる球面引き出し電極電子銃で、カソードとアノード間距離をDacとした時、電子銃電流をIe (mA)をつぎの範囲にする、
0.388/Dac -0.046 ≦ Ie ≦ 92.8/Dac + 9.28、 Dac ≧ 3 mm, あるいは
0.388/Dac - 0.046 ≦ Ie ≦22/Dac + 32.7、 Dac < 3 mm.
また、凹面形状カソード、引き出し電極又はアノードとなる球面引き出し電極電子銃で、カソード半径をRc(mm)とした時電子銃電流をIe (A)をつぎの範囲にする、
0.733Rc - 0.5 ≦ Ie ≦ 0.159Rc³ + 0.35. Rc ≦ 2.5 mm, あるいは

0.733Rc - 0.5 ≦ Ie ≦ 0.255Rc³ - 1.17. Rc > 2.5 mm. （もっと読む）

粒子ビーム発生装置は、粒子源に隣接して配置され、粒子ビームを生成するために該粒子源から粒子引出手段の引出開口内へ粒子を引き出す粒子引出手段と、前記ビームのエネルギーを増加させるために、引き出された粒子を加速させる粒子加速手段と、前記粒子ビームを集束させる集束手段とを備え、前記粒子引出手段と、前記粒子加速手段と、前記集束手段との各々は、順に配置されており、粒子が移動する通路を画定するように一直線に並んで配置された開口を有するものであり、前記粒子引出手段は、少なくとも一対の電極を有するレンズ構造を備え、該電極は、該電極の各々に異なる電位を印加することを可能にするように絶縁材料の層によって互いに分離されており、前記電極の１つは引出開口を有する引出板を備え、該引出板は、前記源と該引出板との間の電位差により前記粒子源から前記引出開口内へ粒子を引き出すものである。
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【課題】平面カソード、ウエーネルト、引き出し電極又はアノードを有する平面引き出し電極電子銃で、Langmuir限界を越える高輝度、高エミッタンスのビームを得る。
【解決手段】円形平面のカソード１、球面の一部の形状を有する引出し電極又はアノード３、及び円錐台形状のウエーネルト電極２を有し、カソードの外周と引き出し電極位置で光軸と交わる仮想的な円錐と６７．５の角度差を有する仮想的な円錐台を想定し、その外側に、ウエーネルト電極を設ける。特に、カソード半径が１０μmＲ から９６０μmＲ では高輝度がシミュレーションで得られている。また、光陰極のカソードから放出させた電子線が、カソードから引き出し電極間はそのビーム径を単調に減少させ、引き出し電極の後方でクロスオーバを形成するよう制御するようにした電子銃では、高輝度で、エネルギー幅の小さいビームを利用することができる。 （もっと読む）