【目的】Ｘ線露光のアライメントにおいて、マーク表面の平坦化、非対称性の影響を受けす、また、露光系と別のアライメント光学系が不要なアライメントマークを提供する。
【構成】半導体基板１に形成したｐｎ接合からなるウェハマークと、マスク基板４に設けたマスクマーク６の対でアライメントマークを構成し、Ｘ線の照射によりウェハマークに生じる起電力の変化をもとに半導体基板１とマスク基板４のアライメントを行う。 （もっと読む）

【目的】 マスクと感光基板とを複数配列した投影光学系に対して一次元方向に走査する走査型露光装置において、感光基板の伸縮による基板の形状の変化に対して転写像を補正する。
【構成】 走査方向に直交する方向（Ｙ方向）に沿って配置された複数の投影光学系３ａ〜３ｅと感光基板５との間の光路中に平行平板ガラス４ａ〜４ｅを設ける。感光基板の伸縮量（形状の変化）に応じて投影光学系の投影倍率を倍率制御装置１０によって変更するとともに、駆動装置１２によって平行平板ガラスを回転して光軸ＡＸ１〜ＡＸ５をＸ，Ｙ方向にシフトする。 （もっと読む）

【目的】 電子ビーム露光方法に関し、複数回の露光工程によって形成された複数のデバイスパターンの上に、これら複数のデバイスパターンのそれぞれにアライメントしてレジストパターンを形成する手段を提供する。
【構成】 複数回の露光工程の各露光工程によって形成した少なくとも１つのデバイスパターンと少なくとも１つのアライメントを有する露光領域に存在する特定のデバイスパターンの上に、この特定のデバイスパターンとアライメントしてレジストパターンを形成するための同一描画データ中の図形データがこの図形データによって描画するレジストパターンの下層のデバイスパターンを形成した露光工程を示す識別コードを有し、この識別コードによって、各露光工程によって形成したデバイスパターンの上に形成するレジストパターンの図形データを、この下層のデバイスパターンを形成した各露光工程特有の位置ずれ成分によって補正する。 （もっと読む）

【目的】 工程数を削減しつつ、光リソグラフィ技術の限界を越えた微細幅のパターンを形成すること。
【構成】 レジスト膜３に紫外線光を照射すると、レジスト膜３は周囲から徐々に硬化していくので、この紫外線光の照射を調整することで、このレジスト膜３の上面部４及び側面部５に硬化部を形成することができる。その後、レジスト膜３上面部４を除去することにより、レジスト膜３内部の未硬化部６を露出させ且つこれを除去すると、硬化した側面部５のみが残存する。この、側面部５の幅は、紫外線光の調整しだいで自由に設定できるので、リソグラフィ以下の寸法も可能となる。この技術により作成されたパターンは、スタック型キャパシタの下部電極に凹凸を設けて、その表面積を拡大し、蓄積容量を増大させるためのマスクとして利用できる。 （もっと読む）

【目的】 従来の光カチオン重合組成物の欠点（感光性平版印刷版の感光層やフォトレジスト等に適用したとき、いずれも、感度、耐薬品性（フォトレジストのエッチングあるいは平版印刷時の）及び機械的強度が不充分である）を改善し、高感度で、かつ耐薬品性及び機械的強度に優れる感光性組成物を提供する。
【構成】 ■有機溶剤に分散可能なマイクロゲル、ビニルエーテル基又はプロペニルエーテル基を有する化合物、及び光酸発生剤を含有する感光性組成物。■表面にビニルエーテル基及びプロペニルエーテル基から選ばれる少なくとも１つ、及びオキシラン、チイラン、オキセタン及びチエタンから選ばれる少なくとも１つの環を有するマイクロゲルを含有する感光性組成物。 （もっと読む）

【目的】 面積の分割をせずに基板に露光を行うことができる露光装置を得る。
【構成】 投影光学系１５を拡大光学系とし、レチクル１１の位置を検出するレーザ干渉測長機１４と基板１６の位置を検出するレーザ干渉測長機２０とを設けると共に、レーザ干渉測長機１４とレーザ干渉測長機２０とからレチクル１１と基板１６の位置情報を得て、この位置情報に基づきレチクル１１と基板１６とを所定の関係にて移動させる駆動装置１２１を設けた。 （もっと読む）

【目的】ウエハ等の被露光基板上のフォトレジストの表面形状を光学的手段によって検出し、露光単位毎に焦点を合せる領域を選択し、解像度の高い投影露光を実現する投影露光装置およびその方法を提供する。
【構成】可干渉性光源１１からの可干渉光を、大きい入射角でウエハ等の被露光基板４の表面に照射させて反射光と参照光を干渉させ、検出位置と共役な位置の干渉縞の位相の揺らぎから被露光基板４の表面形状を検出し、露光単位毎に前記検出された被露光基板４の表面形状データから所望の表面形状データを選択し、該選択された所望の表面形状データに基づいて被露光基板の露光単位の表面を縮小投影レンズ９１の結像面に焦点合せ制御を行う。 （もっと読む）

【構成】 主鎖中にポリシルセスキオキサンとこれと芳香族炭化水素４価基、或いは、環状炭化水素４価値をエステル基で結合した珪素含有高分子化合物及びこれと露光により酸を発生する感光性材料からなるレジスト材料。
【効果】 本発明の高分子化合物は、光酸発生剤と組み合わせ、光照射を行うことにより、主鎖分解が起こり、低分子価され、これにより溶剤への溶解性が著しく変化する。このような特性を利用することにより化学増幅型レジストのベースポリマーとして有用である。さらに、本高分子化合物は、珪素原子を有することから耐酸素プラズマエッチング性に優れ、レジストパターンの転写において酸素によるドライエッチングが可能となる利点がある。 （もっと読む）