【構成】 水溶性膜形成成分とプロトン発生物質とを含有して成る化学増幅型レジスト用塗布液組成物である。
【効果】 リソグラフィー処理における干渉を防止するとともに、プロトンを補給する効果を有し、断面形状に優れたパターンを与えることができる。 （もっと読む）

【目的】 高精度の位相シフタパターンを容易に形成する。
【構成】 マスク基板１１上に位相シフト層１３となる塗布シリコン酸化膜を回転塗布する。レジスト１４を回転塗布する。続いて、所定パターンを電子線露光で形成する。このレジスト１４のパターンをマスクとして、平行平板型リアクティブ・イオン・スパッタリング装置を用いて、塗布シリコン酸化膜を２８０ｎｍの膜厚だけドライエッチングにより除去する。この除去した膜厚は位相シフト層１３の全膜厚の７０％に相当する。続いて、残った塗布シリコン酸化膜を緩衝弗酸溶液を使用してウエットエッチングにより除去する。 （もっと読む）

【目的】 感光性を有する樹脂成分がいかなる構造であっても、充分に対応でき、しかも感度や解像度に優れた耐熱性ネガ型フォトレジスト組成物、およびこの組成物を用いてなる感光性基材ならびにパターン形成方法を提供する。
【構成】 特定構造を有するポリイミド前駆体からなる樹脂成分に、特定の構造を有し、活性光線の照射によって塩基性を呈する４−（２’−ニトロフェニル）−１，４−ジヒドロピリジン類を含有させることによって、活性光線の照射によって耐熱性の良好なネガ型のパターンとなるフォトレジスト組成物を得ることができる。また、現像速度を速めるために特定の溶解促進剤を併存させることもできる。 （もっと読む）

【目的】 優れた感光性を有する化学増幅型レジスト組成物を提供する。
【構成】 式（Ｉ）


〔Ｒ¹ 、Ｒ² ；置換もしくは非置換のアミノフェニル、９−ジュロリジル、Ｙ＝ＣＨ−（Ｙ；置換もしくは非置換の含窒素複素環基）または

（Ｚ¹ 、Ｚ² ；置換もしくは非置換のフェニル）〕で表わされるスクアリリウム化合物と光酸発生剤とバインダーとを含有する化学増幅型レジスト組成物。 （もっと読む）

【目的】 フォトリソグラフィー時のパターン形成に利用した場合、基盤からのハレーション光を抑制して微細パターンを正確に再現し得、しかも現像後にスカムの発生がない新規なフォトレジスト組成物を得る。
【構成】 下記一般式（１）で示されるニトロン化合物を吸光材として配合する。
【化１】


（但し、式中Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³は互いに同一又は異種のアルキル基、アリール基又は水素原子、Ｒ⁴乃至Ｒ⁸は互いに同一又は異種のアルキル基、水素原子又はカルボキシ基であるが、Ｒ⁴乃至Ｒ⁸の少なくとも１つはカルボキシ基である。ＸはＲ⁹Ｏ−で表わされるアルコキシ基、Ｒ¹⁰Ｒ¹¹Ｎ−で表わされるジアルキルアミノ基又は水素原子であり、Ｒ⁹はアルキル基、Ｒ¹⁰及びＲ¹¹は互いに同一又は異種のアルキル基である。ｎは０，１又は２の値を有する。） （もっと読む）

【構成】 グリシジルメタクリレートとメチルメタクリレートとの共重合体から成るか、又はこれに紫外線吸収剤を含有させて成るリソグラフィー用下地材、及び（Ａ）基板上に前記下地材から成る第一層を形成する工程、（Ｂ）この第一層の上にポジ型レジストから成る第二層を設けたのち、露光、次いで現像処理してパターン化する工程、（Ｃ）該パターン化したレジスト層をケイ素含有蒸気によりシリル化する工程、及び（Ｄ）このシリル化処理されたレジストパターンをマスクとして酸素系ガスを用いたドライエッチング法により、該下地材から成る第１層をパターン化する工程を順次施し、パターンを形成する方法である。
【効果】 断面が矩形で高解像度及び高選択比のレジストパターンが簡素化されたプロセスにより容易に得られる。 （もっと読む）

【目的】 アライメントマークをずれを生じさせたり、つぶしたりすることなくウェハーに露光し、合わせ精度を高める。
【構成】 縮小投影露光装置用レチクルの、本体チップ領域１周辺のスクライブライン領域３に配置するアライメントマーク４に、保護パターン１０，１１を配置することによって本体チップ領域１周辺のスクライブライン領域３にアライメントマーク４を配置可能にしたことと、保護パターン１０，１１を設けたことによって露光時にアライメントマークのつぶれがなくなり、縮小投影露光装置用レチクルの設計のスループットの向上、合わせ精度の向上になり良品収量の向上を実現できた。 （もっと読む）

【目的】 本発明はリソグラフィー用ペリクルを異物の付着なく、かつ成膜用基板をいためることなく製造する方法の提供を目的とするものである。
【構成】 本発明によるリソグラフィー用ペリクルの製造方法は、基板上に成膜したペリクル膜を、加熱機構を有する切断治具を用いて切断加工することを特徴とするものである。 （もっと読む）

【目的】 半導体ウェーハ表面に回転塗布により形成する膜の半導体ウェーハ間の膜厚差を小さくする。
【構成】 回転塗布部２で膜形成された半導体ウェーハの膜厚を膜厚測定部３で行い、その測定結果を制御部５にフィードバックする。制御部５では測定値と基準膜厚との膜厚差を計算し、その値から次に膜形成する半導体ウェーハの塗布回転速度を決定して回転塗布部２に送出する。これらの処理を常時行い各半導体ウェーハの膜形成時の塗布回転速度を制御する。 （もっと読む）