【構成】 半導体製造プロセスのマスク合わせにおいて、マスク合わせパターンに所定幅のバーニアスケールを形成するようにした。また、バーニアスケール全体を十字状もしくはＬ字状とした。。
【効果】 短時間に精度良くマスク合わせができるようになるという効果がある。また、互いに直交するｘ方向とｙ方向のバーニアスケールを別々に形成する場合に比べて占有面積を小さくすることができる。 （もっと読む）

【目的】 電子ビーム露光装置における照射位置の高さ設定方法において、多少起伏がある試料においても、所定の照射位置精度を確保すること。
【構成】 露光する試料の高さを測定し、その高さ情報に基づき照射位置の高さを設定して露光を行う電子ビーム露光装置の照射位置の高さ設定方法であって、領域外の複数の位置の高さを測定し、その高さ情報を用いて補間演算により照射位置の高さを設定することを最も主要な特徴とする。また、前記露光領域外の複数の位置が、層間の重ね合わせに用いるマークの近傍であることを特徴とする。
【効果】 多少起伏がある試料においても、所定の照射位置精度を確保するので、ビーム照射位置のずれを小さく抑えることができる。 （もっと読む）

【構成】基板と感放射線性レジストとの間に、共役系重合体を主成分とする薄膜が介在することを特徴とする二層構造感放射線性レジストおよびその製造方法。
【効果】本発明によると、放射線の基板反射に起因して、感放射線性レジストの膜の厚み変動により、所望のレジストパターンから形状が変移することを抑止することができ、高い製造歩留まりを与えると共に、製造プロセスでのプロセス条件の許容幅を拡大することができる。 （もっと読む）

【構成】下記式（１）で表されるヒドロキシメチル化合物を下記式（２）を構成単位に含むポリマ−と縮合させることにより得られる縮合樹脂及びこれを含有する感放射線性樹脂組成物。
【化１】


（式（１）中Ｒ₁ は炭素数１から４のアルキル基を、又式（２）中Ｒ₂ は水素又はメチル基をそれぞれ示す）
【効果】本発明の縮合樹脂及びこれを含有する感放射線性樹脂組成物は、遠紫外部に高透過率を有し、遠紫外線リソグラフィを利用する半導体集積回路の製造に極めて有用である。 （もっと読む）

【目的】 耐熱性に優れたレジストパターンが得られるポジ型フオトレジスト組成物とする。
【構成】 ポジ型フオトレジスト組成物が、アルカリ可溶性樹脂、キノンジアジド化合物及び式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で表される化合物を少なくとも１種含有する。
【化１】 （もっと読む）

【目的】 二層法で寸法通りの構造物転移をまた解像限度を越える構造物の製造を可能とし、その際高い透過性、サブミクロン範囲においてもなお高い解像力及び高感度がもたらされる構造物を製造する。
【構成】 サブミクロン範囲で構造物を製造するに当たり、基板上に、第１又は第２アミンと反応する官能基及びＮブロックされたイミド基を有するポリマー成分と、露光時に酸を遊離する光開始剤と、適当な溶剤 とからなるフォトレジスト層を施し、フォトレジスト層を乾燥し、フォトレジスト層を画像に応じて露光し、露光したフォトレジスト層を熱処理し、こうして処理したフォトレジスト層を水性アルカリ又は有機現像剤で現像してフォトレジスト構造物とし、フォトレジスト構造物を、第１又は第２アミンを含む化学試薬で処理し、その際現像時に一定の暗損傷を２０〜１００ｎｍの範囲で起こさせる。 （もっと読む）

【目的】 被処理基板に衝撃を与えたり、気泡を発生させること無く、短時間で迅速に所定の処理液を被処理基板に塗布することができ、少量の液体で効率良く良好な処理を実施することのできる処理液塗布方法を提供する。
【構成】 スピンチャック２上部に設けられた半導体ウエハ１に、近接対向する如く液体供給ノズル３を配置する。液体供給ノズル３は、矩形容器状の液体収容部４と、この液体収容部４の底部に設けられた多数の細孔６とを具備している。そして、現像液供給配管９から所定圧力で液体収容部４内に所定の現像液を供給し、多数の細孔６から滲み出させるようにして現像液を半導体ウエハ１に供給するとともに、スピンチャック２によって半導体ウエハ１を１／２回転回転させ、液体供給ノズル３によって現像液を押し広げるようにして塗布を行う。 （もっと読む）