【目的】 フォトリソグラフィープロセスでのウェハのベーク処理において、プロキシミティベークでの温度安定性の向上を図る。
【構成】 ホットプレート２上にプロキシミティピン３を介して載置されたウェハ１の輻射熱をセンサ５で検出し、センサ５の出力信号に基いてウェハ１の表面温度を演算処理部６で演算し、その温度出力信号に基いてヒータ４の加熱によるウェハ表面温度が予め設定した温度になるようにヒータ４の出力を温度制御部７で制御する。 （もっと読む）

【目的】 真空紫外光を用いたリソグラフィにおいて、レチクルを簡易にかつ高精度に製造する。
【構成】 石英基板１１上にＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）に対して透過率がほぼ０％の電子線感光レジスト１２を塗布し、電子線感光レジスト１２上に電子ビームにより所望のパターンを描画し、現像し、レジストパターンを形成した。この様にして形成したレジストパターンはＡｒＦエキシマレーザリソグラフィにおけるレチクルとして使用することができ、レチクルを簡易にかつ高精度に製造することができた。レジストをパターン形成したレチクル１６上にＡｒＦエキシマレーザ１５を照射して、Ｓｉ基板１３上のＡｒＦ感光レジスト１４を露光して、所望のパターンを高コントラストで転写することができた。 （もっと読む）

【目的】 本発明は紫外線、エキシマレーザーの照射でも粘着層の粘着力が低下せず、また使用に際してセパレーターが容易に剥離できるペリクルの提供を目的とするものである。
【構成】 本発明の第１発明は、ペリクル枠の一端面にペリクル膜を張設し、他端面にシリコーン系粘着剤層を形成してなるペリクルに関するものであり、この第２発明はその粘着層をフッ素変性シリコーン系離型剤をコーティングしたセパレーターで保護していることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【目的】露光後ベ−クの短縮化を図り、エネルギ−線照射により発生した酸の拡散を抑制し、パターンの寸法制御性を向上させること。
【構成】パターン照射後の基板３を支持台４に乗せ、これを冷却器５により冷却する。その後にエネルギ−線源１からのエネルギ−線２を基板３上のレジスト６に照射して露光後ベ−クを行う。
【効果】ベ−ク時間を短縮化することができるために、エネルギ−線照射により発生した酸の拡散を抑制することができ、パターン寸法制御性を向上できる。また、ベ−ク時間短縮化により生産性の向上にも効果がある。 （もっと読む）

【目的】 感度、耐熱性及びプロファイル等の諸性能のバランスに優れ、且つスカムのないポジ型レジスト組成物を提供する。
【構成】一般式（Ｉ）
【化１】


（式中、Ｒ₁ 〜Ｒ₃ は各々独立して水素原子又は炭素数１〜４のアルキルもしくはアルコキシ基を表わし、ｋは１又は２である。）で示されるフェノール類の１種もしくは２種以上、一般式（ＩＩ）
【化２】


（式中、Ｒ₄ は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又はフェニル基を表わし、Ｒ₅ 〜Ｒ₇ は各々独立して水素原子又は炭素数１〜４のアルキルもしくはアルコキシ基を表わし、ｎは１又は２である。）で示される化合物の１種もしくは２種以上及びアルデヒド類を縮合させて得られる樹脂（Ａ）を含むアルカリ可溶性樹脂並びにキノンジアジド化合物を含有してなるポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【目的】 本発明はフェノール単位と環式アルコール単位とのポリマー結合剤を有する放射線感光性組成物を提供する。
【構成】 ポリマーのフェノール単位及び／又は環式アルコール単位の少なくとも一部は酸レイビル基に結合している。結合剤を酸レイビル基に並程度に置換するだけで、露光領域と非露光領域との間に高い溶解度の差が得られる。 （もっと読む）

【目的】 水性塩基可溶性の導電性ポリマーを、電気的帯電を消失させるために利用することと、これにより荷電粒子ビームを含む方法の精度を改善することに関する。
【構成】 電気伝導性の官能化ポリマーとしてポリアニリン、ポリパラフェニルビニレン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリ−ｐ−フェニレンオキサイド、ポリフラン、ポリフェニレン、ポリアジン、ポリセレノフェン、ポリフェニレンサルファイドおよびポリアセチレンを用いる荷電粒子ビームからの蓄積された電荷を消失させるための組成物と、ポリ（ヒドロキシアニリン）とポリチオフェンの合成方法と、水性塩基可溶性の導電性フィルムを調製するための方法が述べられている。 （もっと読む）

【目的】 単結晶質フィルムの製造に適用可能な薄い半導体材料フィルムの製造方法を提供する。
【構成】 薄い単結晶質又は多結晶質半導体材料フィルムの製造方法は、平面を有する半導体材料ウェーハを、以下の３つの段階：基板のバルクを構成する下方区域６と薄いフィルムを構成する上方区域５とを前記ウェーハの容積部内に限定する微小気泡の層３を前記ウェーハの容積部に生じる、イオンにより行われる前記ウェーハ１の面４へのボンバード２による注入の第１段階と、前記ウェーハの平面４を、少なくとも１つの剛性材料層からなる補剛材７と密着させる第２段階と、イオンボンバード２が実施される温度よりも高く、且つウェーハ１中の結晶再配列作用及び微小気泡内の圧力作用により薄いフィルム５と基板６のバックとを分離させるのに十分な温度で前記ウェーハ１と前記補剛材７とのアセンブリを熱処理する第３段階とに付すことを包含することを特徴とする。 （もっと読む）