【課題】表面の平滑化が可能な導電層の形成方法を提供する。また、表面が平滑化された導電層を有する半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】導電性粒子を含む組成物を塗布し、酸素雰囲気において組成物に第１のレーザ光を照射して表面が平滑な導電層を形成し、当該導電層に、窒素、希ガス、水素のいずれかの雰囲気において第２のレーザ光を照射して導電層を緻密化して、抵抗が低減される導電層を形成する。本発明により、平滑性を有し且つ抵抗値の低い導電層を形成することが可能である。また、ゲートリーク電流が低減された薄膜トランジスタを歩留まり高く作製することができる。 （もっと読む）

【課題】電気回路の製造において、液滴吐出装置を用いて微細な配線などを形成する場合、吐出位置や吐出タイミングなどを含めて、より高い精度の吐出制御が要求されている。
【解決手段】ＣＡＤツールを用いて電気回路の設計図面データを作成した後、その設計図面データを水平方向のドット間隔Ｘｄｐと垂直方向のドット間隔Ｙｄｐを１つの単位とする正方格子の第１ラスタデータに変換し、さらに水平方向のドット間隔Ｘｄｐとドット間隔Ｙｄｐ／Ｖ（Ｖ＞１）とを１つの単位とする長方格子の第２ラスタデータを作成する。なお、第１ラスタデータから第２ラスタデータに変換する前後で同じ任意吐出回数とする。 （もっと読む）

【課題】トレンチやビアホール等の凹部内に選択的にめっきを行って、表面の平坦性が高いめっき膜を形成することができるようにする。
【解決手段】基板Ｗを保持する基板保持部１０と、基板保持部１０で保持した基板Ｗの表面に当接して通電させるカソード１４と、基板保持部１０で保持した基板と対向して設置されるアノード３８及び該アノード３８と基板との間に配置される多孔質体２６を有するアノードヘッド２２と、アノード３８と基板保持部１０で保持した基板Ｗの表面との間にめっき液を供給するめっき液供給部４４と、基板Ｗと多孔質体２６との間に配置され、めっきに際し多孔質体２６を介して基板Ｗの表面に押当てられる表面が平滑な多孔性の接触体５０を有する。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れる半導体装置を容易かつ確実に製造可能な半導体装置の製造方法、かかる半導体装置の製造方法により製造された半導体装置を提供すること。
【解決手段】図４（ｄ）に示す半導体装置１は、半導体素子１２と、端子１５とを備えた配線１４とを有する半導体基板１１を用意する工程と、レジスト層１８を形成する工程と、端子１５の上面に犠牲層２０を形成する工程と、この犠牲層２０の上面にＳｎを含むはんだボールを接合して、バンプ１３を形成する工程とにより形成される。犠牲層２０は、溶融状態のはんだと接触して、バンプ１３中に拡散・消失することにより、端子１５の厚さが低減する現象、いわゆる銅食われを防止または抑制するよう犠牲的に働く層である。 （もっと読む）

【課題】 より緻密でかつ密着性の良い拡散防止層を形成し、拡散防止層を構成する金属元素が他の層に拡散することを防止したパターン形成方法、電子デバイス、及び電子機器を提供する。
【解決手段】 基板Ｐ上に隔壁３０を形成する隔壁形成工程と、隔壁３０に囲まれたパターン形成領域３０ａにめっき核２６を含有した導電材料８０ａを配置する導電材料配置工程と、パターン形成領域３０ａに配置した導電材料８０ａを焼成して導電層８０を形成する導電層形成工程と、導電材料８０ａ上に、無電解めっき法によりめっき核２６を触媒として拡散防止層８２を形成する拡散防止層形成工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 より緻密でかつ密着性の良い拡散防止層を形成し、拡散防止層を構成する金属元素が他の層に拡散することを防止したパターン形成方法、電子デバイス、及び電子機器を提供する。
【解決手段】 本発明のパターン形成方法は、基板Ｐ上に所定パターンからなる隔壁３０を形成する工程と、隔壁３０に囲まれたパターン形成領域３０ａに導電層８０を形成する導電層形成工程と、導電層８０上にめっき核吸着膜２０を形成するめっき核吸着膜形成工程と、めっき核吸着膜２０にめっき核２６を吸着させるめっき核吸着工程と、めっき核２６を含むめっき核吸着膜８０上に、無電解めっき法によりめっき核２６を触媒として拡散防止層８２を形成する拡散防止層形成工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】磁性インクを用いて迅速に微細配線を形成し、吐出されたインク内の金属粒子が均等に分布されるようにしてコーヒームラやマイグレーションが発生されなく電気的な信頼度の優れた配線形成方法及び装置を提供する。また電気伝導度と電気的な信頼度の優れた基板を提供する。
【解決手段】基板の一面に磁性インクを吐出して配線を形成する段階にて上記磁性インクに磁気場が及ぶようにする配線形成方法を提供する。磁気場は、基板の他面に磁性インクが吐出される部分に対応して位置する磁気場形成部により提供されてもよい。 （もっと読む）

【課題】工程が容易で、厚膜を高速で形成することができ、且つムラなく、所望の領域に選択的にめっき層を形成することができるめっき方法を提供する。
【解決手段】基材の少なくとも一部に、表面に活性化された硫黄が存在する被めっき層を設け、この基材に無電解めっき処理を施すことにより前記被めっき層上に選択的にめっき層を形成することを特徴とするめっき方法。 （もっと読む）

【課題】 より緻密でかつ密着性の良い拡散防止層を形成し、拡散防止層を構成する金属元素が他の層に拡散することを防止したパターン形成方法、薄膜トランジスタ、及び電子機器を提供する。
【解決手段】 基板Ｐ上に隔壁３０を形成する隔壁形成工程と、隔壁３０に囲まれたパターン形成領域に導電層８０を形成する導電層形成工程と、導電層８０を含む隔壁３０上に、無電解めっき法により拡散防止材料８２ａを配置する拡散防止材料配置工程と、拡散防止材料８２ａ上に無機材料からなるマスクパターン３６を形成するマスクパターン形成工程と、マスクパターン３６を用いて拡散防止材料８２ａをパターニングし、導電層８０上に拡散防止層８２を形成する拡散防止層形成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線への無電解めっき膜の選択析出性を向上することにより、配線間リークの低減等を図り、信頼性の高い半導体装置を得ることができる無電解めっき膜の形成方法及び形成装置を提供する。
【解決手段】加熱機構１０によりウエハ７に形成されたＣｕ配線のみを加熱する。次にノズル９から無電解めっき液を吐出し、Ｃｕ配線上に無電解めっき膜を形成する。加熱されたＣｕ配線上では無電解めっき膜の形成が進行し、Ｃｕ配線上以外の部分では無電解めっき膜の形成は抑制される。その結果、無電解めっき膜のＣｕ配線上への選択析出性を向上することができる。 （もっと読む）