めっき方法

【課題】工程が容易で、厚膜を高速で形成することができ、且つムラなく、所望の領域に選択的にめっき層を形成することができるめっき方法を提供する。
【解決手段】基材の少なくとも一部に、表面に活性化された硫黄が存在する被めっき層を設け、この基材に無電解めっき処理を施すことにより前記被めっき層上に選択的にめっき層を形成することを特徴とするめっき方法。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被めっき部位にめっき層を形成するめっき方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハの表面に配線を設けるなど、基板の微細な部位へのめっき方法として無電解めっき方法が知られている。例えばシリコン基板等に無電解めっきにより金めっき層を形成する場合には、まず、基板上に銅箔を設け、パラジウムにより銅箔の表面を活性化させ、その上にニッケルめっき層を設ける。次に、置換型無電解金めっきにより薄い金めっき層を形成し、最後に自己触媒型無電解めっきを行うことで厚づけの金めっきをつける（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
このように従来の方法においては、基板上にめっき層を形成するためには、何層もの層を形成する必要があった。また、このような従来方法では、無電解めっきの析出速度が非常に遅いという問題がある。例えば、８０℃以上の高温浴に３〜４時間の間、めっきしたい基板をめっき槽に浸漬させ、且つ精度の高い温度管理をしても、めっき層を１μｍ程度の厚さしか形成することができなかった。さらに、上述した方法では、特にめっき槽内の温度管理や基板の表面のイオン濃度を長時間一定に管理することが非常に困難であり、めっきムラの大きな要因になっていた。
【０００４】
このため、このような無電解めっき法は、電子デバイス部品のような電気的精度が要求されるものでは実用化されていなかった。
【０００５】
一方、上述した方法以外にも、銅イオン、還元剤、ｐＨ調製剤等の濃度を調整しての異常析出や未析等を防止する無電解めっき液（特許文献２参照）や、めっき槽内のめっき液の流れを調製して、めっき膜の膜厚の画内均一性を高めるめっき方法（特許文献３参照）などが提案されている。
【０００６】
しかしながら、凹凸のある基板や穴のあいた基板上に均一にめっき層を形成すること、及びめっき層を所定の領域に選択的に形成することは困難であった。
【０００７】
このため、従来より、工程が容易で、厚膜を高速で形成することができ、且つムラなく、所望の領域に選択的にめっき層を形成することができるめっき方法が求められている。
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−１２９２５２号公報
【特許文献２】特開平９−１１１４６４号公報
【特許文献３】特開２００４−１６２１２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明はこのような事情に鑑み、工程が容易で、厚膜を高速で形成することができ、且つムラなく、所望の領域に選択的にめっき層を形成することができるめっき方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決する本発明の第１の態様は、基材の少なくとも一部に、表面に活性化された硫黄が存在する被めっき層を設け、この基材に無電解めっき処理を施すことにより前記被めっき層上に選択的にめっき層を形成することを特徴とするめっき方法にある。
かかる第１の態様では、被めっき層に活性化された硫黄が存在することで、無電解めっき処理において、めっきの構成成分となる金属が硫黄を核として析出し、被めっき層上に選択的にめっき層を形成することができる。
【００１１】
本発明の第２の態様は、第１の態様に記載のめっき方法において、前記被めっき層が、硫黄を含有しない層を硫黄化処理して表面に活性化された硫黄を存在させたものであることを特徴とするめっき方法にある。
かかる第２の態様では、硫黄を含有しない層に硫黄化処理を施して活性化された硫黄を存在させて被めっき層とすることができる。
【００１２】
本発明の第３の態様は、第２の態様に記載のめっき方法において、前記硫黄を含有しない層が樹脂層からなると共に、前記硫黄化処理が亜硫酸及び硫酸からなる群から選択される少なくとも一種を含有する処理液による処理であることを特徴とするめっき方法にある。
かかる第３の態様では、硫黄を含有しない樹脂層を少なくとも亜硫酸又は硫酸を含有する処理液により処理することにより、表面に硫黄が存在する被めっき層となり、無電解めっき処理において、金属が硫黄を核として被めっき層上に選択的にめっき層を形成することができる。
【００１３】
本発明の第４の態様は、第２の態様に記載のめっき方法において、前記硫黄を含有しない層が金属層からなると共に、前記被めっき層が前記硫黄化処理により当該金属層の金属と硫黄とが結合して前記被めっき層が形成されることを特徴とするめっき方法にある。
かかる第４の態様では、硫黄を含有しない金属層に硫黄化処理をすることにより、被めっき層の表面に金属と硫黄とが結合している状態を形成することができる。
【００１４】
本発明の第５の態様は、第４の態様に記載のめっき方法において、前記硫黄化処理が亜硫酸及び硫酸からなる群から選択される少なくとも一種を含有する処理液による処理であることを特徴とするめっき方法にある。
かかる第５の態様では、被めっき層となる部位を少なくとも亜硫酸又は硫酸を含有する処理液により処理することで、表面に硫黄が存在する被めっき層となる。
【００１５】
本発明の第６の態様は、第４の態様に記載のめっき方法において、前記硫黄化処理が硫黄を含む合金を成膜した後にエッチングにより当該合金を除去するものであることを特徴とするめっき方法にある。
かかる第６の態様では、被めっき層となる部位に、硫黄を含む合金を成膜した後にエッチングにより合金を除去することにより、表面に硫黄が存在する被めっき層となる。
【００１６】
本発明の第７の態様は、第４〜６の何れかの態様に記載のめっき方法において、前記金属層がＮｉ又はＮｉＣｒからなることを特徴とするめっき方法にある。
かかる第７の態様では、金属層をＮｉ又はＮｉＣｒとすることで、金などのめっき層との密着性を高めることができる。
【００１７】
本発明の第８の態様は、第１の態様に記載のめっき方法において、前記被めっき層が硫黄含有樹脂の表面を活性化させたものであることを特徴とするめっき方法にある。
かかる第８の態様では、被めっき層となる部位の硫黄含有樹脂を活性化させることにより、表面に硫黄が存在する被めっき層となり、無電解めっき処理において、めっき層の構成成分となる金属が表面に存在する硫黄を核として被めっき層上に選択的にめっき層を形成することができる。
【００１８】
本発明の第９の態様は、第１〜８の何れかの態様に記載のめっき方法において、前記めっき層が銅又は銅よりもイオン化傾向の小さい金属からなることを特徴とするめっき方法にある。
かかる第９の態様では、めっき層を形成する金属を銅又は銅よりもイオン化傾向の小さい金属とすることで、無電解めっき処理において効果的に硫黄を核として金属が析出し、ムラのないめっき層となる。
【００１９】
本発明の第１０の態様は、第９の態様に記載のめっき方法において、前記めっき層が金からなると共に、前記無電解めっき処理の前にパラジウム置換処理を行わないことを特徴とするめっき方法にある。
かかる第１０の態様では、パラジウム置換処理を行うことなく、金からなるめっき層を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、実施形態に基づいて本発明の詳細を説明する。
（実施形態１）
図１は、本発明のめっき方法を用いてシリコン基板上に形成した配線を示す図である。本発明のめっき方法は、基板表面に活性化された硫黄が存在する被めっき層を設け、無電解めっき処理によりこの被めっき層上に選択的にめっき層を形成するものである。このような方法により、例えば、図１に示すように、シリコン基板１０上に二酸化シリコン膜１１を介して被めっき層である下地層１６とめっき層３２とからなる配線４２を形成する。なお、本実施形態では、下地層１６はＮｉＣｒからなる層であり、めっき層３２は金からなる層である。
【００２１】
図２及び図３は上記配線の形成工程を示す図である。図２及び図３を用いて、本実施形態にかかるめっき方法を説明する。
【００２２】
まず、図２（ａ）に示すように、シリコン基板１０を約１１００℃の拡散炉で熱酸化し、二酸化シリコン膜１１を形成する。
【００２３】
次に、図２（ｂ）に示すように、二酸化シリコン膜１１上に、例えばスパッタリング法によってＮｉＣｒからなる厚さ２０ｎｍ程度の金属層１５を形成する。次に図２（ｃ）に示すように、形成された金属層１５をフォトリソグラフィ法により所定形状にパターニングすることで下地層１６を形成する。
【００２４】
次に、図２（ｄ）に示すように、二酸化シリコン膜１１上にレジストを塗布・パターニングすることにより、下地層１６以外の領域に所定形状のレジスト膜５０を形成する。
【００２５】
次に図２（ｅ）に示すように、８０％以上の高濃度硫酸及び過酸化水素からなる８０℃に保たれた処理液１００で満たされた硫黄処理槽１０００に、少なくとも下地層１６を１０分間浸漬させることで被めっき部位である下地層１６表面の硫黄化処理を行う。このとき、下地層１６が処理液１００に浸漬していればよく、勿論シリコン基板１０全体を処理液１００に浸漬させてもよい。
【００２６】
なお、ここでいう「硫黄化処理」とは、下地層１６の表面に硫黄を存在させることであり、好ましくは、下地層１６の金属イオンと処理液中の硫黄イオンとを化学結合させる処理のことをいう。
【００２７】
本実施形態では、硫黄化処理に８０％以上の高濃度硫酸及び過酸化水素からなる処理液１００を用いたが、亜硫酸等の硫黄元素を含む強酸性の液体を含有する処理液を用いてもよい。
【００２８】
なお、このような処理液１００は再利用が可能である。また、本実施形態では下地層１６表面の処理液１００による処理時間は温度８０℃で処理時間は１０分間であったが、処理温度及び処理時間は、金属層を構成する金属によって異なり、これに限定されるものではない。
【００２９】
上述した硫黄化処理を施すことで、図３（ａ）に示すように下地層１６は表面に硫黄イオン１９が付着した被めっき層２２となる。このとき、下地層１６の金属であるクロムイオンと、硫黄イオンは化学結合している。
【００３０】
なお、本実施形態ではレジスト膜５０を形成したが、この硫黄化処理において、被めっき層２２以外の部分が硫黄化処理されたり、処理液に浸食されたりする虞がないのでレジスト膜５０で覆わなくてもよい。
【００３１】
次に図３（ｂ）に示すように、無電解めっき液２００で満たされた無電解めっき浴２０００に、少なくとも被めっき層２２を浸漬させる。このとき、被めっき層２２が浸漬していればよく、勿論、シリコン基板１０全体を無電解めっき液２００に浸漬させてもよい。本実施形態では８０℃以上で１〜２時間浸漬させた。なお、被めっき層２２において、金属イオンと硫黄イオン１９との結合力が強い場合は、めっき層３２を構成する金属の析出速度が遅くなるため、アッシングをかけて被めっき層２２を活性化させてから無電解めっき液２００に浸漬させるのが好ましい。
【００３２】
ここで、無電解めっき液２００は、金の無電解めっきで一般的に使用されるめっき液であり、塩基性化合物、還元剤、錯化剤、及び析出金属である金イオンを含む液である。なお、本発明のめっき方法では、金属イオンと硫黄イオン１９とが結合しており、置換反応が容易におこりやすいため、還元剤が従来に比べて少量でよい。
【００３３】
そして、このような無電解めっき液２００中にシリコン基板１０全体を浸漬させることで、被めっき層２２の表面の硫黄イオン１９が無電解めっき液２００中の金イオンと置換反応するためか、硫黄イオン１９を核として金が析出し、被めっき層２２上に選択的に金が析出する。硫黄イオン１９が付着している部分の金の析出反応は非常に早く進行し、金が既に析出している部分では、金の析出の速度が遅い。このため、時間の経過とともに被めっき層２２上一帯に均一な厚さの金からなるめっき層３２が形成される。
【００３４】
なおここで、本発明のめっき方法では、無電解めっきを施す下地層１６の表面が硫黄化処理されているので、従来のようなパラジウム置換処理を行う必要はない。また、本実施形態では、下地層１６以外の領域をレジスト膜５０で保護したまま無電解めっきを行っているが、レジスト膜５０を剥離して行ってもよい。めっきが必要な下地層１６の上面のみ硫黄化処理を行っているので下地層１６上に選択的に金が析出するためである。
【００３５】
最後に、無電解めっき液２００からシリコン基板１０を取り出すと図３（ｃ）のように、下地層１６上に均一な厚さの金からなる厚さ２μｍ程度のめっき層３２が形成され、下地層１６及びめっき層３２からなる配線４２が形成される。
【００３６】
以上のように、本発明のめっき方法は、硫黄化処理を行うことで、下地層１６上に被めっき層２２を形成し、被めっき層２２を無電解めっき処理することで、硫黄イオン１９と金イオンとの置換反応が容易に起こるためか、被めっき層２２上のみに選択的にめっき層３２が形成される。このとき金の析出が高速で生じるため比較的短時間で厚膜のめっき層を形成することができる。さらに、従来用いられてきたＰｄ置換等を行う必要がなく、何層もの層を形成する必要もない。
【００３７】
（実施形態２）
本実施形態は、例えば、銅（Ｃｕ）等からなる導電層上の一部に、下地層とめっき層とを形成して、例えば、ボンディングワイヤ等が接続される端子部を有する配線を形成した例である。
【００３８】
図４〜図６はこのような端子部を有する配線の形成工程を示す図であり、これら図４〜図６を用いて、実施形態２に係るめっき方法を説明する。
【００３９】
まず、図４（ａ）に示すように、シリコン基板１０を約１１００℃の拡散炉で熱酸化し、二酸化シリコン膜１１を形成する。
【００４０】
次に、図４（ｂ）に示すように、二酸化シリコン膜１１上に、例えばスパッタリング法によってＣｕからなる厚さ２０ｎｍ程度の金属層１３を形成する。
【００４１】
次に、図４（ｃ）に示すように、金属層１３をフォトリソグラフィ法により所定形状にパターニングすることで導電層１４を形成する。
【００４２】
次に、図４（ｄ）に示すように、例えばスパッタリング法によってＮｉＣｒからなる金属層１５を形成し、フォトリソグラフィ法により所定形状にパターニングすることで下地層１６を形成する。なお、このとき下地層１６は導電層１４上の一部、具体的にはボンディングワイヤ等が接続される端子部となる領域に形成する。
【００４３】
そして、図５（ａ）に示すように、下地層１６と接触しないように、下地層１６以外の全体にレジストを塗布・パターニングすることにより、所定形状のレジスト膜５５を形成する。つまり、図示しないが下地層１６が形成されていない導電層１４上にもレジスト膜５５は形成する。
【００４４】
次に、図５（ｂ）に示すように、上述した図２（ｅ）と同様に８０％以上の高濃度硫酸及び過酸化水素からなる８０℃に保たれた処理液１００で満たされた硫黄処理槽１０００に、シリコン基板１０の一方面に形成された下地層１６を１０分間浸漬させることで被めっき部位である下地層１６表面の硫黄化処理を行う。このとき、下地層１６が処理液１００に浸漬していればよく、勿論シリコン基板１０全体を処理液１００に浸漬させてもよい。
【００４５】
硫黄化処理を施すことで、図５（ｃ）に示すように、下地層１６の表面に硫黄イオン１９が付着した被めっき層２４となる。
【００４６】
次に図６（ａ）に示すように、上述した図３（ｂ）と同様に無電解めっき液２００で満たされた無電解めっき浴２０００に、少なくとも被めっき層２４を浸漬させる。このとき、被めっき層２４が浸漬していればよく、勿論、シリコン基板１０全体を無電解めっき液２００に浸漬させてもよい。本実施形態では８０℃以上で１〜２時間浸漬させた。
【００４７】
最後に、無電解めっき液２００からシリコン基板１０を取り出すと図６（ｂ）のように、下地層１６の表面の一部に均一な厚さの金からなる厚さ２μｍ程度のめっき層３４が形成され、下地層１６及びめっき層３４からなる端子部を有する配線４４が形成される。
【００４８】
本実施形態のめっき方法では、導電層１４上の一部に設けられた下地層１６の表面のみに硫黄化処理を行い、被めっき層２４を形成し、無電解めっき処理することで、導電層１４上の一部のみに選択的にめっき層３４が形成される。このように、本発明のめっき方法は、選択的にめっき層を形成することができるため、本実施形態のように導電層１４の一部に高精度にめっき層３４を形成することが可能である。
【００４９】
また、本発明のめっき方法は、上記のように部分めっきが可能であるため、めっきが必要となる製品の製造工程などにおいて、従来に比べて非常に少ない原料でめっきを形成することができる。さらに、例えば液体噴射ヘッドなどに用いられる高密度集積回路の製造にも用いることができ、製品全体を高密度実装することが可能となる。
【００５０】
また、実施形態１と同様に金の析出が高速で生じるため比較的短時間で厚膜のめっき層を形成することができる。さらに、従来用いられてきたＰｄ置換等を行う必要がなく、何層もの層を形成する必要もない。さらに、例えば導電層１４に小さな穴があいていても、めっきが成長することで穴がふさがり、全体として均一なめっき層３４が形成されるため、耐食性や電気特性を損なうことがない。
【００５１】
なお、本実施形態では、レジスト膜５５を設けて硫黄化処理を行ったが、シリコン基板１０は硫黄化処理される虞がないため、硫黄化処理時にレジスト膜５５を設けなくても、下地層１６上にのみ硫黄イオン１９を付着させることができる。また、本実施形態では、レジスト膜５５を設けた状態で無電解めっきを行ったが、下地層１６上にのみ硫黄イオン１９が付着しているため、無電解めっきの際にレジスト膜５５を設けなくても、被めっき層２４上にのみめっき層３４を選択的に形成することができる。
【００５２】
本実施形態のように、下地層１６と接触しないようにレジストを形成すると、被めっき層２４の表面全体にめっき層３４が形成される。勿論、レジストを下地層１６に接触するように形成すると実施形態１のように、被めっき層２４上にのみめっき層３４が形成される。
【００５３】
また、本実施形態では導電層１４とめっき層３４との密着性を高めるために、銅からなる導電層１４上にＮｉＣｒからなる下地層１６を設けたが、銅からなる導電層１４上に直接めっき層３４を設けることも可能である。従来のめっき方法では、密着層となる層などが必要であったが、本発明のめっき方法は、金属層の上に密着層等を設けなくても、直接金属層上にめっき層を設けることができる。
【００５４】
（他の実施形態）
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。
例えば、実施形態１では、下地層１６とめっき層３２との密着力を高めるために、下地層１６を構成する金属層１５の材料にＮｉＣｒを用いたが、金属層１５は、硫黄イオンと結合する金属であればよく、ニッケルクロム（ＮｉＣｒ）の他に、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、あるいはこれらの合金等の卑金属材料が挙げられる。
【００５５】
また、実施形態１及び２では、硫酸及び過酸化水素からなる処理液に、硫黄を含有しない金属層を浸漬させる硫黄化処理によって、表面に硫黄イオンを付着させた被めっき層を形成したが、処理液は被めっき部位に一定時間接触させることができればよく、例えば吹き付け等により処理してもよい。硫黄化処理方法は、処理液による方法に限られず、例えば、硫黄元素を含有する気体を用いた方法でもよい。その他にも下地層上に硫黄を含有する合金を成膜し、エッチングにより合金を除去する方法が挙げられる。この方法では、合金に含まれる硫黄が下地層上に付着するため、処理液を用いた方法と同様の効果が得られる。
【００５６】
一方、めっき層を構成する金属は、硫黄よりもイオン化傾向の低い金属、すなわち、標準単極電位が大きい金属であればよいが、硫黄とのイオン化傾向の差が大きい貴金属であることが好ましく、本実施形態では金（Ａｕ）を用いたが、その他に例えば、銅（Ｃｕ）、錫（Ｓｎ）等が挙げられる。
【００５７】
なお、実施形態１及び実施形態２では、本発明のめっき方法を用いて基板上に配線を形成する例を説明したが、勿論、基板上一面にめっき層を設けることもできる。
【００５８】
本発明の方法では、例えば、樹脂材料からなる基材を用いた場合、基材の表面にめっき層を設けることも可能である。具体的には、めっき層を設けたい部位に上述した処理液によって硫黄化処理を行い、基材表面に活性化された硫黄が存在する部位、つまり表面に硫黄イオンが付着した被めっき層を形成し、実施形態１又は２と同様にこの基材を無電解めっき処理することで被めっき層上にめっき層が形成される。
【００５９】
また、めっき層を設ける基材が硫黄含有樹脂からなる場合、まず、めっき層を設けたい部位にＵＶ照射やアッシング等を行うことにより硫黄含有樹脂表面を活性化させることで、表面に活性化された硫黄が存在する樹脂からなる被めっき層を形成する。つまり、この場合は硫黄含有樹脂の、活性化された硫黄部位のみが被めっき層となる。ただし、ＵＶ照射やアッシング等を行う場合は、照射時間は条件によって異なるが、３０秒程度でよい。そして、形成した被めっき層を有する基材を上述したような無電解めっき液に浸漬させることで、被めっき部位にめっき層を形成することができる。
【００６０】
このように、本発明のめっき方法を用いると、シリコン基板表面又は金属表面に限らず、樹脂表面にも選択的にめっき層を形成することが可能となる。
【００６１】
さらに、硫黄が存在する被めっき層にのみ選択的にめっき層を形成することができるため、凹凸がある基板や穴のあいた基板上であっても、所望の領域にのみ硫黄が存在する被めっき層を設けることで、選択的にめっき層を形成することができる。このため、本発明のめっき方法は、配線の形成など、わずかな領域の部分めっきに用いることが可能である。また、特殊な物質や危険物質、環境汚染物質などを使用することなく、環境にやさしく容易な工程で被めっき層にめっきを形成することができる。
【００６２】
（試験例１）
本試験例では、図７に示すように複数の溝を有するシリコン基板表面にＮｉＣｒからなる下地層を形成すると共にこの下地層上にめっき処理を行った。まず、８０％以上の高濃度硫酸及び過酸化水素からなる８０℃に保たれた処理液にシリコン基板全体を浸漬させて下地層表面の硫黄化処理を行い、被めっき層を形成した。次に、塩基性化合物、還元剤、錯化剤、及び析出金属である金イオンを含む無電解めっき液に、シリコン基板全体を浸漬させた。所定の時間経過後、無電解めっき液からシリコン基板を取り出し、この基板表面について観察を行った。なお、図７はめっき層を形成した後のシリコン基板の表面状態を示す写真である。また、図７中の右側の変色している部分が、めっき層が形成された部分であり、中央部の斑点状に見える部分は、めっき層は完全に形成されていないが、金が析出を開始していて金の粒が点在している部分である。
【００６３】
ここで、図８〜図１０に、このシリコン基板表面の拡大写真を示す。なお、図８は図７右側のめっき層が形成されたシリコン基板表面の拡大写真であり、図９は図７の溝が形成された領域の拡大写真である。また、図１０は、溝の周縁部の拡大写真であり、図中上側が溝の内部であり下側が基板表面に相当する。
【００６４】
図８に示すように、シリコン基板の表面には、金のめっき層が形成されていた。このことから明らかなように、本発明のめっき方法を用いることで、シリコン基板上に金のめっき層を形成することができる。また、図９に示すように、基板の溝内にも金が析出していた。すなわち、本発明のめっき方法によれば、溝内にもめっき層を形成することができる。また、このように溝内に析出した金の粒は、図１０に示すように、シリコン基板表面に析出する金の粒よりも大きく、またその数も多いことが分かる。すなわち、溝の部分の金の析出が、基板表面よりも速いことがわかる。そして、このように溝が形成された部分のめっき速度（析出速度）が速いため、例えば配線などを形成する際に小さな穴があいていても、穴がふさがる速度は速いため、全体として均一なめっき層が形成される。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明のめっき方法を用いてシリコン基板上に設けた配線を示す図である。
【図２】実施形態１に係る配線の形成工程を示す図である。
【図３】実施形態１に係る配線の形成工程を示す図である。
【図４】実施形態２に係る配線の形成工程を示す図である。
【図５】実施形態２に係る配線の形成工程を示す図である。
【図６】実施形態２に係る配線の形成工程を示す図である。
【図７】シリコン基板の表面状態を示す写真である。
【図８】シリコン基板表面の一部を示す拡大写真である。
【図９】シリコン基板表面の一部を示す拡大写真である。
【図１０】シリコン基板表面の一部を示す拡大写真である。
【符号の説明】
【００６６】
１０シリコン基板１１二酸化シリコン膜、１６下地層、１９硫黄イオン、２２、２４被めっき層、３２、３４めっき層、４２、４４配線、５０、５５レジスト膜、１００処理液、２００無電解めっき液、１０００処理槽、２０００無電解めっき浴

【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の少なくとも一部に、表面に活性化された硫黄が存在する被めっき層を設け、この基材に無電解めっき処理を施すことにより前記被めっき層上に選択的にめっき層を形成することを特徴とするめっき方法。
【請求項２】
請求項１に記載のめっき方法において、前記被めっき層が、硫黄を含有しない層を硫黄化処理して表面に活性化された硫黄を存在させたものであることを特徴とするめっき方法。
【請求項３】
請求項２に記載のめっき方法において、前記硫黄を含有しない層が樹脂層からなると共に、前記硫黄化処理が亜硫酸及び硫酸からなる群から選択される少なくとも一種を含有する処理液による処理であることを特徴とするめっき方法。
【請求項４】
請求項２に記載のめっき方法において、前記硫黄を含有しない層が金属層からなると共に、前記被めっき層が前記硫黄化処理により当該金属層の金属と硫黄とが結合して前記被めっき層が形成されることを特徴とするめっき方法。
【請求項５】
請求項４に記載のめっき方法において、前記硫黄化処理が亜硫酸及び硫酸からなる群から選択される少なくとも一種を含有する処理液による処理であることを特徴とするめっき方法。
【請求項６】
請求項４に記載のめっき方法において、前記硫黄化処理が硫黄を含む合金を成膜した後にエッチングにより当該合金を除去するものであることを特徴とするめっき方法。
【請求項７】
請求項４〜６の何れかに記載のめっき方法において、前記金属層がＮｉ又はＮｉＣｒからなることを特徴とするめっき方法。
【請求項８】
請求項２に記載のめっき方法において、前記被めっき層が硫黄含有樹脂の表面を活性化させたものであることを特徴とするめっき方法。
【請求項９】
請求項１〜８の何れかに記載のめっき方法において、前記めっき層が銅又は銅よりもイオン化傾向の小さい金属からなることを特徴とするめっき方法。
【請求項１０】
請求項９に記載のめっき方法において、前記めっき層が金からなると共に、前記無電解めっき処理の前にパラジウム置換処理を行わないことを特徴とするめっき方法。

【図１】