【課題】 エンドポイントを検出するための方法及び装置
【解決手段】 本発明は、基板をエッチングすることと、少なくとも１つのエンドポイント信号を測定することと、該少なくとも１つのエンドポイント信号をフィルタリングすることにより少なくとも１つのフィルタリングされたエンドポイント信号を発生させ、該フィルタリングがＳａｖｉｔｓｋｙ Ｇｏｌａｙフィルタ（１２）を該少なくとも１つのエンドポイント信号に適用することを備えることと、該エッチ処理のエンドポイントを該少なくとも１つのフィルタリングされたエンドポイント信号から決定する（１４）こととを備える、プラズマ処理システム（１）内の基板をエッチングするための、エッチ処理のエンドポイントを検出するための方法を提示する。 （もっと読む）

【課題】処理の面内均一性の向上を図ることができるとともに、装置の小型化と処理効率の向上を図ることができ、かつ、上部電極と下部電極との間隔を容易に変更することのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理チャンバー２０１内に設けられた下部電極２０２と、シャワーヘッドとしての機能を備え上下動可能とされた上部電極１００と、前記上部電極の上側に設けられ処理チャンバーの上部開口を気密に閉塞する蓋体２０５と、前記上部電極の面内に形成された複数の排気孔１３と、前記上部電極の周縁部に沿って下方に突出するように設けられ該電極と連動して上下動可能とされて、下降位置において前記下部電極と前記上部電極とによって囲まれた処理空間を形成する環状部材２２０と、前記環状部材の内壁部分に誘電体製の容器２３０内に収容されて配置されたコイル２４０と、を具備したプラズマ処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】イオン注入されたレジストをプラズマアッシング処理により、レジスト残渣による欠陥発生を抑制しつつ迅速に除去することが可能なプラズマアッシング方法及びプラズマアッシング装置を得る。
【解決手段】半導体基板１０９上に形成されてイオン注入されたレジストパターンをプラズマアッシングする方法において、酸素、水蒸気を主成分とする混合ガスのプラズマを用いた、レジストパターンの低温アッシング処理と、酸素、水蒸気を主成分とする混合ガスのプラズマを用いた、レジストパターンの高温アッシング処理と、酸素、水蒸気、フッ素含有ガスを主成分とする混合ガスのプラズマを用いた、レジストパターンの高温アッシング処理とを、半導体基板１０９を同一チャンバー１０１内に配置して連続して行う。 （もっと読む）

【課題】反応性イオンエッチング及び同様な加工中半導体ウェーハの温度を制御する方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマ加工装置用のチャックは、温度制御式ベースと、断熱材と、フラット支持体と、加熱器とを含む。温度制御式ベースは、操作中、加工物の望ましい温度以下の温度に制御される。断熱材は、温度制御式ベースの少なくとも一部分に上に配置される。フラット支持体は、加工物を保持し且つ断熱材の上に配置される。加熱器は、フラット支持体内に埋め込まれ及び又はフラット支持体の下側に取り付けられる。加熱器は、複数の対応する加熱ゾーンを加熱する複数の加熱素子を含む。各加熱素子に供給される電力及び又は各々の加熱素子の温度は、独立に制御される。加熱器及びフラット支持体は、毎秒少なくとも１℃の組合せ温度割合変化を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明ではフォトリソグラフィー技術解像限界付近のパターン形成を安定して形成すると共に、コンタクトプラグなどの構造物における目合わせずれや接触面積の縮小による接触電気抵抗の増大や接続不良を解決する。
【解決手段】半導体基板上に形成された絶縁材料層１００に、第１の方向に延在し、底部の幅Ｗ１より上部の幅Ｗ２が広い第１の溝１０１を形成する工程と、第１の溝１０１内に、溝の上端より低い位置まで埋め込み層１０２を形成する工程と、埋め込み層１０２上に露出している第１の溝１０１の側壁を覆うサイドウォール１０３を形成する工程と、サイドウォール１０３をマスクとして埋め込み層１０２をエッチングして第１の方向に分離する工程と、
を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】伝熱ガスのガス流路の圧力損失の影響をなくして基板の位置ずれ検出の精度を向上させる。
【解決手段】載置台３００とその基板保持面に保持された被処理基板との間にガス供給源からのガスを供給するためのガス流路３５２と，載置台の基板保持面に形成され，ガス流路からのガスを基板保持面Ｌｓ上に案内する複数のガス孔３５４と，基板保持面におけるガス孔形成領域Ｒの外側に形成され，基板の裏面にかかる圧力を検出する複数の圧力検出孔３７０ａ〜３７０ｄと，これら圧力検出孔に接続された圧力センサ３８０ａ〜３８０ｄとを設け，これら圧力センサからの検出圧力に基づいて基板の位置ずれ検出を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体基板のタングステンの腐食を抑制でき、かつ、半導体基板上のプラズマエッチング残渣及び／又はアッシング残渣の除去性に優れた洗浄組成物、並びに、前記洗浄組成物を用いた半導体装置の製造方法及び洗浄方法を提供すること。
【解決手段】（成分ａ）水、（成分ｂ）アミン化合物、（成分ｃ）ヒドロキシルアミン及び／又はその塩、（成分ｄ）第４級アンモニウム化合物、（成分ｅ）有機酸、並びに、（成分ｆ）水溶性有機溶剤、を含み、ｐＨが６〜９であることを特徴とする、半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣及び／又はアッシング残渣除去用の洗浄組成物、並びに、前記洗浄組成物を用いた半導体装置の製造方法及び洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】試料の所望の領域の所望の層を短時間で一括加工し、荷電粒子線による検査、解析、微細加工等を実現する荷電粒子線装置を提供する。数百ミクロン以上の所望領域を高速に一括加工可能な機能が従来の荷電粒子線装置には無かった。
【解決手段】荷電粒子線装置内にプラズマのガス供給源とプラズマ電源に繋がった電極を所望領域近傍に設置できる構成とし、局所的なプラズマ加工と荷電粒子線による検査、解析、微細加工等の複合機能を実現する。 （もっと読む）

【課題】厚みのある半導体基板に対し、正確な位置でのへき開を可能とするような十分な深さのガイド溝を形成する半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体基板の製造方法は、インジウムリン化合物半導体またはガリウムヒ素化合物半導体からなる基板本体の表面に、開口幅が略４０ｕｍ以下である開口部が形成されたマスクを、その開口部が基板本体のへき開線に沿って延びるように転写する工程と、基板本体の表面に臭素系のエッチング液を用いてウエットエッチング処理を施すことによって、縦断面で略Ｖ字型を有するガイド溝を形成する工程と、ガイド溝に反応性ガスを用いてドライエッチング処理を施すことによって、底部の縦断面形状を略Ｖ字型に保持したままガイド溝の溝深さを深くする工程と、を含むものである。 （もっと読む）

【課題】水素流量の増加を最低限に抑え、効率的に水素プラズマを開口部に供給して開口部内のエッチング領域を変化させることができる半導体素子の作製方法を提供すること。
【解決手段】エッチングの進行が発現する水素の相対濃度を０．４程度とすると、マスク端での相対濃度が０．５、１．０、２．０それぞれに対して、開口部幅が１μｍのときは水素の相対濃度が０．４以上になるのでエッチングが生じる。開口部幅が１．５μｍのときはマスク端での相対濃度が１．０と２．０に対して水素の相対濃度が０．４以上になりエッチングが生じ、マスク端での相対濃度が０．５に対して水素の相対濃度が０．４未満になりエッチングが生じない。開口部幅が２μｍのときはマスク端での相対濃度が２．０に水素の相対濃度が０．４以上になりエッチングが生じ、マスク端での相対濃度が０．５、１．０に対して水素の相対濃度が０．４未満になりエッチングが生じない。 （もっと読む）