【解決手段】プラズマ処理チャンバは、片持梁アセンブリと、大気負荷をなくすよう構成された少なくとも１つの真空隔離部材とを備える。チャンバは、内部領域を取り囲み開口部を有する壁を備える。片持梁アセンブリは、チャンバ内で基板を支持するための基板支持体を備える。片持梁アセンブリは、一部がチャンバ外に位置するように、開口部を介して伸びる。チャンバは、壁と相対的に片持梁アセンブリを移動させるよう動作可能な駆動機構を備える。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】マイクロ波が漏出せず、寿命の長い真空処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の真空処理装置１は、導電性弾性部材（第一の弾性部材５５）を有しており、第一の弾性部材５５は弾性変形して接地電極膜３４と真空槽１２に密着するから、接触面積が高く、接地電極膜３４が真空槽１２に電気的に接続される。導電性シールド３３は接地電極膜３４と第一の弾性部材５５とを介して真空槽１２に電気的に接続される。従って、マイクロ波を放出する際、導電性シールド３３と貫通孔９内壁面との間の隙間で異常放電が起こらない。 （もっと読む）

【課題】処理中に垂直方向に間隔を空けて配列されている状態でウェハを保持するためのウェハボートを提供する。
【解決手段】処理中に垂直方向に間隔を空けて配列されている状態でウェハを保持するためのウェハボートであって、前記ウェハボートが、実質的に水平状態で前記ウェハを受け入れおよび保持するための、垂直方向に離間している複数の保持位置を含み、保持位置が、ウェハボートの前面からアクセスされることができることで、ウェハの挿入および抜き取りを可能にし、少なくとも１つの保持位置が、ウェハの後方部分を係合するための後方支持体と、ウェハの互いに反対にある側方部分を係合するための２つの側方支持体とを含み、後方支持体が、ウェハボートの前面付近で挿入されているウェハの前方部分が重力によって垂れ下がる状態が少なくとも部分的に補正されるように、前記２つの側方支持体よりも低い位置に配置されているウェハボートが提供される。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤ法の特徴であるセルフリミットの作用を強め、ウェーハ面内の均一性の向上を図れるＡＬＤ法による基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理室２に原料ガスと触媒ガスを供給する第１の工程と、前記処理室２から前記原料ガスと前記触媒ガスを除去する第２の工程と、前記処理室２に酸化性ガスと触媒ガスを供給する第３の工程と、前記処理室２から前記酸化性ガスと前記触媒ガスを除去する第４の工程とを少なくとも備え、前記第１〜第４の工程が複数回繰返し実行され、前記触媒ガスには脱水処理が施されたガスを使用する。 （もっと読む）

【課題】搬送アームの上面に対するコーティング材の転写を防止できるプラズマ処理システムを提供する。
【解決手段】処理容器３０内に供給された処理ガスをプラズマ化させることにより、処理容器３０内において基板Ｗを処理するプラズマ処理装置５と、プラズマ処理装置５の処理容器３０内に対して基板Ｗを搬入、搬出させる搬送アーム１１を備えた処理システム１であって、処理容器３０内には、基板Ｗを上面に載置させる載置台３１が設けられ、載置台３１の上面には、搬送アーム１１による基板Ｗの支持位置に対応する箇所に、凹部３３が設けられている。搬送アーム１１による基板Ｗの支持位置に対応する箇所においては、載置台３１の上面から基板Ｗの裏面に対してコーティング材が転写されることがない。このため、搬送アーム１１の上面にもコーティング材が転写されなくなる。 （もっと読む）

【課題】ＮｉＳｉの異常酸化を抑制し、さらにパーティクルの発生を抑制して、半導体装置の品質の向上を図る。
【解決手段】ＮｉＳｉを用いる半導体装置の製造プロセスにて、ＮｉＳｉがウェーハ表層にある状態で、縦型の減圧気相成長装置にてＳｉＮ膜を成膜したところ、ボート装入時に予備室内の酸素を反応炉内に巻き込み、反応炉内温度（３００℃）とヒーターの輻射熱を受けてＮｉＳｉと反応し酸化していることにより、ＮｉＳｉが異常酸化し配線抵抗異常が発生した。そして、ヒーターからの輻射熱の影響を無くすために熱量を低くすると炉内の温度が急激に低下して、炉内に堆積したＳｉＮ膜が熱ストレスにより剥がれ、パーティクルが発生することが分かっている。これを解決するために、ＳｉＮ膜を成膜する工程にて、反応炉内温度を制御するヒーターの最大熱量を０．７５ｋＪ／ｓｅｃ以上、１．５ｋＪ／ｓｅｃ以下に制御してボートを装入する。 （もっと読む）

【課題】誘導加熱を用いることによって処理容器自体を加熱することなく被処理体を加熱するようにし、処理容器の内面に不要な付着膜等が堆積することを防止し、被処理体の高速昇温及び高速降温が可能な処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対して熱処理を施す処理装置において、排気可能になされて複数の被処理体を収容することができる処理容器２２と、処理容器の外周に巻回された誘導加熱用コイル部１０４と、誘導加熱用コイル部に高周波電力を印加する高周波電源１１０と、処理容器内へ必要なガスを導入するガス供給手段９０と、被処理体と誘導加熱用コイル部からの高周波により誘導加熱される誘導発熱体Ｎとを保持して処理容器内へ挿脱される保持手段２４と、誘導発熱体には、該誘導発熱体に生ずる渦電流の流れを制御するための切り込み状の溝部１４０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】一方で被処理基板を適度に酸化し、他方で被処理基板の酸化抑制を可能にする。
【解決手段】金属膜及びポリシリコン膜が表面に露出している被処理基板に供給する水素ガスと酸素または酸素含有ガスとの混合ガスをプラズマ放電して混合プラズマを生成し、混合プラズマで前記被処理基板を処理する工程と、被処理基板に供給する水素ガスをプラズマ放電して水素プラズマを生成し、前記水素プラズマで前記被処理基板を処理する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】腐食・異常放電の発生を防止することができるシール機構を提供する。
【解決手段】基板処理装置はチャンバ１１を有し、チャンバ１１の側壁１１ａ及びチャンバ１１の上蓋１１ｂの間にはシール機構１２が配設されており、シール機構１２は、側壁１１ａの上面３８に形成されたアルミニウムが露出するシール溝４０と、該シール溝４０に収容されたＯリング状のフッ素系ゴムからなるシール部材４１と、上蓋１１ｂの下面４２に形成されたアルミニウムが露出するシール溝４４と、該シール溝４４に収容されたＯリング状のフッ素系ゴムからなるシール部材４５とを有し、シール部材４１とシール部材４５とは互いに圧接しており、そのときの反力によって、シール部材４１，４５の突出部はシール溝４０，４４が有する保持溝の底部に圧接されるとともに、シール部材４１，４５の被覆部はシール溝４０，４４が有する収容溝の底部を覆う。 （もっと読む）

【課題】排気ラインからポンプを取り外す際の液状排出物の外部への垂れ落ちを防止する。
【解決手段】基板を処理する処理室２０１と、処理室２０１内にガスを供給する供給ラインと、処理室２０１内を排気する排気ラインと、排気ラインに接続され、処理室２０１内を真空排気するポンプ２４６と、排気ラインのポンプ２４６よりも上流側に設けられ、ポンプ２４６を排気ラインから取り外す際に閉じられ、それ以外は開かれた状態とされるストップバルブ２６８と、を備える。 （もっと読む）