【課題】ｎチャネル型電界効果トランジスタとｐチャネル型電界効果トランジスタを有する半導体装置において、ｎチャネル型電界効果トランジスタ、ｐチャネル型電界効果トランジスタ共にドレイン電流特性に優れた半導体装置を実現する。
【解決手段】ｎチャネル型電界効果トランジスタ１０と、ｐチャネル型電界効果トランジスタ３０とを有する半導体装置において、ｎチャネル型電界効果トランジスタ１０のゲート電極１５を覆う応力制御膜１９には、膜応力が引張応力側の膜を用いる。ｐチャネル型電界効果トランジスタ３０のゲート電極３５を覆う応力制御膜３９には、膜応力が、ｎチャネル型トランジスタ１０の応力制御膜１９より、圧縮応力側の膜を用いることにより、ｎチャネル型、ｐチャネル型トランジスタの両方のドレイン電流の向上が期待できる。このため、全体としての特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】所望の膜厚分布を有する薄膜を堆積可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】少なくとも第１の原料ガスおよび第２の原料ガスを基板に対して交互に供給することにより、第１の原料ガスと第２の原料ガスとの反応により生じる反応生成物質の薄膜を基板に堆積する成膜方法が開示される。この方法は、基板が収容される処理容器内にガスを供給することなく処理容器内を真空排気するステップと、処理容器内に不活性ガスを所定の圧力まで供給するステップと、処理容器内の真空排気を停止した状態で、不活性ガスが所定の圧力に満たされた処理容器内に第１の原料ガスを供給するステップと、第１の原料ガスの供給を停止するとともに処理容器内を真空排気するステップと、処理容器内に第２の原料ガスを供給するステップと、第２の原料ガスの供給を停止するとともに処理容器内を真空排気するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】シリコン窒化膜を低温で形成する際に、評価対象のシリコン含有前駆体が、求める成膜温度や成膜速度を達成可能であるか予測することが可能なシリコン窒化膜の形成方法を提供する。
【解決手段】シリコン含有ガスとして適用可能なシリコン含有前駆体について、成膜温度と成膜速度との関係から得られるシリコン窒化膜形成反応の活性化エネルギーの実験値と、第一原理計算により求める活性化エネルギーの計算値と、の相関性を検証した後、所定温度における前記成膜速度の対数値と前記活性化エネルギーの計算値との相関性を示す一次関数から、所定の成膜温度もしくは所定の成膜速度でシリコン窒化膜を形成するために必要なシリコン含有前駆体の活性化エネルギーを算出することを特徴とするシリコン窒化膜の形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に形成される絶縁膜の付着力を高め歩留りを向上させる。
【解決手段】基板１０の上方に形成された半導体層２０〜２３と、前記半導体層２０〜２３上に形成された絶縁膜３１，３２と、前記絶縁膜上３１，３２に形成された電極４１と、を有し、前記絶縁膜３１，３２は、前記電極４１の側における膜応力よりも、前記半導体層２０〜２３の側における膜応力が低いことを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 化学量論的に窒素に対しシリコンが過剰な窒化シリコン膜を形成する。
【解決手段】 処理室内の基板に対してシリコン含有物を供給して、シリコン含有物を熱分解させて、基板上に数原子層以下のシリコン膜を堆積させる工程と、処理室内に残留したシリコン含有物を処理室内から除去する工程と、処理室内の基板に対して窒素含有物を供給して、シリコン膜の窒素含有物による窒化反応が不飽和となる条件下でシリコン膜を熱窒化する工程と、処理室内に残留した窒素含有物を処理室内から除去する工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すことで、基板上に化学量論的に窒素に対しシリコンが過剰な窒化シリコン膜を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法において、異なる膜特性を有する絶縁膜に形成されるコンタクト形状の制御性を向上させる。
【解決手段】半導体基板に素子領域を形成し、半導体基板の第１の領域上に、第１の絶縁膜を形成し、半導体基板の第２の領域上に、膜応力及びコンタクトの形成の際のエッチング加工時のエッチングレートが、第１の絶縁膜と異なる第２の絶縁膜を形成し、少なくとも第２の絶縁膜において、コンタクトが形成されるコンタクト領域に選択的にＵＶ光を照射し、ＵＶ光を照射した後、第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜をエッチングして前記コンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率、低エッチングレート、高絶縁性の特性を備える絶縁膜を形成する。
【解決手段】処理容器内の加熱された基板に対して、所定元素含有ガスと、炭素含有ガスと、窒素含有ガスとを供給することで、基板上に所定元素を含む所定厚さの炭窒化層を形成する工程と、処理容器内の加熱された基板に対して、所定元素含有ガスと、酸素含有ガスとを供給することで、基板上に所定元素を含む所定厚さの酸化層を形成する工程と、を交互に繰り返すことで、基板上に、炭窒化層と酸化層とが交互に積層されてなる所定膜厚の酸炭窒化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ装置を用いてシリコン窒化膜を形成する際に、低温環境下で膜特性に優れたシリコン窒化膜を形成することが可能なシリコン窒化膜の形成方法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置を用いて、シリコン源となる原料ガスと窒素源となる原料ガスとの混合ガスを真空環境下でプラズマ化することにより、シリコン窒化膜を形成する方法であって、シリコン源として、テトラメチルジシラザンを用いることを特徴とするシリコン窒化膜の形成方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に対し簡易な手法により均質な絶縁膜を高速に形成できるようにする。
【解決手段】絶縁膜形成装置１は、堆積部１０の電子ビーム蒸着源１２からハフニウム金属の原子線を照射して、基板７０のシリコン酸化膜７２上に液体状のハフニウム微粒子７３を堆積させて堆積状態とし、照射部２０のプラズマ源２２から窒素原子、活性窒素分子及び窒素イオンでなる活性粒子７４を照射することにより、表面に窒化ハフニウムシリケート膜７６を形成すると共にシリコン酸化膜７２をシリコン酸窒化膜７５に変化させ、基板７０を成膜状態とする。この結果絶縁膜形成装置１は、基板７０へのハフニウム微粒子７３の堆積処理及び窒素プラズマでなる活性粒子７４の照射処理を行うことにより、高誘電率ゲート絶縁膜として機能し得る窒化ハフニウムシリケート膜７６を短時間で容易に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】
高い水蒸気バリア性、耐湿熱性を示すシリコン含有膜の製造方法を提供すること
【解決手段】
乾式法により少なくともケイ素原子、窒素原子を含む乾式堆積膜を基材上に堆積させた後に、膜表面に波長が１５０ｎｍ以下の光照射を行い、膜の少なくとも一部を変性するシリコン含有膜の製造方法。本発明の方法は、蒸着法、反応性蒸着法、スパッタ法、反応性スパッタ法、化学気相堆積法から選ばれた手法により形成され、少なくともＳｉ−Ｈ結合、もしくはＮ−Ｈ結合に由来する水素を含む乾式堆積膜に好適に使用できる。 （もっと読む）