【課題】モールド金型内面に強力に放熱板を押しつけることにより、樹脂バリに発生を抑制するし、効率よく放熱をおこなうことができる半導体装置を提供する。

【解決手段】本発明の半導体装置は、リードフレームと放熱板と樹脂封止体で構成され、放熱板の一方の主面が樹脂封止体から露出する高放熱樹脂封止型半導体装置において、リードフレームに吊り部とヘッダー部を備え、吊り部は放熱板の他方の主面に接合固定させ、ヘッダー部は放熱板の他方の主面に押圧させている状態で、樹脂封止用金型で挟持させて樹脂封止するものである。また、その製造方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体チップパッケージ及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の実施形態によると、（ａ）ＩＣ基板上に形成されたバンプパッド上にスズ系金属メッキ層を形成する段階と、（ｂ）ベアチップの電極パッド上にＣｕフィラーを形成する段階と、（ｃ）ベアチップのＣｕフィラーをＩＣ基板の金属メッキ層に載置し、Ｃｕフィラーと金属メッキ層とを接合させる段階と、（ｄ）接合されたＩＣ基板とベアチップとの間を絶縁体で充填する段階と、を含むスズメッキを利用した半導体チップパッケージの製造方法が提案される。また、その方法により製造された半導体チップパッケージが提案される。 （もっと読む）

【課題】生産効率や半導体装置の製造設計の自由度の向上が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ５を備える半導体装置の製造方法であって、第１主面５ａに導通部材６が形成された半導体チップを準備する工程と、放射線を透過する支持体４上に、放射線硬化型粘着剤層３と第１の熱硬化型樹脂層１とがこの順で積層された支持構造１０を準備する工程と、第１の熱硬化型樹脂層と半導体チップの第１主面とは反対側の第２主面５ｂとが対向するように第１の熱硬化型樹脂層上に複数の半導体チップを配置する工程と、複数の半導体チップを覆うように第２の熱硬化型樹脂層２を第１の熱硬化型樹脂層上に積層する工程と、支持体側より放射線を照射して放射線硬化型粘着剤層を硬化させることにより、放射線硬化型粘着剤層と第１の熱硬化型樹脂層との間で剥離を行う工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板と封止材料の間、あるいは基板中に異物が侵入して性能の低下を招くのを抑制できる半導体パッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体パッケージの製造工程で枠フレーム２の中空部を表面が粘着性の銅箔３で被覆した保持治具１を用いることにより、半導体パッケージを製造する半導体パッケージの製造方法であり、保持治具１の銅箔３表面に、多層のサブストレート２０上に半導体チップ２２が実装された半導体パッケージ用の複数の中間部品２５を隙間を介し並べて粘着保持させ、この複数の中間部品２５をモールド樹脂２６により一括モールドして各中間部品２５の下面２７以外の領域を被覆し、一括モールドされた複数の中間部品２５を保持治具１から取り外した後、一括モールドされた複数の中間部品２５をその隣接する中間部品２５と中間部品２５の間で分断する。 （もっと読む）

【課題】金属細線流れによる不良を防ぐことができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】ＩＧＢＴ１を電力用リード４上に固着し、ＩＧＢＴ１を制御する制御用半導体素子３を制御用リード５上に固着し、制御用リード５と制御用半導体素子３を金属細線１１により接続する。ＩＧＢＴ１と制御用半導体素子３との間において制御用リード５上に保護部材１４を固着する。これらの構成をキャビティ１９内に配置する。ＩＧＢＴ１側からキャビティ１９内に樹脂１６を注入する。この際に、保護部材１４がキャビティ１９の天井に接するため、ＩＧＢＴ１側から制御用半導体素子３側に向かう樹脂１６の横方向の流れは保護部材１４により防止される。従って、樹脂１６は、ＩＧＢＴ１側から制御用リード５の下側に流れた後に、制御用リード５の間隙２１を通って制御用リード５の下側から上側に流れて制御用半導体素子３及び金属細線１１を封止する。 （もっと読む）

【課題】金型や成形品との剥離性に優れ、しかも、金型の形状が設計寸法通りに成形品へ転写される型形状転写性に優れるとともに、成形品の表面平滑性が得られ、さらには、１４０℃前後の使用温度における耐熱性も有する離型用フィルムを提供する。
【解決手段】ＪＩＳ Ａ 硬度が７０以上、ビカット軟化温度が１００〜１８０℃であるポリウレタン系エラストマー１００質量部に対して、フッ素含有アルコール系化合物とフッ素含有ジオール化合物からなる群から選択される１つ又は複数の化合物を０．１〜５．０質量部の範囲に含有する熱可塑性エラストマー組成物からなっている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、樹脂成形において、ダイパッドの変形が起こり難いアルミニウム素材のリードフレームと、軽量で製造コストの安い半導体装置を提供する。

【解決手段】本発明のリードフレームは、アルミニウム素材を使用し、ダイパッド部に切欠き部を設けることにより、樹脂成形時におけるリードフレームの変形を抑制している。また、このリードフレームを使用して、製造したフルモールド型の樹脂封止型半導体装置とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの積層数が多くなっても、それらの隙間に充填されるアンダーフィル材が水平方向に過度に拡がることのない半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置１０は、一主面に凹部５ａを形成した支持基板５と、凹部５ａ内に収容された複数の半導体素子１ａ〜１ｄからなる積層体４と、凹部５ａ内に充填され、積層体４を封止するアンダーフィル材６とを具備する。積層体４は、凹部５ａの底面側に配置された貫通電極を有しない半導体素子１ａと、この半導体素子１ａ上に一段または多段にフリップチップ接続された貫通電極２ｂ〜２ｄを有する半導体素子１ｂ〜１ｄからなる。 （もっと読む）

【課題】封止性能が向上したダイパッド露出型パッケージの半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置１０は、以下の構成を備えている。裏面に、平面視で外縁に沿って、当該外縁よりも内側に設けられた凸部２２２を備えるダイパッド２２０と、ダイパッド２２０の裏面の反対側の一面に搭載された半導体チップ１００と、ダイパッド２２０から間隔を隔てて当該ダイパッドの外縁に沿って当該ダイパッドの周囲に配置された複数のリード端子２４０と、ダイパッド２２０、半導体チップ１００、および複数のリード端子２４０の少なくとも一部を封止した封止樹脂３００と、を備えている。ダイパッド２２０の裏面のうち、凸部２２２および凸部２２２によって囲まれた領域２２４は、封止樹脂３００の下面から露出しており、凸部２２２の頂面は、封止樹脂３００の下面と同一面を形成している。 （もっと読む）

【課題】 より効率よく基板に実装することのできる半導体装置を提供すること。
【解決手段】 複数のダイパッド部１１と、複数のダイパッド部１１のいずれか一つに各々が配置された複数の半導体チップ４１と、複数のダイパッド部１１のいずれをも露出させる凹部７５が形成され、且つ、複数のダイパッド部１１および複数の半導体チップ４１を覆う封止樹脂部７と、凹部７５に配置された、絶縁性の放熱層６と、を備え、放熱層６は、複数のダイパッド部１１のいずれにも正対しており、放熱層６は、凹部７５が開口する方向に露出している弾性層６９を含み、弾性層６９は、放熱層６の厚さ方向視において、複数のダイパッド部１１のいずれにも重なる。 （もっと読む）