【課題】シリコンエピタキシャルウェーハに含まれる重金属不純物の定性・定量分析を高感度に行うことができる不純物評価方法を提供する。
【解決手段】原料ガスを供給しながらシリコン単結晶基板上にシリコン単結晶薄膜を水素雰囲気中で気相成長させる成膜工程と、該成膜工程により前記シリコン単結晶薄膜が形成されたシリコンエピタキシャルウェーハを、前記シリコン単結晶薄膜中に存在する評価対象不純物の濃度の規格値又は工程平均値と前記評価対象不純物の固溶限界濃度が一致する温度を算出し、該算出温度の少なくとも上下５０℃の温度範囲において、前記シリコンエピタキシャルウェーハの成膜後の冷却速度を２０℃／ｓｅｃ以上として冷却する冷却工程と、前記シリコン単結晶薄膜の表層を化学分析して、前記評価対象不純物の濃度を測定する評価工程とを行うシリコンエピタキシャルウェーハの不純物評価方法。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハなどのパターンが形成された試料の欠陥検査において、高感度かつ高スループットの欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】本発明の特徴は、パターンの方向と、照明光の試料への射影の方向と照明光の偏光に着目したことにある。また、少なくとも２つの照明方向の該試料への射影は該試料の主要なパターンの方向に対して垂直または平行であり、該第１の方向の照明光の偏光と該第２の方向の照明光の偏光は互いに異なることを特徴とする。また、本発明は、該第１の方向の射影と該第２の方向の射影は互いに垂直であることを特徴とする。また、本発明は、該第１の方向の射影と該第２の方向の射影は互いに平行であることを特徴とする。また、本発明は、該第１の方向の照明光の偏光はｓ偏光であり、該第２の方向の照明光の偏光はｐ偏光であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】粒径の大きなインクを用いる場合であっても安定した印字品質が得られる、液滴吐出装置を提供する。
【解決手段】基板上にインクを吐出する液滴吐出ヘッドと、インクを収容したインクパック１５０，１５１と、インクパック１５０，１５１を収縮させる収縮部材と、を備えた液滴吐出装置である。インクパック１５０，１５１は、その内部に、インクを攪拌する攪拌部材２００と、攪拌部材２００の移動をガイドするガイド部２０１と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 常温時の高精度なチャックトップ上面の平面度を常温時に限らず昇温時や冷却時にも高精度に維持することができるウェハプローバ用ウェハ保持体を提供する。
【解決手段】 本発明のウェハプローバ用ウェハ保持体は、ウェハ載置面を有するチャックトップと、チャックトップにおいてウェハ載置面とは反対側の面に設置される温度制御手段と、前記チャックトップ及び／又は前記温度制御手段を支持する支持体と、該支持体の下部に設置された底板とを有し、該底板の熱膨張係数が、前記チャックトップの熱膨張係数以上であり、前記チャックトップ、支持体、底板の熱伝導率をそれぞれＫ１、Ｋ２、Ｋ３としたとき、Ｋ１＞Ｋ２かつＫ３＞Ｋ２であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩウェーハの支持基板層中に存在する不純物金属及び積層欠陥を区別して簡便且つ低コストに検査することが可能な方法を提供する。
【解決手段】支持基板層（１３）上に埋め込み酸化膜層（１２）を有するとともに該埋め込み酸化膜層（１２）上にＳＯＩ層（１１）を有するＳＩＭＯＸウェーハ（１０）に関して、支持基板層（１３）中の欠陥を検査する方法は、ＳＯＩ層（１１）及び酸化膜層（１２）を除去し、続いて支持基板層（１３）をエッチング液により選択エッチングして表面に存在する欠陥をエッチピットとして顕在化させ、エッチピットのサイズをカウンタにより測定し、前記サイズが１μｍ以上の場合には不純物金属に起因するものと同定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シェアテストを行う半導体装置形成用基板から得られる半導体装置の数量が減少するのを防止する。
【解決手段】半導体装置テスト用領域１１ａの周辺部には、半導体装置形成領域１１内に形成される外部接続用電極２１と同一プロセスで同一の外形サイズおよび断面積の外部接続用電極２１が形成される。半導体装置テスト用領域１１ａは、有効半導体ウエハ領域１ａの周縁部に数箇所設けられ、それぞれ、その一部が有効半導体ウエハ領域１ａの外部に食み出すように形成される。このため、製品となる半導体装置形成領域の数量が減少するのを防止することができる。 （もっと読む）

【目的】 本発明の目的は、狭ピッチ間隔の配置下においても、耐電流値の高いプローブ及びプローブカードを提供する。
【構成】 プローブ４００は、導電材料で構成されており且つ本体部４１１及び本体部４１１の先端面及び外周面を覆う外郭部４１２を有する接触部４１０と、この接触部４１０の本体部４１１の後端面に設けられた触媒粒子層４２０と、この触媒粒子層４２０に束状に林立しており且つ本体部４１１の後端面に対する直角方向に延伸したカーボンナノ材料４３０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの製造プロセスにおける重金属汚染に伴うシリコンウェーハのゲッタリング能を高い信頼性で把握することを可能にするため、現実のデバイス後工程における重金属汚染の状態を反映した金属汚染試料を作製することができる方法を提供する。
【解決手段】重金属を添加した研磨スラリーを用い、試料用のシリコンウェーハにＣＭＰ（化学機械研磨）を施して重金属を汚染させることにより、シリコンウェーハの金属汚染試料を作製する。その際、重金属をＣｕ、Ｆｅ、ＮｉおよびＣｒのうちから選択し、研磨スラリー中の重金属の添加量を１〜１０００ｐｐｂとすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】主に、小径ウエハを確実にアライメントすることができること、ウエハを搬送してくるロボットハンドの形状に影響されることなくウエハの受け渡しが可能であることを課題とする。
【解決手段】リフト機構１７のリフトピン１８の上下動の動作が、ウエハ２０の載置部１１がＸ軸移動機構１５とＹ軸移動機構１４とによって動作する平面方向との移動動作とは無関係におこなわれるよう構成する。 （もっと読む）

【課題】ＵＶインクを用いる場合において信頼性の高い吐出を行うことのできる液滴吐出装置を提供する。
【解決手段】基板に紫外線硬化型の液滴を吐出する液滴吐出ヘッドと、液滴が吐出された基板に紫外線を照射する紫外線処理部７０と、液滴吐出ヘッド及び紫外線処理部７０を収容する装置本体と、を備えた液滴吐出装置３である。紫外線処理部７０は、処理チャンバー７０ａと、処理チャンバー７０ａ内に収容され、紫外線を照射するランプ部７３を有している。ランプ部７３は、紫外線を照射するランプ７３ａと、ランプ７３ａを収容する筐体７３ｂと、筐体７３ｂ内の雰囲気を装置本体の外部に排気する排気手段７４と、を有する。 （もっと読む）