【解決手段】半導体素子の製造方法および半導体素子。接続パッド（７）がＳＯＩ基板（１）の絶縁層（２）に配置される。接続パッドの上部に形成されるコンタクトホール開口部（９）は、その側壁及び接続パッド上に、上縁が頂部金属（１２）に接触する金属膜（１１）を備える。 （もっと読む）

【課題】ビット線が低抵抗でビット線間が低容量となるように、できるだけ配線を厚く形成できるようにすること。
【解決手段】第１コンタクト金属４が埋め込まれた第１層間膜８と、第１層間膜８上に形成されるとともに溝を有する第２層間膜１２と、溝に埋め込まれるとともに溝上で突出した金属配線２と、金属配線２上に形成されたハードマスク膜７と、第２層間膜１２上のハードマスク膜７及び金属配線２の側壁に形成されたサイドウォール３と、ハードマスク膜７及びサイドウォール３を含む第２層間膜１２上に形成された第３層間膜６と、第３層間膜６、第２層間膜１２、及び第１層間膜８に形成されるとともにサイドウォール３間にて第１コンタクト金属４に通ずる下穴と、下穴内に形成された第２コンタクト金属１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】安定したプロセス処理が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、ポリシラザンを溶剤に溶解してなる塗布液を供給する工程、前記半導体基板を回転させて、前記ポリシラザンを含む塗布膜を形成する工程、前記半導体基板の裏面に、リンス液を供給してバックリンスを施し、裏面を洗浄する工程、前記バックリンス後の前記半導体基板を乾燥して前記リンス液を除去する工程、および、前記半導体基板を熱処理して前記塗布膜から前記溶剤を除去し、シリコン酸化物を含む絶縁膜を得る工程を具備する方法である。前記溶剤および前記リンス液は、少なくとも一部にテルペン類を含み、酸価０．０３６ｍｇＫＯＨ／ｇ未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

基板を処理するための方法が提供され、ここで第１の有機シリコン前駆体、第２の有機シリコン前駆体、ポロゲン、および酸素源が、処理チャンバーに提供される。第１の有機シリコン前駆体は、一般に低い炭素含有量を有する化合物を含む。第２の有機シリコン前駆体は、より高い炭素含有量を有する化合物を含む。ポロゲンは、炭化水素化合物を含む。ＲＦ電力は、基板上に膜を堆積させるために印加され、さまざまな反応物の流れの流量は、膜の部分が堆積されるにつれて炭素含有量を変化させるために調節される。一実施形態では、堆積膜の最初の部分は、低い炭素含有量を有し、従って酸化物のようであり、一方次に続く部分は、より高い炭素含有量を有し、オキシ炭化物のようになる。他の実施形態は、酸化物のような最初の部分を特徴としない。膜を後処理するステップは、より高い炭素含有量を有する膜の部分に細孔を発生させる。
（もっと読む）

【課題】デュアルダマシン法を用いて、形状精度が高く、電気特性の劣化を抑えたビアおよび配線等を形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に多孔質膜を形成する工程と、前記多孔質膜の第１のパターン領域に所定の深さまで変質化処理を施し、変質層を形成する工程と、前記変質層が形成された前記多孔質膜の前記第１のパターン領域に少なくとも一部が重なる第２のパターン領域に前記所定の深さよりも深くまでエッチングを施し、第１の凹部を形成する工程と、前記第１の凹部を形成した後、前記多孔質膜から前記変質層を選択的に除去して第２の凹部を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

デュアルダマシンプロセスに使用される組成物が開示される。
（もっと読む）

【課題】ビットコンタクトと容量コンタクトとの接触を防止する。
【解決手段】拡散層領域１２１，１２２を有するトランジスタ１１１と、層間絶縁膜１５１に埋め込まれ、それぞれ拡散層領域１２１，１２２に接続されたセルコンタクト１３１，１４１と、層間絶縁膜１５２に埋め込まれ、セルコンタクト１３１に接続されたビットコンタクト１３２と、層間絶縁膜１５３に埋め込まれ、ビットコンタクトと接続されたビット線１３０と、層間絶縁膜１５２，１５３に埋め込まれ、セルコンタクト１４１と接続された容量コンタクト１４２とを備える。ビット線１３０の側面１３０ａは、ビット線１３０の延在方向に沿ったビットコンタクト１３２の側面１３２ａと一致している。これにより、ビットコンタクトと容量コンタクトが直接短絡することがなくなるため、容量コンタクトの形成マージンが拡大する。 （もっと読む）

【課題】本発明は液晶表示装置用アレイ基板製造用のエッチングテープを提供する。
【解決手段】本発明のエッチングテープは、ベースシート及びベースシート上にゲルタイプのエッチング物質が塗布されて形成されたエッチング物質層を含む。このエッチングテープは、透明絶縁基板上にゲート電極、ストレージキャパシターの第１電極、ゲート配線を形成する段階、ゲート絶縁膜、アクティブ層、オーミック接触層、ソース電極及びドレーン電極を形成し、誘電体層及びストレージキャパシターの第２電極を形成し、データ配線を形成する段階、画素電極を形成し、ゲートパッド電極を形成し、データパッド電極を形成する段階、保護層を形成する段階及びゲートパッド電極上に形成された保護層とデータパッド電極上に形成された保護層をエッチングすることでコンタクトホールを形成する段階を含む液晶表示装置用アレイ基板の製造方法に利用される。 （もっと読む）

【課題】陽極酸化処理に用いる薬液により、半導体基板と保護膜との剥離を抑制する多孔質構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】拡散層１２が形成された半導体基板１０に酸化膜１４を形成する工程と、酸化膜１４の所定の位置に複数の接続孔を設け、該接続孔に配線２２を形成した後、配線２２で挟まれた領域に拡散層１２の表面が露出するような開口部２４を設ける工程と、開口部２４の外周縁部に溝２６を形成し、溝２６を埋め込むように半導体基板１０の拡散層１２が形成された面の全面に保護層２８を堆積する工程と、開口部２４の外周縁部に保護層２８が残存するように開口部２４の保護層２８を除去し、拡散層１２を露出する工程と、開口部２４に残存した保護層２８を保護膜３２として、露出した拡散層１２を陽極酸化処理する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】製造効率を高めることができる半導体装置の製造方法等を提供する。
【解決手段】半導体装置１の製造方法は、絶縁層１２のダイシング領域に溝部１２０を形成し、内部回路形成領域にビアホール１２６を形成する工程、絶縁層１２上に第一のレジスト膜１３を設ける工程、第一のレジスト膜１３を覆う第二のレジスト膜１４を設ける工程、第二のレジスト膜１４の内部回路形成領域を覆う領域に配線用開口１４１を形成し第二のレジスト膜１４のダイシング領域を覆う領域に位置合わせ用開口１４２を形成する工程、溝部１２０と位置合わせ用開口１４２との位置関係を検出し第二のレジスト膜１４の配線用開口１４１が絶縁層１２のビアホール１２６に対し所定の位置にあるかどうか検出する工程を含む。第二のレジスト膜１４を選択的に除去する工程では、位置合わせ用開口１４２の領域が絶縁層１２中の溝部１２０を覆うように位置合わせ用開口１４２を形成する。 （もっと読む）