【課題】樹脂製の固体撮像素子パッケージに好適なカバーガラスを提供すること。
【解決手段】質量％で、ＳｉＯ_２ ３５〜５７％、Ａｌ_２Ｏ_３ ６〜２３％、Ｂ_２Ｏ_３ ０〜２０％、Ｌｉ_２Ｏ ０〜１０％、Ｎａ_２Ｏ ０〜２５％、Ｋ_２Ｏ ０〜１０％、ただし、Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ １５〜４０％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＺｎＯ ０〜３０％、を含有し、実質的にＡｓ_２Ｏ_３、Ｓｂ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２を含有しないことを特徴とする固体撮像素子パッケージ用カバーガラス。 （もっと読む）

【課題】ウエハレベルパッケージ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】第１の領域１１０ａと第１の領域１１０ａの周辺に沿って溝１１４が設けられた第２の領域１１０ｂとを備える第１の基板１１０と、第１の領域１１０ａ上に配置された半導体素子１１５と、溝１１４に配置された第１の封止部材１３０と、第１の領域１１０ａに対応したキャビティ１２２を設けるために、第２の領域１１０ｂに対応する突出部１２１を備える第２の基板１２０と、突出部１２１上に配置され、第１の封止部材１３０とボンディングされて第１の基板１１０と第２の基板１２０とを互いに合着した第２の封止部材１４と、を含み、封止部材が封止領域以外の領域に流れ出すことを防止するウエハレベルパッケージを提供する。 （もっと読む）

【課題】低コスト化を図れるフォースセンサパッケージ及びその製造方法を得る。
【解決手段】基板表面に突設した受圧部を介して荷重を受けたときに変位し、該変位量を電気的に検出する複数のピエゾ抵抗素子が形成されたセンサ基板と、複数のピエゾ抵抗素子と電気的に接続する電気配線部が形成されたベース基板とを備え、センサ基板と接合したベース基板をパッケージ基板に接着固定してなるフォースセンサパッケージにおいて、パッケージ基板上のセンサ基板及びベース基板を封止樹脂で覆い、かつ、該封止樹脂表面をセンサ基板表面より低く設けた。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、キャンとベースを溶接する際の溶接飛びやひずみによる不良などを防止することによって高信頼性半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０１は、ベース１０９の上に、レーザーダイオード素子１０２及びフォトダイオード素子１０４がマウントされている。レーザーダイオード素子１０２、フォトダイオード素子１０４、ワイヤ１０８ａ，１０８ｂを覆うように、キャン１１０が設けられている。このキャン１１０は、フランジ部１１２がベース１０９の主面上に有機被膜１１３で接合されて固定されている。有機被膜１１３は、有機分子２００が、フランジ部１１２の表面上に自己組織化して配列されてなる膜である。 （もっと読む）

【課題】蓋部材と部品素子が搭載されている素子搭載部材との間に設けられている硬化前の紫外光硬化樹脂を真空中で硬化させることができ、生産性を向上させることができ、小型化することができる封止装置を提供する。
【解決手段】蓋部材ＷＨと部品素子が搭載されている素子搭載部材ＷＴとの間に硬化前の紫外光硬化樹脂Ｊが挟まれた状態となっているワークを搭載する搭載手段１１２と、搭載手段１１２が内部に設けられている封止室１１０と、封止室１１０の開口部の縁部に沿って設けられている環状のパッキン１２２及び紫外光を透過する材料からなる透明部材１２１とで構成され、前記封止室１１０の開口部を閉塞する閉塞手段１２０と、封止室１１０と接続されており封止室内の空気を排気する排気手段１４０と、封止室１１０の外部であって透明部材を介して前記搭載手段と対向する位置に設けられており紫外光を放射する紫外光照射手段１３０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハーと透明基板との間に設けるスペーサを露光処理、現像処理を経て形成するに際し、現像処理で生じた固形状の浮遊物が残渣として残るのを抑制または防止することができる半導体ウエハー接合体の製造方法を提供すること、および、信頼性に優れた半導体ウエハー接合体および半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体ウエハー接合体の製造方法は、スペーサ形成層に露光光を選択的に照射することにより露光し、現像液を用いて現像することにより、壁部１０４’を残存させる工程を有し、壁部１０４’の幅をＷ［μｍ］とし、壁部１０４’の高さをＨ［μｍ］としたとき、下記＜１＞〜＜３＞の関係式をそれぞれ満たす。
１５≦Ｗ≦３０００ ・・・＜１＞
３≦Ｈ≦３００ ・・・＜２＞
０．１０≦Ｗ／Ｈ≦９００・・・＜３＞ （もっと読む）

【課題】２枚の基板が一体化されたものに外力が加わっても、接合界面における密着力の低下を抑制することができる構造を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】センサ部１０とキャップ部２０との積層体に、センサ部１０とキャップ部２０との界面４０を貫く凹部４１を設け、この凹部４１内に封止部材として絶縁膜４２および封止用外周金属層４３を設ける。これによると、凹部４１に配置された封止部材４２、４３が盾となるので、凹部４１よりも内側の界面４０に外力が直接伝わらない。したがって、半導体基板１０と貼り合わせ基板２０との密着力の低下が抑制される。 （もっと読む）

【課題】熱硬化性封止剤を用いてパッケージを封止した際、パッケージの内圧が上昇せず、封止剤による封止部分のピンホール発生を防ぐ封止剤塗布方法を提供する。
【解決手段】図１（Ａ）に示すようにホットプレート２０上に基板１２を載置し、予め加熱しておく。基板１２およびカバー１６、電子部品１４等の種々の部材がホットプレート２０で設定した温度まで昇温したのち、図１（Ｂ）に示すように封止剤３０を塗布する。隙間ｄに封止剤３０を塗布し、封止が完了した後にパッケージ１０の内部が外部と遮断されても予め基板１２、カバー１６等の温度が封止剤３０の硬化温度まで昇温しているので、パッケージ１０の内圧が上昇することはなく、未硬化の封止剤３０において内圧と外圧の差によるピンホールの発生を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】抵抗値が大きいＳｉを接合材の材料に採用する場合でも、接合材とガラス基板との間を確実に陽極接合することが可能な、ガラス基板の接合方法、ガラス接合体、パッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計を提供する。
【解決手段】リッド基板用ウエハ５０の内面に固着された接合材３５と、ベース基板用ウエハ４０とを陽極接合する陽極接合工程を有し、接合材３５は、リッド基板用ウエハ５０の内面にＩＴＯ膜２５とＳｉ膜２６とが順次形成されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】広い開口部と狭い隙間とを同時に封止し、且つ広い開口部でも封止剤が垂れることのない封止剤塗布方法を提供する。
【解決手段】封止剤３０が幅０．０６ｍｍの隙間ｄ１に充填可能な粘度（初期粘度）の低さを備えており、幅１．８ｍｍの隙間ｄ２を充填し、封止剤３０が硬化するまでの間において充填された封止剤３０が垂れ、流出して隙間ｄ２が開いてしまう事態を回避することのできる形状保持性能を備えた封止剤を用いて隙間ｄの封止を行う。パッケージ１０の表面に設けられた隙間ｄの開口幅が０．０６〜１．８ｍｍの範囲で複数存在するとき、塗布時の粘度が６０〜３５０Ｐａ・ｓの範囲であり、２５℃で２時間放置後の粘度が１０００Ｐａ・ｓ以上である液状の封止剤３０で隙間ｄを封止すれば、塗布時の粘度が高すぎて充填不可となることはなく、且つ隙間ｄから封止剤３０ｇは垂れることによって穴が開くなどの不具合が発生することも防止できる。 （もっと読む）