【課題】半導体ウェハとキャップウェハとの位置決め仮接合を確実に維持した状態のまま、本接合のための加熱加圧装置に搬送可能な半導体装置の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】複数の半導体デバイス５と重複しないようなパターンにて第１ウェハＷ１（半導体ウェハ）又は第２ウェハＷ２（キャップウェハ）の表面に熱硬化性接着層７を形成する第１工程と、第１，第２ウェハＷ１，Ｗ２を相対的に位置決めし、第１ウェハＷ１に第２ウェハＷ２を熱硬化性接着層７を介在させた状態で積層する第２工程と、この積層された第１，第２ウェハＷ１，Ｗ２の外周部の複数箇所に点集光させた赤外線を照射することで熱硬化性接着層７を介して第１，第２ウェハＷ１，Ｗ２を仮接合する第３工程と、この仮接合された第１，第２ウェハＷ１，Ｗ２を加圧加熱して熱硬化性接着層７により本接合する第４工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】スペーサー無しでウエハとカバープレートを所定間隔で平行に貼り合わせる。
【解決手段】ウエハＡとそれを覆うカバープレートＢの対向面のどちらか一方又は両方に接着剤Ｃを一定高さで塗布し、これらウエハＡ及びカバープレートＢを、減圧された閉鎖空間Ｓ１で重ね合わせて、それらの間に接着剤Ｃで囲まれる封止空間Ｓ２を形成し、その後、閉鎖空間Ｓ１を大気開放して封止空間Ｓ２の内圧との間に圧力差を発生させ、この気圧差でウエハＡ及びカバープレートＢを全体的に均等に加圧することにより、接着剤Ｃが押し潰されてウエハＡ及びカバープレートＢの間に所定のギャップが形成される。 （もっと読む）

【課題】金属キャップの固着強度を向上させ、かつ、高い絶縁性を確保することができる圧電共振部品を提供することを目的とするものである。
【解決手段】少なくとも上面に端子電極１６ａ、１７ａが形成された絶縁性材料からなる基板１１と、この基板上面に搭載された圧電共振素子１３と、前記圧電共振素子１３を密閉するように前記基板上面に封止樹脂１４を介して固定された金属キャップ１５とを備え、前記金属キャップ１５は金属板をハーフエッチングして形成したもので同一平面の底面を有し、前記封止樹脂１４は絶縁性フィラーを含有することにより、金属キャップ１５と封止樹脂１４との接着面積が大きくなり、金属キャップ１５の固着強度を向上することができ、かつ、構成部品点数及び工数を増やすことなく、金属キャップ底面１５ａと基板上面の端子電極１６ａ、１７ａとの間の高い絶縁性を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】接合部からのろう材の飛散や溢れ出しを防止すると共に、接合強度を安定化させた電子部品及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明の電子部品は、第１の被接合部材と第２の被接合部材とを、互いの接合面に夫々第１の金属メタライズ、第２の金属メタライズを施すと共に、第１の金属メタライズと第２の金属メタライズとをロウ材を挟んで接合してなり、ロウ材がＩｎであり、接合部が金属メタライズとＩｎとの拡散により形成された共晶合金であり、第１の金属メタライズの幅をｌ１とし、第２の金属メタライズの幅をｌ２とし、ロウ材の幅をｌ３とし、ロウ材の側面から突出した第１の金属メタライズの側面の長さをＬ１とし、ロウ材の側面から突出した第２の金属メタライズの側面の長さをＬ２としたとき、ｌ３＜ｌ１＜ｌ２、Ｌ１＜Ｌ２、の関係を満足することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉなどの半導体をＡｕとＳｉの共晶反応を利用して接合する場合、Ｓｉ酸化膜を破壊し、ＳｉとＡｕを接触させるために、大きな加圧力が必要となり、製造装置が大型化しコストが高いため加圧力を少なくして接合が可能な接合方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉなど表面に酸化物を形成しやすい基板１２を合金により接合する場合に、Ａｕと、Ａｕの融点を下げる元素Ａｕ−Ｇｅ層１０と、Ｓｉ酸化物ＳｉＯ２層１１を還元する元素Ａｌ層６、密着層としてのＴｉ層９を含む合金層により、Ａｕの合金を比較的低温で溶融させ、溶融した合金中の還元力を有する元素によりＳｉなどの表面の酸化物を還元して破壊し、ＡｕとＳｉなどの半導体基板との反応により接合する。 （もっと読む）

【課題】接着剤の接着強度を保ちつつ湿気進入を防いで、外気に対する機密性を向上させると共に、接着剤成分による汚染を防止する。
【解決手段】パッケージ内部に撮像チップ２を収容するパッケージ３の外周壁上面３ａにおける封止部の内側に、パッケージ封止用の接着剤６をパッケージ内部の封止内部８に対して封止する接着剤封止部材としてのＯリング７が配設されており、このＯリング７によって接着剤６が封止内部８のパッケージ内部空間側に面しておらず直接接することがないため、接着剤６の量および接着面積により接着強度を保ちつつ、接着剤６の内側のＯリング７によって外気に対する機密性が向上して、封止内部８への湿気進入が防止されると共に接着剤成分による汚染をも防止される。 （もっと読む）

【課題】回路基板に蓋体板を接着することで中空の空洞部を形成する半導体パッケージにおいて、その信頼性向上を図る。
【解決手段】半導体チップ５を搭載する搭載面３ａ上に立設された環状の周壁部１７を有する回路基板３と、周壁部１７の上端面１７ａに固定されることで回路基板３と共に半導体チップ５を含む空洞部を形成する導電性の蓋体板９とを備え、前記上端面１７ａには、蓋体板９を回路基板３の接地用配線部に電気接続するための接続突起部３１が突出して形成されている。接続突起部３１は、蓋体板９の厚さ方向に貫通して形成された挿入孔４３に挿入されると共に挿入孔４３に接着され、蓋体板９は、非導電性接着剤５１によって回路基板に固定される。そして、接続突起部３１よりも前記上端面１７ａの内縁側において、非導電性接着剤５１を前記上端面１７ａの周方向にわたって環状に塗布する。 （もっと読む）

【課題】
フリットにより封止されたパッケージのレーザによる封止工程で多発していたクラックの発生を抑制した、信頼性の高いパッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】
２枚の基体が重なる方向から見たときに、第１張出部と第１張出部と一端同士が鋭角をなすように接続される第２張出部とを含み、第１張出部と第２張出部との接続箇所の線幅が第１張出部及び第２張出部の接続箇所以外の線幅に比べて太くなっている張出パターン部と、張出パターン部と合わせてリング状の閉空間を形成するように、第１張出部及び第２張出部にそれぞれ接続されるリング本体パターン部と、で構成されるリング状のパターンにフリットを配置するフリット配置工程と、レーザを、張出パターン部の第１張出部と第２張出部との接続箇所からリング状のフリットをトレースさせて接続箇所に戻るように走査させるレーザ照射工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳデバイスとＩＣチップを一体にしかも機密封止も確保した上で、貫通電極とか側面電極を形成することなくウエハ処理工程の中で、容易に一体化形成する手段を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスとＩＣチップとが電気的及び物理的な接続を行い、ＭＥＭＳデバイス或いはＩＣチップの表面の配線層の上に、ポスト電極及びそれに接続された配線を有する配線付ポスト電極部品を接続する。配線付ポスト電極部品は、支持板上にポスト電極及びそれに接続された配線を形成して構成する。樹脂封止後、支持板を剥離することにより配線を露出させ、ポスト電極に接続された配線の他方の端部に、外部接続用電極を接続する。 （もっと読む）

【課題】安定した周波数特性を有し、容易に製造できる弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る弾性表面波装置１００は、第１の面１２を有する基板１０と、第１の面１２に樹脂層２０を介して設けられたインダクタ素子３０と、インダクタ素子３０と電気的に接続された弾性表面波素子５０と、基板１０、インダクタ素子３０、および弾性表面波素子５０を収納するパッケージ６０と、を含み、基板１０は、第１の面１２に形成された第１配線４０を有し、第１配線４０は、平面的に見て、樹脂層２０の周囲を囲み、基板１０は、第１の面１２がパッケージ６０の底面６６と対向して収納され、パッケージ６０は、当該パッケージ６０の底面６６であって、第１配線４０と対向する領域に設けられた第２配線７０を有し、第１配線４０と第２配線７０とは、接合して配置され、樹脂層２０を気密封止する空間８２を形成している。 （もっと読む）