【課題】構造が簡単で、薄型化・軽量化、および端子間の狭ピッチ化を可能とする半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置１は、半導体チップ５が搭載されると共に、外部接続用のパッド３１が一面側に形成された半導体パッケージ３と、半導体パッケージ３のパッド形成面３０ａに対向する面に、パッド３１と電気的な接続を行うためのコンタクト２１が設けられたソケット２と、を備え、ソケット２を介して半導体パッケージ３と実装基板４とが接続されて形成される半導体装置であって、半導体パッケージ３をパッド形成面３０ａに平行な方向に押動する押動手段６を備え、押動手段６によって、半導体パッケージ３が、ソケット２に対して所定の一方向に押動されて、パッド３１とコンタクト２１とが当接して、半導体パッケージ３とソケッ２トとが電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】 キャパシタ内蔵インターポーザモジュールに関し、接続信頼性を高めるとともに、内蔵するキャパシタを大容量化し、さらに、低コスト化する。
【解決手段】 第１の電極と第２の電極とを備え、モールド被覆固定されている半導体集積回路素子を有し、弁金属材料と、前記弁金属材料の一部の表面に形成された陽極酸化皮膜と、前記陽極酸化皮膜の上に形成された陰極と、前記陰極に電気的に接触する導電性材料と、前記導電性材料に電気的に接続する下部電極パッドとを有し、前記弁金属材料が前記第１の電極と電気的に接続され、前記陰極が前記導電性材料を介して前記第２の電極と電気的に接続され、前記弁金属材料と前記陰極との間に前記陽極酸化皮膜を挟んで構成されるキャパシタを少なくとも１組有し、前記パッケージ基板を前記下部電極パッドと電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】配線基板の外部接続端子間におけるインタポーザの表面を被膜するソルダーレジスト層におけるクラックの発生、及びこれに伴う配線の断線を抑制する。
【解決手段】半導体パッケージ２００は、配線基板１０に実装されている。アンダーフィル樹脂層１００は、半導体パッケージ２００と配線基板１０の間を封止している。半導体パッケージ２００を構成するインタポーザ２１０の、半導体チップ２５０を搭載しない面には外部接続端子２４０、配線２３０、及びソルダーレジスト層２２０が形成されている。隣り合う２つの外部接続端子２４０の間を通る配線２３０と隣り合う２つの外部接続端子２４０の中心を結ぶ直線が交差する部分において、配線２３０はソルダーレジスト層２２０によって被覆されていない。 （もっと読む）

【課題】溶融状態の金属材料を選択的に端子上に凝集させることができないことに起因する、隣接する端子間におけるリーク電流の発生が低減された導電接続シート、かかる導電接続シートを用いた端子間の接続方法、接続端子の形成方法、信頼性の高い半導体装置、および、電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の導電接続シート１は、樹脂組成物層１１、１３と金属層１２とを備える積層体により構成されるものであり、樹脂組成物層１１、１３中において、フラックス機能を有する化合物は、金属層１２側に遍在していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】溶融状態の金属材料を選択的に端子上に凝集させることができないことに起因する、隣接する端子間におけるリーク電流の発生が低減された導電接続シート、かかる導電接続シートを用いた端子間の接続方法、接続端子の形成方法、信頼性の高い半導体装置、および、電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の導電接続シート１は、樹脂組成物層１１、１３と、この樹脂組成物層１、１３に接合される金属層１２とを備える積層体により構成されるものであり、第１の樹脂組成物層１１は、その平均厚さが、第２の樹脂組成物層１３の平均厚さより薄いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体素子を有する半導体装置と樹脂基板をバンプ接続する際、半導体素子のバンプに対する熱応力の作用によって接続部にクラックが生じて、機器の長期信頼性が低くなること。
【解決手段】複数の半導体素子を搭載されるインターポーザー配線基板の裏面に複数のランドとバンプを備える半導体装置と、複数のランドが配列された樹脂基板とを接続する電子部品の実装構造であって、前記インターポーザー配線基板の前記半導体素子と重なる位置にあるバンプの中で、半導体装置の中心から最も離れた位置に配列された位置及びその周辺にあるバンプと、前記バンプと隣接するバンプとが並列接続されていることを特徴とすることにより、応力集中が最も発生する位置のバンプが、冗長接続となり、一つのバンプが破断しても他方のバンプの接続が保たれ、故障を起こす期間を延伸することができる。 （もっと読む）

【課題】複数種類のパフォーマンスボードと接続できる接続ユニットを提供する。
【解決手段】ＩＣソケットが載置されたパフォーマンスボードと、ＩＣソケットに保持される電子デバイスを試験する試験装置とを電気的に接続する接続ユニットであって、パフォーマンスボードと対向して設けられる保持基板と、保持基板上における位置が変更可能に保持基板上に設けられ、パフォーマンスボードが備えるパフォーマンスボード側コネクタと接続されるべき接続ユニット側コネクタとを備えることを特徴とする接続ユニットを提供する。 （もっと読む）

シリコン貫通ビア（ＴＳＶ）ウエハを用いてスタックされた電子的部品を形成する方法が、第１ディボンデング温度を有する第１接着性材料（２０６）を用いてＴＳＶウエハ（２０２）の上側に第１キャリアウエハ（２０５）を搭載することを含む。ＴＳＶウエハは、その下側から薄くされて薄くされたＴＳＶウエハ（２０２’）を形成する。第１ディボンデング温度より高い第２ディボンデング温度を有する第２接着性材料（２０７）を用いて、ＴＳＶウエハ（２０２’）の下側に第２キャリアウエハ（２１５）が搭載される。薄くされたＴＳＶウエハ（２０２’）はそれから第１キャリアウエハ（２０５）を取り除くため、前記第１ディボンデング温度を超える温度まで加熱される。スタックされた電子的部品を形成するため、少なくとも１つの個片化されたＩＣダイが、薄くされたＴＳＶウエハの上面上に形成されたＴＳＶダイに結合される。

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【課題】素子面積を小さくしたＭＥＭＳ素子などの電子デバイスを組み込んだ半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ素子本体１１の両面に機能部材が露出するようにして面積を小さくしたＭＥＭＳ素子１０をフリップチップ実装するに際し、ＭＥＭＳ素子本体１１に第１実装用基板１３を接合し、その第１実装用基板１３ごとボンディングツールで吸着して、回路基板２０へフリップチップ実装する。また、ＭＥＭＳ素子本体１１の上下面に位置する金ボール１２、２７によって第１空間部Ｓ１、第２空間部Ｓ２を形成するとともに、金ボール１２、２７を対向して配置することで、接合時におけるＭＥＭＳ素子本体１１の破損を防止する。 （もっと読む）

【課題】配線基板の変形を抑制し、信頼性の高い電子装置を提供する。
【解決手段】パッケージ基板１１の上に配置されるスティフナ１２に、その開口部１２ａを囲むように、パッケージ基板１１側と反対側に突出する突部１２ｂを設ける。このようなスティフナ１２を配置したパッケージ基板１１の上に、半導体チップ１３を配置する。電子装置内に、突部１２ｂを設けたスティフナ１２を用いることにより、パッケージ基板１１の変形を抑制する。 （もっと読む）