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国際特許分類[H01L23/32]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体または他の固体装置の細部 (40,832) | 動作中の完全装置を支持する支持体,すなわち分離できる定着物 (458)

国際特許分類[H01L23/32]に分類される特許

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【課題】半導体装置のコストを一層低減可能な技術を提供する。
【解決手段】複数の入出力パッド5を有するチップ2と、チップ2が搭載されるシリコンインターポーザ3と、複数のパッケージフィンガー8を有し、シリコンインターポーザ3が搭載されるパッケージインターポーザ4と、を備える。シリコンインターポーザ3は、チップ2の複数の入出力パッド5に対応する複数のチップ側入出力パッド9と、パッケージインターポーザ4の複数のパッケージフィンガー8に対応する複数のパッケージインターポーザ側入出力パッド10と、クロスバースイッチ11と、を有する。 (もっと読む)


【課題】安価な基板材料を使用しながらもはんだ接続部への熱応力を軽減し、接続信頼性を確保するインターポーザーを提供する。
【解決手段】電子デバイス6とマザーボード7と間にはんだ接続部4、5を介して設けられるインターポーザー1であって、インターポーザーの四隅のうち少なくとも対向する2つの隅に切欠き部を設ける。 (もっと読む)


【課題】半導体チップを磁気シールド層で被覆しても、バンプを狭いピッチで配置することができるようにする。
【解決手段】半導体チップ100は磁気記憶素子10を有しており、かつ第1面に電極パッドを有している。磁気シールド層400は、少なくとも電極パッドが露出した状態で半導体チップ100を被覆している。半導体チップ100は、バンプ310を介して配線基板200に実装されている。半導体チップ100と配線基板200は、少なくとも一方が凸部を有しており、当該凸部上にバンプ310が設けられている。 (もっと読む)


【課題】放熱板の外形サイズを変更することなくキャビティ面積、ひいてはキャビティ容量を増大してICパッケージのマルチチップ化に対応可能な放熱板及び放熱板を有するICパッケージの接続装置を提供する。
【解決手段】放熱板1の周壁3にて相互に対向する一対の側壁3A、3Bの長さ方向における中央部に各側壁3A、3Bの下端縁3Cから外方に向かって水平に耳部4、5を形成するとともに、各耳部4、5をソケット12の蓋部材14に形成された一対の押圧突起23、23を介して弾性的に押圧するように構成する。 (もっと読む)


【課題】回路基板の製造工程を単純化することができ、それによってリードタイムを短縮することができるとともに、バンプが外力によって破壊されたり反ることを防止することができる回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による回路基板100の製造方法は、(A)キャリアの一面にバンプ用キャビティを形成する段階と、(B)電解めっき工程によりバンプ用キャビティにバンプ130を形成する段階と、(C)バンプ130を塗布するように、キャリアの一面に絶縁層140を積層する段階と、(D)バンプ130に連結されたビア155を含む回路層150を絶縁層140に形成する段階と、(E)キャリアを除去する段階と、を含むものである。 (もっと読む)


【課題】バンプを介して積層された各半導体チップが発生する熱を効率的に放熱させる。
【解決手段】複数の半導体チップ5の間及び最下層の半導体チップ5の下側の少なくとも1箇所にバンプ7を介して電気的及び熱的に接続され、熱を拡散させるサーマルインターポーザ6を、内部空間15と、内部空間から上方の外部へ貫通する上部貫通導体16Aと、内部空間から下方の外部へ貫通する下部貫通導体16Bとを有するインターポーザ基板11ABと、内部空間に設けられ、上部貫通導体と下部貫通導体とを接合するバンプ接合部12Xと、内部空間に設けられ、バンプ接合部に接する多孔質体13と、内部空間に封入された冷媒14とを備えるものとする。 (もっと読む)


【課題】レーザー光の照射によって貫通孔をする場合であっても、反りの発生がなく、かつ、半導体チップの電極と確実な接続を形成することができるインターポーザおよびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】インターポーザの基板コア材1に形成される貫通孔が、半導体チップ搭載側から形成される貫通孔と、実装側から形成される貫通孔5bとで構成されている。そして、半導体装置の内部に残る領域には実装側から形成される貫通孔を、ダイシングライン上には半導体チップ搭載側から形成される貫通孔を配置する。 (もっと読む)


【課題】ICモジュールとマザーボードの間に追加モジュール体を配置可能に構成することで、基板そのものの設計変更の必要なしに、機能を追加する。
【解決手段】信号の入出力端子となるIC信号端子を多数有するICモジュール0102と、IC信号端子とそれぞれ接続可能な基板接続端子を有するマザーボード0101と、ICモジュールとマザーボードの間に配置され、IC信号端子とそれぞれ接続される追加モジュール接続端子を上面側に有し、下面側に基板接続端子とそれぞれ接続される追加モジュール信号端子を有する追加モジュール体0103と、を有する機能追加型基板を提供する。 (もっと読む)


【課題】はんだバンプが破断することなく、かつ半導体パッケージにも不要な曲げの力が加わらずに実装基板に追従せず、信頼性が維持できる。
【解決手段】半導体パッケージ基板1、中継基板3および実装基板2のヤング率をそれぞれE1、E3およびE2とすると、E1>E3>E2という関係を満たす中継基板3を使用する。端子間ピッチL1=端子間ピッチL2<ビア間ピッチL3となっている。このようなL1=L2<L3の関係では、中央のはんだバンプにおける両端接合領域の中心間距離(接続距離)L4より、その側方のはんだバンプについての接続距離L5が長くなる。 (もっと読む)


【課題】半導体チップと電気的に接続される電極パッドのピッチの、所望のピッチからのずれを小さくすることができる配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップを構成する半導体基板と同等の熱膨張率を有する材料からなる支持基板11の上面に凹部を形成する工程、前記支持基板の上面に剥離層を形成する工程と、前記剥離層上に金属層を形成する工程と、前記金属層上に第1絶縁層16を形成する工程と、前記凹部に対応する位置の前記金属層が露出するように、前記第1絶縁層16を貫通する貫通穴を形成する工程と、前記金属層をシード層として、前記貫通穴内に露出した前記金属層上に第1配線層17を形成する第1配線層形成工程と、前記第1配線層17及び前記第1絶縁層16上に更に配線層及び絶縁層を積層する積層工程と、前記剥離層に所定の処理を施すことにより、前記支持基板11を除去する工程とを有する。 (もっと読む)


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